电脑城里,装机小哥一边拧螺丝一边摇头,嘴里嘟囔着“内存条这价格真是邪了门”,旁边的玩家看着报价单,眉头皱成了疙瘩。

2025年以来,DRAM市场综合价格指数已攀升47.7%,仅6月单月涨幅就高达19.5%-5。更离谱的是,出现了DDR4价格反超DDR5的怪现象——6月23日DDR4 16Gb芯片均价达到12美元,而同容量DDR5产品报价仅为6.014美元-5

这价格倒挂的场面,在DRAM历史上还是头一遭。


01 市场风波

最近全球DRAM市场可真是热闹非凡,价格像坐上了火箭,嗖嗖地往上蹿。一些型号自今年7月以来涨幅高达三倍-4,这可把咱们这些DRAM玩家急坏了。

Reddit上已经有玩家发起“DRAM抵制运动”,直指三星、SK海力士、美光这些存储巨头,说他们借着AI热潮的东风,故意限制消费级内存产能,制造短缺来赚取暴利-4

哎哟喂,这情绪可以理解,但事情哪有那么简单咧。

根据行业分析,这轮DRAM涨价的核心推手确实是人工智能爆发带来的数据中心需求激增-4。AI服务器对高带宽存储器那叫一个饥渴啊,HBM和RDIMM内存的需求呈指数级增长。

你可能不知道,HBM的单颗芯片所需DRAM裸片数量是普通PC内存的数十倍-4。在这样的背景下,存储厂商自然会把有限的先进制程产能优先分配给利润更高的企业级产品。

数据显示,目前超过70%的DRAM产能流向了服务器、AI加速卡及数据中心,只有大约30%留给消费级PC和笔记本电脑-4。说白了,厂商并非“刻意打压”DIY市场,而是市场机制下资源向高价值领域自然倾斜的结果。

02 产业变局

更让咱们这些DRAM玩家头大的是,DDR4内存正逐步走向停产。主要内存制造商,包括三星、美光以及中国的长鑫存储,都已宣布或计划对DDR4产品发布EOL通知,并逐步减少或停止生产-1

这一转变主要是因为市场对更高容量、更快速度的DDR5内存需求增加,以及HBM等新技术的兴起-1。除了工控、车用等利基市场将持续供货,其余应用的DDR4预计在2026年全面停产-1

三星已经通知PC制造商将在2025年底前停产DDR4,最后订购日期定在6月;SK海力士也计划将DDR4产能压缩至20%以下,预计2026年4月正式停产-5

6月,美光正式向客户发出DDR4停产通知,预计未来2~3个季度陆续停止出货-5

这个消息一出,市场直接炸锅了。买方纷纷抢购补充库存,导致现货供给紧张,价格大幅上涨-5。这就是为什么会出现DDR4价格反超DDR5的奇葩现象。

03 需求现实

尽管DDR5内存已经推出好几年了,但DDR4在中低端PC市场仍然占据主导地位。大量预算有限的消费者更倾向于选择搭载DDR4内存的PC,因为价格相对亲民,能有效控制整机成本-5

据统计,在2024年全球出货的消费级PC中,约60%仍配备DDR4内存-5。PC厂商此前预估DDR4将平稳过渡到DDR5,库存备货并不充足。如今原厂停产消息一出,为满足后续至少1~2年的市场需求,大厂纷纷加入抢购行列-5

服务器与数据中心对DDR4的需求同样巨大且稳定。市场研究机构Gartner数据显示,截至2024年年底,全球在用服务器中约45%使用DDR4内存-5

这些服务器承担着企业核心业务,其内存升级换代需要复杂的兼容性测试和系统调试,成本高昂且耗时较长-5。大型云服务提供商和企业级数据中心为了保障现有服务器稳定运行,只能积极抢购DDR4内存-5

手机市场也对LPDDR4X需求突然增加,再加上预计2026年的产出量会比今年再减少两位数的百分比,使得供需失衡的情况更加严重-5

04 未来展望

面对这样的市场状况,咱们普通玩家该怎么办呢?美光科技的高管预计,到2026年,DRAM市场仍将保持极度紧张,供需失衡将加剧-9

用于人工智能应用的高带宽内存所需的晶圆量约为标准DRAM的三倍-9。尽管美光已将大量产能投入到HBM产品的生产中,但新工厂的建设成本上升和投产周期延长,明显加剧了供应紧张的局面-9

DDR5产品平均现货价格已相当高,部分价格甚至已超过合约价,过高的价格抑制了部分市场需求-5。但各大存储厂商将DDR5视为未来5年的核心产品,因此默契地停产DDR4产品,将产能转向DDR5产品-5

当前DDR4的价格飙升,正好为DDR5创造了替代窗口-5。英特尔和AMD计划在2025年年底推出的新平台将不再支持DDR4,这将倒逼PC厂商全面转向DDR5-5

TrendForce预计,2026年PC用DDR5渗透率将突破80%,带动整体需求同比增长30%-5

05 新希望

不过,市场也不是完全没有好消息。美国存储器公司Neo Semiconductor近期发布了两款全新的3D X-DRAM设计,分别为“1T1C”和“3T0C”-10

这两款设计预计在2026年推出概念验证测试芯片,或将对传统DRAM市场带来重大冲击-10。Neo的新型3D X-DRAM单模块容量可达512Gb,是传统DRAM模块容量的10倍-10

同时,该设计还具备高速、低功耗等优势。测试数据显示,新设计的读写速度达到10纳秒,数据保留时间超过9分钟,这些指标均领先于当前主流DRAM技术-10

长期来看,唯有中国本土存储企业如长鑫存储加速技术突破与产能释放,才能真正打破国际寡头垄断,为消费市场提供更具韧性的供应保障-4。这对咱们这些DRAM玩家来说,或许是最实在的期待了。


电脑城里的那位玩家最终拿着报价单离开了,嘴里念叨着“再等等看”。他的旧电脑还能撑一阵子,而全球DRAM工厂的生产线正夜以继日地运转,其中超过70%的产能流向了AI服务器和数据中心-4

柜台后的内存条在灯光下泛着金属光泽,标签上的价格已经刷新了三次。店外,2026年的第一缕阳光照在“内存现货交易”的牌子上,那上面的数字,明天可能又会不一样了。