三星工厂里，最新一代的DRAM晶圆正在紧张生产，这些比指甲盖还小的芯片，正决定着全球消费电子市场的价格走向。
“产能满了，订单排到明年了。”一位芯片采购商在行业私下聚会中无奈地表示，“现在不是价格问题，是根本拿不到足够的货。”他所在的手机公司已经连续两个季度因为内存芯片短缺而调整生产计划。
根据TrendForce的最新数据，2025年第二季度全球DRAM产业营收环比增长17.1%，达到316.3亿美元-5。与此同时，摩根士丹利报告预测，到2026年DRAM的需求供给缺口将创下30年来的最大纪录-9。
2025年的DRAM市场经历了一场过山车。第一季度，产业营收环比下滑5.5%至270.1亿美元，主要受一般型DRAM合约价下跌和HBM出货规模收敛的影响-2。
转眼到了第二季度，市场迅速反弹，营收环比增长17.1%-5。这种剧烈波动背后，是AI需求爆发与传统消费电子需求之间的角力。
北美云服务提供商持续扩建AI基础设施，带动了服务器和高阶存储器的采购动能-6。与此同时，智能手机与笔记本电脑却因存储器价格飙升面临成本压力，可能被迫采取调价或规格下调的方式应对-6。
市场买卖双方的库存水位都处于偏低状态，加上服务器需求持续不减，供应商对合约价格态度强硬，预期价格将持续上扬-6。现在行业的关注点已经从短期价格转向了长期产能扩张计划。
目前的国外DRAM芯片市场，呈现出明显的三强格局。2025年第二季度，SK海力士以38.7%的市场份额蝉联第一，三星以32.7%位居第二，美光则以22%排名第三-5。
这三家公司的战略各不相同。SK海力士正在与台积电合作开发下一代HBM4内存-10。三星则计划跳过1b DRAM，直接将更先进的1c DRAM应用于其HBM4产品中-10。
美光则受益于HBM3e出货规模扩大，即使在售价微幅季减的情况下，2025年第一季营收仍达65.8亿美元，环比增长2.7%-7。
这场竞争中，技术节点的推进速度成为关键胜负手。三星已经启动1c DRAM量产线的建设，预计月产能约为3000片晶圆-10。
国外DRAM芯片的技术创新正在沿着多个方向加速推进。NEO Semiconductor宣布推出的3D X-DRAM技术引人注目，采用单晶体管单电容（1T1C）和三晶体管零电容（3T0C）架构-4。
这种新技术预计将于2026年生产概念验证测试芯片，提供比当前普通DRAM模块高10倍的容量-4。在测试模拟中，这些单元的读写速度达到10纳秒，保留时间超过9分钟-4。
与此同时，传统DRAM制程也在不断进步。三星、SK海力士和美光正优先扩大HBM和先进DRAM产能，投资重点包括硅通孔产能、混合键合、HBM堆叠以及1纳米级以下DRAM节点-3。
行业正在从2D平面结构转向3D堆叠设计。新的3D X-DRAM设计采用基于氧化铟镓锌的材料，可以像3D NAND一样构建，采用堆叠设计提高容量和吞吐量，同时保持节能状态-4。
展望2026年，存储芯片资本支出预计将加速增长，在IDM资本支出中占据主导份额-3。随着需求回升，此前推迟的扩产计划重新进入规划周期，导致2025–2026年支出急剧上升-3。
AI需求的爆发将推动DRAM的位需求在2026年增长23%-9。尽管HBM占用大量产能，但其高利润特性反过来推高了DDR5的价格-9。
对于消费者来说，这可能意味着电子设备价格的上涨。报告指出，智能手机与PC市场因内存价格上漲，2026年出货量可能下滑5%至10%-9。
不过，市场也有新的增长点。AI眼镜和边缘AI可能成为新的市场亮点，而汽车和工业领域预计将在2026年上半年开始补充库存-9。
市场对DDR5的需求持续推高价格，其年涨幅曾一度高达460%，而搭载最新1c DRAM的HBM4芯片尚未走出三星和SK海力士的实验室-9-10。
一台高端游戏笔记本的DRAM成本已从两年前占总成本的8%跃升至现在的近15%。电子品牌商开始担忧，消费者是否愿意为持续上涨的内存价格买单，毕竟手机和电脑的外观创新正陷入瓶颈。
摩根士丹利预测的30年来最大内存缺口正在重塑行业规则-9。那些能优先获得国外DRAM芯片产能的公司，将在未来两年的市场竞争中占据绝对优势，而其他玩家可能连参赛资格都难以保证。
