电脑城的装机小哥看着一天一个价的内存条报价单直摇头，而千里之外半导体实验室里，工程师正试图把数百层存储单元像建摩天大楼一样垂直堆叠起来。
内存市场正上演着一场“过山车”行情。2025年初至今，DRAM市场综合价格指数已攀升超过47%，其中6月单月涨幅就高达19.5%-3。
更让人看不懂的是，上一代DDR4内存的价格在部分时段竟比新一代DDR5还贵出一大截，这在DRAM历史上还是头一遭-3。
DRAM市场最近乱成了一锅粥。去年还在发愁产品卖不出去，今年突然变成了抢都抢不到。这戏剧性的转变，与三大内存原厂的一纸通知直接相关。
三星、SK海力士和美光相继宣布，旗下以DDR4为代表的老款产品即将走到生命周期的终点。消息一出，整个市场像被点燃的炮仗，瞬间炸开了锅-3。
制造商们慌了神，为了满足未来一两年的市场需求，开始疯狂抢购DDR4芯片。有趣的是，虽然DDR5技术已推出数年，但在2024年全球出货的消费级PC中，约60%仍配备DDR4内存-3。
服务器市场的情况同样不容小觑。截至2024年底，全球在用服务器中约45%仍在使用DDR4内存。这些服务器承载着企业的核心业务，升级换代需要漫长的测试和调试，不可能一蹴而就-3。
当平面DRAM的制程微缩逐渐逼近物理极限时，工程师们把目光投向了第三个维度。扩大dram的存储密度，不再是平面上的“精雕细琢”，而是变成了垂直方向的“堆叠艺术”。
2025年5月，NEO半导体公司宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计，采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构-1。这项技术预计将于2026年生产概念验证测试芯片，并有望提供比当前普通DRAM模块高出10倍的容量-1。
与此同时，在2025年世界人工智能大会上，紫光国芯展示了其第四代三维堆叠DRAM技术方案。这项被称为SeDRAM的技术通过三维堆叠实现逻辑晶圆与DRAM晶圆的3D集成，可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽-2。
突破性的扩大dram存储能力的方法不止一种。4F²结构作为存储单元垂直化的关键技术方案，通过将传统水平分布的源极、栅极与漏极转化为垂直层级结构，使单个存储单元的面积缩减约三分之一-4。
在全球存储厂商竞相布局3D DRAM的赛道上，中国厂商正在寻找一条差异化的突围之路。由于3D DRAM的工艺流程大幅简化了图形化步骤，增加了蚀刻和沉积工序的重要性，这恰好降低了其对先进光刻设备的依赖-4。
目前中国大陆在光刻设备资源方面受到一定限制，而3D DRAM的技术特点正好为中国企业提供了弯道超车的可能性-7。国盛证券在其研报中明确指出，中国厂商或有望在3D DRAM时代实现突破-7。
国内企业已经在关键设备上取得进展。中微公司已开发出深宽比达90:1的刻蚀设备，能够满足3D DRAM制造过程中对高精度刻蚀的需求-4。而青禾晶元等国产键合设备厂商也已经突破混合键合、常温键合等技术-4。
在存储产品布局上，钰创科技等企业采取了务实策略。在DRAM大厂将资源转向HBM与先进制程时，钰创同步强化DDR4与LPDDR4产品线，旗下产品已广泛应用于路由器、物联网设备、工业电脑等多个领域-5。
存储行业的领导者们已经绘制了长远的技术蓝图。在2025年IEEE VLSI研讨会上，SK海力士提出了未来30年的DRAM技术路线图，计划将4F² VG平台与3D DRAM技术引入10纳米及以下制程的内存产品-9。
三星也不甘示弱，计划在2026年2月的国际固态电路研讨会上发布第六代HBM4，其带宽预计可达3.3TB/s，较先前版本有大幅提升-10。SK海力士则将展示下一代移动DRAM LPDDR6，数据传输速率达14.4Gb/s-10。
更远期的预测显示，到2040年，HBM9的带宽可能达到惊人的128TB/s，是HBM4的60倍以上-10。这样的发展速度，让人不禁感叹技术进步的日新月异。
对于现有DDR4内存的利用，也有创新思路。Marvell公司推出的CXL内存扩展控制器Structera X 2404，可以让大量面临淘汰的DDR4内存条“焕发新生”，继续为新服务器提供内存容量，既节约成本又符合可持续发展目标-8。
“内存条价格涨得比房价还快。” 电脑城的小李半开玩笑地说。他的柜台前，几位准备装机的客户正在犹豫要不要咬咬牙直接上DDR5。
实验室里，工程师正盯着屏幕上层层堆叠的芯片结构图，那是由硅和硅锗交替生长出的300层结构，每一层都比纸还薄。未来，这样的垂直堆叠将成为扩大dram容量的标准方式，而市场上的价格波动，终将在新技术量产普及后回归平静。
提问一： 最近想装台新电脑，看到DDR4和DDR5价格都很高，还有DDR6的消息，我现在到底该选哪种内存？
说实话，现在确实是个比较尴尬的装机时间点。如果你不是特别急着用电脑，我建议可以稍微等等。从市场趋势看，DDR5的价格涨势已经开始放缓，预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅会减缓-3。
英特尔和AMD都计划在2025年底推出的新平台不再支持DDR4-3，这意味着如果你现在买DDR4平台，未来的升级路径会很有限。
另一方面，DDR6确实在路上了，三星、SK海力士和美光已经完成了DDR6原型芯片设计-3。但新技术从发布到普及还需要时间，预计要到2027年DDR6才会正式进入大规模导入期-3。
所以我的建议是：如果你现在必须装机，且预算充足，直接上DDR5平台更面向未来；如果预算有限且不急着用，可以等年底新平台发布后再做决定。
提问二： 听说DDR4要停产了，我现在用的DDR4电脑以后是不是没法升级内存了？
这是个很实际的担忧，但情况可能没你想的那么糟。虽然三大DRAM原厂确实在逐步减少DDR4的生产，但这不意味着DDR4内存条会立刻从市场上消失。
首先，停产是一个渐进过程。比如美光计划在未来2～3个季度陆续停止出货消费级和PC用DDR4，但还会向“车用、工业、网通”的长期合作客户供应-3。这意味着特定领域的DDR4供应仍会持续一段时间。
像钰创科技这样的公司明确表示会“强化DDR4与LPDDR4/4X产品线”，并与供应链伙伴建立策略联盟确保长期支援与稳定供应-5。所以未来几年内，DDR4应该还是能买到的，只是选择可能会变少，价格可能不太友好。
另外，还有个有趣的解决方案正在兴起——CXL内存扩展技术。通过像Marvell Structera X 2404这样的控制器，旧DDR4内存条可以在新服务器上“重新上岗”-8。虽然这主要是面向数据中心的应用，但技术思路显示了旧内存的再利用可能性。
提问三： 中国在内存技术竞赛中到底处于什么位置？有没有可能实现弯道超车？
这是个很有深度的问题。客观来说，在传统2D DRAM技术上，中国厂商如长鑫存储与三星、SK海力士等国际大厂确实还有差距，大约落后两三代制程-7。
但在即将到来的3D DRAM时代，情况可能会有所不同。3D DRAM的技术特点降低了它对极紫外光刻（EUV）等先进光刻设备的依赖，更看重蚀刻、沉积和键合技术-4-7。而这几个领域，中国设备厂商已经取得了实质性突破。
比如中微公司已经能够生产深宽比90：1的刻蚀设备-4，这水平完全能满足3D DRAM制造的需求。在键合技术上，国内厂商也突破了混合键合、常温键合等关键技术-4。
更值得关注的是中国厂商的创新路径选择。长鑫存储采取的是“横向堆叠”方式，先把传统DRAM的电容与晶体管组合转为躺在同一层，再逐层堆叠起来-7。这种思路与早期3D NAND类似，可能更容易先实现量产，然后再逐步优化。
国盛证券的分析认为，中国大陆目前光刻资源受限，而3D DRAM更倚重蚀刻、薄膜、键合等技术而非EUV，中国厂商确实有可能在3D DRAM时代实现弯道超车-7。当然，这需要时间、持续投入和完整的产业链配合。
