黄仁勋在CES展台上微笑着宣布英伟达AI业务对DRAM危机“免疫”时，成千上万的游戏玩家可能没意识到，他们心念的新一代显卡正因此被无限期推迟。
人工智能行业对高带宽内存的爆发性需求，正让全球DRAM供应陷入前所未有的紧张-1。英伟达通过大规模预付资金和直接采购策略，成功确保其AI业务供应链免受短缺影响-7。
这种“免疫”是有代价的——消费级游戏显卡成了这场供应链大战中首当其冲的受害者。
英伟达首席执行官黄仁勋在CES 2026上的一席话，揭示了当前半导体行业的残酷现实。他坦言，公司AI业务已通过大规模预付和直接采购策略，成功“免疫”了DRAM危机-1。
这不是偶然的成功。黄仁勋强调，英伟达是全球极少数能够以全球规模直接采购DRAM的半导体公司之一-7。
这种能力不仅关乎获取原材料，更涉及将DRAM转化为CoWoS超级计算机组件的复杂“管道工程”-7。早在全球存储危机显现前，黄仁勋就已亲赴韩国与三星高管会面，签署长期通用DRAM供货协议-1。
与AI业务的稳固形成鲜明对比的是，英伟达的消费级游戏显卡业务正遭受DRAM供应不足的直接冲击。
报告显示，原定发布的RTX 50 SUPER系列显卡将因此推迟数月上市-1。为应对中低端市场缺货，英伟达甚至计划在2026年第一季度重新向市场投放旧款“甜点卡”RTX 3060-1。
黄仁勋在CES上被问及是否会重启旧款显卡生产线时回应：“有这种可能”-10。他进一步解释，根据具体的显卡代际，英伟达甚至可能将最新一代的AI技术移植到上一代的GPU产品中。
内存价格暴涨让局面更加复杂，DDR5和SSD价格同步攀升，部分零售渠道中RTX 5090的售价甚至逼近4000美元-10。
面对DRAM瓶颈，行业并未坐以待毙。2026年，一种全新的3D X-DRAM技术即将亮相，有望彻底改变内存现状-5。
NEO Semiconductor宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C-5。这些设计采用基于氧化铟镓锌的材料，预计将于2026年生产概念验证测试芯片-5。
最引人注目的是，基于这项技术的存储单元能够在单一模块上容纳512Gb的容量，这比目前市面上任何模块至少多出10倍-5。
模拟测试显示，这些单元的读写速度达到10纳秒，保留时间超过9分钟，两项性能指标均处于当前DRAM能力的前沿-5。
内存技术的竞赛正在多个阵线展开。三星电子和SK海力士将在2026年国际固态电路大会上展示一系列新一代DRAM解决方案-4。
SK海力士计划推出单引脚带宽为48 Gb/s、容量为24 Gb的GDDR7显存-4。与目前28 Gbps GDDR7相比，传输速度提升了70%以上-4。
与此同时，三星电子将发布其新一代HBM4内存，容量高达36GB，带宽达3.3TB/s-4。HBM4采用1c DRAM工艺制造，并改进了TSV架构，以降低通道间信号延迟-4。
一个更具革命性的方向是，英伟达正与Meta、三星电子、SK海力士等科技巨头探索将GPU核心集成至下一代HBM的技术方案-4。这种“存内计算”的思路被视为突破当前AI性能瓶颈的关键路径之一-4。
当前显卡市场正出现明显分化。一方面是面向AI和数据中心的高端产品不断突破性能极限，另一方面是消费级游戏显卡面临供应困境。
在CES 2026上，英伟达发布了下一代AI超级计算平台Vera Rubin，该平台配备HBM4内存，带宽较前代提升2.8倍-3。但与此同时，消费级游戏显卡的新品发布几乎停滞-10。
AMD的情况也类似。尽管推出了性能提升10倍的MI455X芯片-3，并设定了“四年AI性能提升1000倍”的激进目标-3，但消费级显卡更新步伐明显放缓。
市场分析师指出，这种分化清晰地表明，英伟达已从单纯的游戏硬件公司演变为AI基础设施巨头，而普通玩家将不得不为这场AI算力竞赛带来的存储资源挤兑买单-7。
SK海力士展示的16层48GB HBM4内存模块，带宽较前代提升70%以上，专门为训练GPT-5级别模型设计-3。这种高端内存正优先供应AI芯片制造商，加剧了消费级显卡的显存短缺。
当显卡包装盒上的建议零售价成为一纸空谈，当“等等党”发现等待只会迎来旧款显卡的复产而非新品降价，游戏玩家在2026年的春天感受到了芯片行业残酷的供需法则。
网友“游戏人间”提问： 我是一个普通游戏玩家，预算有限，本来想等RTX 50系列，现在听说要推迟还可能复产旧卡。我应该继续等，还是直接买现有的显卡？这种情况会持续多久？
回答：朋友，你这问题问到点子上了！我特别理解你现在纠结的心情。根据目前的情况，DRAM供应紧张对显卡市场的影响可能不会很快结束。黄仁勋在CES上提到，英伟达甚至考虑重启像RTX 3060这样的旧产线-10，这说明供应链问题相当严重。
如果你急需升级电脑，现在购买现有显卡可能更实际。虽然可能买不到最新一代产品，但像AMD刚刚发布的Radeon RX 9060 XT LP这样的显卡-9，性能仍然足够应对大多数游戏。
要是你能等，或许可以观望几个月，看看供应链是否有缓解迹象。不过要做好心理准备，等待时间可能比预期的长。另外，关注那些采用新技术显存的显卡可能是个好策略，比如未来会使用的GDDR7显存，速度比现有产品快70%以上-4。
网友“科技观察者”提问： 我看到有新闻说新的3D X-DRAM技术容量能提高10倍，这是真的吗？如果是，为什么这种技术不能尽快应用到显卡上解决当前的显存危机？
回答：嘿，你注意到了这个重要技术！是的，NEO Semiconductor宣布的3D X-DRAM技术确实很有潜力，他们的1T1C和3T0C设计理论上可以使容量提高10倍-5。模拟测试显示这些单元读写速度达到10纳秒，保留时间超过9分钟-5。
但为什么不能立即应用呢？首先，这项技术还处于概念验证阶段，预计2026年才会生产测试芯片-5。从测试到量产需要时间，通常需要18-24个月。
新技术的生产线需要大规模调整，现有的DRAM工厂不能直接转产3D X-DRAM。制造这种基于氧化铟镓锌材料的存储单元需要全新的工艺和生产线-8。
再者，即使技术成熟，也要考虑成本问题。高端显卡已经价格不菲，采用全新技术可能会进一步推高价格。不过长远来看，这项技术确实可能从根本上改变存储行业格局。
网友“AI从业者”提问： 从行业内部角度看，DRAM短缺对AI发展影响到底有多大？各大公司有什么应对策略？我们这些从事AI开发的中小企业该如何应对？
回答：同行你好！DRAM短缺对AI行业的影响确实很大，但不同规模企业感受不同。对英伟达这样的大公司，他们通过大规模预付和直接采购基本保障了AI业务的供应-1-7。黄仁勋甚至说他们对此“免疫”-1。
但对于中小企业，情况就困难得多。HBM4等高端内存优先供应给大客户-4，小公司很难获得稳定供应。这种情况下，我有几个建议：一是考虑使用云AI服务，避免自建硬件的高成本和供应风险；二是关注存内计算等新技术，这些技术可能减少对传统内存的依赖-4；三是灵活调整模型规模，在效果和资源消耗间找到平衡。
行业正在寻找根本解决方案，比如将GPU核心集成到HBM中的探索-4，这种“存内计算”架构可能彻底改变游戏规则。同时，多元化供应商也很重要，不要过度依赖单一供应源。
