手机游戏打到一半突然卡顿，电脑多开几个网页就反应迟钝，这些让人抓狂的瞬间背后，都躲着一个关键角色——DRAM。这块小小的存储器正在悄悄定义着我们的数字生活体验。
眼下，全球内存市场正迎来一场被称为 “超级繁荣周期” 的浪潮-3。所有DRAM产品的需求都在激增，这景象连行业专家都始料未及。
当你在手机、电脑甚至汽车中享受流畅体验时，背后正是DRAM在工作。它的全称是动态随机存取存储器，主要原理是利用电容存储电荷的多少来代表二进制数据是1还是0-6。
DRAM江湖可分为两大派系：标准型DRAM和利基型DRAM。标准型DRAM主要用在桌面计算机、笔记本电脑等设备上-1。
而利基型DRAM则灵活得多，它直接内嵌在终端产品中，可以根据不同需求进行定制开发，解决各种内存相关问题-1。
利基型DRAM的身影无处不在。从计算机及相关接口设备，到消费性电子产品如电视、游戏机；从通讯系统的路由器、调制解调器，到车用电子设备的导航、驾驶辅助系统；再到工业用电子设备的监控系统、POS机等，都有它的存在-1。
2025年第三季度，三大DRAM原厂的业绩都超出了预期-3。SK海力士的DRAM营收达到19.1兆韩圜，比上一季度增长了11.4%-3。
与此同时，三星的DRAM营收估计在18到19兆韩圜之间，季度增长率高达约30%-3。美光也不甘示弱，DRAM营收达到89.8亿美元，季度增长27.1%，同样高于财务预测-3。
特别引人注目的是，原本预期表现会较弱的消费性DRAM，近期却出人意料地走强-3。这种变化是近期才出现的，与之前的市场预期形成了鲜明对比。
在技术迭代方面，DDR4已经进入产品生命周期终止阶段。主要内存制造商包括三星、美光以及中国的长鑫存储，都已宣布或计划对DDR4产品发布EOL通知，并逐步减少或停止生产-3。
这一转变主要是为了应对市场对更高容量、更快速度的DDR5内存需求的增加，以及HBM等新技术的兴起-3。
随着人工智能及物联网相关技术的兴起，DRAM技术也在不断进化。厂商们正在开发具备低耗电、高效能、极小化特点的DRAM产品-1。
在5G宽带通讯崛起的时代下，高带宽、低耗电、大容量、低成本的专精利基型DRAM产品成为研发重点-1。
在DRAM的技术参数中，有一个常被专业人士关注的设置——DRAM_ODT_EN。这个参数在U-Boot系统配置中曾引起开发者的讨论-2。
有技术人员指出，将DRAM_ODT_EN设为特定值（例如3），再配合恰当的ZQ设置，可以显著提高DRAM在高时钟频率下的运行可靠性-2。
有实验表明，通过适当的ZQ调整，DRAM甚至可以在648MHz的时钟频率下成功运行-2。
展望2026年，DRAM市场将迎来一个历史性转折点——常规服务器用DDR5内存的盈利能力预计将首次超过高带宽内存（HBM3e）-5。
这一反转源于两大趋势：全球云端服务商加速部署AI大模型，推动服务器单机DRAM搭载容量持续提升；同时HBM3e因三大原厂激烈竞争及买方库存充足，合约价可能出现同比下降-5。
据分析，2025年第二季度HBM3e与DDR5的价差还在四倍以上，但到2026年第一季度，随着DDR5价格持续走强，两者价差将显著收敛，DDR5的单位利润有望反超HBM3e-5。
DDR5 6400MT/s将在2025年成为主流产品，而速度达7200MT/s至8800MT/s的更高速型号则计划于2026年下半年开始量产-10。
2026年HBM产品预计将占据DRAM市场销售额的41%，但在位当量出货量中的比重仅为9%-10。几乎所有HBM产品都用于人工智能领域，具体来说是用作AI芯片模块的主存储器-10。
面对市场变化，主要DRAM厂商正在调整战略。产能分配成为关键决策点-5。
由于HBM与DDR5共享部分产线资源，供应商可能倾向于增加服务器DDR5的供给以最大化收益-5。
同时，为了平衡产品组合，原厂也可能通过提升HBM平均销售单价来维持整体利润水平-5。
值得注意的是，2025年第四季度服务器DRAM合约价已因云服务提供商加单而强势上涨，机构将其涨幅预期从8%~13%大幅上调至18%~23%，且不排除进一步上修的可能-5。
掌握服务器客户资源与制程转换能力的企业将在这一轮市场变化中获得显著优势-5。未来一年，DDR5与HBM之间的产能博弈，将成为决定存储器市场走向的关键变量-5。
存储芯片行业正加速迈入“超级周期”，已成为市场不争的共识-10。第四季度仅仅是存储严重缺货的起点，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态-10。
几家领先的国际电子和服务器公司已在囤积内存，并与主要供应商洽谈签订2至3年长期供应协议-10。远处，数据传输速度高达8800MT/s的DDR5型号产线正在调试，而HBM4的研发已悄然开始。
从长远来看，如果你的预算允许且追求更好的性能与未来兼容性，建议选择DDR5内存。主要内存制造商已纷纷宣布或计划对DDR4产品逐步减少或停止生产-3。
DDR5 6400MT/s已成为市场主流-10，提供了比DDR4更高的带宽和能效。虽然目前DDR5平台的主板和CPU可能价格稍高，但考虑到未来升级和软件优化，投资DDR5是更具前瞻性的选择。
HBM是高带宽内存的缩写，与普通DRAM有几个关键区别。几乎所有HBM产品都用于人工智能领域，主要作为AI芯片模块的主存储器-10。
技术上，HBM采用垂直堆叠设计，通过硅通孔技术将多个DRAM芯片堆叠在一起，与处理器封装在同一基板上，从而提供远超传统DRAM的带宽。
普通DRAM则采用平面设计，通过主板上的插槽与处理器连接。价格上，HBM的单位成本显著高于所有DRAM产品的平均水平-10。
根据市场分析，存储芯片行业正加速迈入“超级周期”-10。由于担心DRAM短缺，多家领先的国际电子和服务器公司已在囤积内存，并与主要供应商洽谈签订长期供应协议-10。
短期内，这可能导致部分电子产品价格上涨或供应紧张。但长期来看，随着DDR5技术成熟和产能提升，价格将逐渐趋于稳定。
对于消费者来说，如果近期有购买电子产品的计划，可以适当关注促销活动，或者考虑提前购买；如果不急需，可以等待技术更成熟、价格更稳定后再做决定。
