科技展会现场，一块指甲盖大小的芯片旁，工程师指着显微镜下的结构对围观人群说：“这里面的变化，可能让明年买的手机待机时间多出半天。”
2025年初，全球DRAM市场营收环比下滑了5.5%，产业似乎进入了又一个调整期-3。但就在同一年，三星和SK海力士的工程师们正悄悄准备着一场将彻底改变存储行业的技术突围。
当前的DRAM技术面临着一个尴尬的境地：制程微缩越来越困难，性能提升却越来越不明显。我最近打开用了三年的笔记本电脑，明明内存足够，却总感觉反应迟缓。
DRAM产业在2025年第一季度表现疲软，营收环比下降5.5%-3。这不是市场需求减少了，而是技术突破遇到了实实在在的障碍。
芯片制造商们发现，沿着老路走下去，DRAM的性能和容量提升空间已经所剩无几。这就像短跑运动员，成绩已经接近人类极限，每提高0.01秒都需要付出巨大代价。
面对困境，存储企业没有坐以待毙。2025年中，一家知名存储企业在IEEE VLSI研讨会上公布了未来三十年的研发路线图-1。
他们提出的4F² VG平台技术，把传统DRAM中的平面栅极结构改为垂直排列。这种变化让每个数据存储单元占用的芯片面积大幅减少-1。
简单来说，就是在同样大小的芯片上能塞进更多存储单元。这不仅能提高集成度，还能实现更高的运行速度和更低的能耗。
与此同时，三星正在攻克另一个棘手问题：高温工艺对DRAM制造的困扰。
在制造过程中，存储单元堆叠会产生约550℃的高温，这会损伤下层的外围晶体管-2。三星的工程师们夜以继日地工作，试图找到解决方案。
终于，在2025年底，他们宣布通过采用创新的非晶态铟镓氧化物材料，成功制造出了能耐受550℃高温的晶体管-2。
这意味着未来DRAM可以采用更先进的架构设计，而不用担心制造过程中的高温损伤。这项突破为10纳米以下制程的DRAM铺平了道路。
未来的DRAM不会只是现有技术的简单改进，而是一场全面革新。SK海力士在CES 2026上展示了他们面向AI的下一代存储器解决方案-9。
我仔细研究他们的产品线，发现了几个关键变化：存内计算技术开始实用化，存储芯片不仅能保存数据，还能处理数据；针对不同AI应用场景的定制化存储解决方案越来越多。
现场展示的16层48GB HBM4产品让我印象深刻-4。相比目前市场上的产品，它的带宽和容量都有显著提升，专为处理AI工作负载设计。
AI的快速发展正在重塑整个存储行业。国金证券的一份研究报告指出，我们可能正站在新一轮存储大周期的起点上-5。
这不是夸张。看看你手机里的语音助手、相机中的人像模式，背后都需要大量的数据处理和存储支持。未来DRAM的核心使命之一就是高效支撑这些AI应用。
从文本到音频再到视频，数据量呈指数级增长。处理这些数据需要更快、更智能的存储解决方案。2025年DRAM资本支出预计达537亿美元，2026年可能增至613亿美元-5，这些投资大部分将流向AI相关存储技术的研发。
存储行业的重心正在发生微妙而深刻的变化。企业不再单纯追求产能扩张，而是转向制程技术升级和高附加值产品-5。
这种转变的直接体现是，尽管整体DRAM市场营收有所下滑，但面向AI的高性能存储产品需求持续增长-3。
市场研究机构预测，2025年第二季度，各主要应用合约价将止跌回升-3。这背后是技术升级带来的产品价值提升，而不仅仅是供需关系变化。
三星的工程师用非晶铟镓氧化物材料解决了550℃高温工艺难题，SK海力士在CES 2026展示了能直接处理数据的存储芯片。当这些实验室突破走向市场时，我们手中的设备或许将迎来新一轮性能飞跃。
未来DRAM的进化方向已经清晰可见：更垂直、更智能、更专用。这场静悄悄的技术革命，终将改变每一台电子设备的体验。
网友“科技好奇者”提问： 看到文章提到3D DRAM和4F²技术，能不能通俗点解释这些技术对我们普通用户有什么实际好处？比如手机会不会更便宜？
回答： 这个问题问得很实在！3D DRAM和4F²技术听起来高大上，但其实和我们的日常生活息息相关。先说4F²技术，它通过垂直排列晶体管，使DRAM单元尺寸缩小约30%-10。这意味着同样大小的芯片可以存储更多数据。对你来说，未来手机可能在不增加成本的情况下，提供更大的内存容量。比如现在买8GB内存的手机，未来可能同价位就能买到12GB甚至16GB的版本。
3D DRAM则是将存储单元像建高楼一样层层堆叠。这种技术突破后，你可能会发现手机电池续航更长了，因为更先进的DRAM能耗更低；应用程序启动更快，因为数据传输速度提升了。虽然这些技术研发成本高，但大规模量产后，反而可能因为效率提升而降低整体成本。三星和SK海力士都在积极推进这些技术-1-6，预计未来几年我们就能在消费电子产品上体验到这些进步带来的好处。
网友“行业观察员”提问： 目前DRAM市场被几大巨头垄断，未来技术变革会不会给中国存储企业带来突破机会？国内厂商在这些新技术上有布局吗？
回答： 这个问题很有洞察力！当前的DRAM市场确实由三星、SK海力士和美光等巨头主导，2025年第一季度这三家企业合计占据约94%的市场份额-3。但技术变革期往往是行业格局变动的窗口期。4F²、3D DRAM这些新技术需要全新的制造工艺和设备，这在一定程度上为后来者提供了追赶的机会。
根据广发证券的分析，4F²和CBA（晶圆键合）等新技术的发展，将带动DRAM行业设备需求持续提升，并为本土半导体设备提供成长空间-10。国内存储企业虽然起步较晚，但已在积极布局。例如，长鑫存储等国内厂商正在加速技术研发，而国内半导体设备企业也有机会在新一代DRAM制造设备领域实现突破。未来几年，随着技术路线多样化，国内厂商如果能在某一技术方向形成优势，完全有可能在细分领域实现突破。不过需要承认，这需要持续的研发投入和时间积累。
网友“AI应用开发者”提问： 我是做AI应用开发的，特别关注HBM和存内计算这些新技术。它们在实际AI应用中能带来多大提升？预计什么时候能普及到普通开发者和中小企业？
回答： 作为AI开发者，你的关注点很专业！HBM（高带宽存储器）和存内计算对AI应用确实至关重要。目前的AI模型尤其是大语言模型，受限于“内存墙”问题——即处理器性能受限于内存带宽。SK海力士在CES 2026展示的HBM4产品，速度达到11.7Gbps-4，能显著缓解这一问题。对于你这样的开发者而言，这意味着可以部署参数更多、更复杂的模型，或获得更快的推理速度。
存内计算技术更加革命性，它允许在存储器内部直接处理数据，减少数据在处理器和内存间的搬运。SK海力士展示的CuD（Compute-using-DRAM）技术就是此类创新-9。这将特别有利于推荐系统、神经网络推理等场景。关于普及时间表，目前这些技术主要面向大型云服务商和AI企业。但就像所有新技术一样，随着规模扩大和成本下降，预计未来2-3年内，这些技术将通过云服务的形式让中小企业和开发者受益。你可以关注各大云服务商即将推出的新一代AI加速实例，它们很可能会搭载这些先进存储技术。
