三星电子DRAM产品和技术执行副总裁Jung-bae Lee曾经坦言，他们致力于突破技术面临的最大挑战，以便推动实现更大的创新-4。
芯片尺寸缩小到50.02平方毫米，功耗降低高达40%，位密度达到前所未有的0.296 Gb/mm²——这些数字背后，是第三代纳米级DRAM给整个半导体产业带来的革命性变化-1。
自从三星电子在2019年宣布开发首款10纳米级第三代DRAM以来，这项技术已经悄然成为现代计算设备的隐形支柱-4。
第三代纳米级DRAM的出现标志着半导体制造业的一个关键转折点。这项技术基于10纳米级工艺节点，被业内称为D1z或1z-nm工艺-1。
这项技术的突破首先体现在制程上，相比于前一代产品，其制造生产率提高了20%以上-4。对于普通用户来说这意味着更便宜、更高效的内存产品。
更令人印象深刻的是，第三代纳米级DRAM在不使用EUV（极紫外光刻）技术的情况下，就实现了这些突破-1。EUV设备价格昂贵，每台成本可能高达1.5亿美元，避开这一技术壁垒意味着更低的制造成本和更高的市场竞争力。
当SK海力士宣布开发出第三代10纳米级DDR4 DRAM时，他们特别强调了三个核心优势：业界最高水平的容量、数据传输速度和功耗表现-9。这些优势在实际应用中转化为肉眼可见的性能提升。
这一代DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内的最高速度-9。对于游戏玩家和专业创作者来说，这意味着更流畅的体验和更高效的工作流程。
功耗降低约40%是一个重大突破-1-9。想象一下，笔记本电脑的电池续航因此可以大幅延长，数据中心也能显著降低运营成本。
到了2026年，存储行业正经历一场“前所未有”的三重超级周期，涵盖DRAM、NAND以及HBM三个关键产品门类-7。第三代纳米级DRAM的技术遗产在这一波周期中仍然发挥着关键作用。
全球内存市场正面临“地狱级缺货”，这一情况可能持续到2027年底-10。这种供需失衡推动了价格全面上涨，据预测，三星2026年DRAM平均售价年增幅度可能高达84%-10。
面对AI算力需求的爆发，HBM已成为DRAM市场增长的核心驱动力-2。第三代纳米级DRAM的技术基础，为HBM3等先进内存产品的发展提供了关键支撑-1。
随着平面DRAM制程微缩逐渐逼近物理极限，3D DRAM应运而生，成为DRAM存储技术发展的新方向-8。这将是继第三代纳米级DRAM之后的又一次重大技术跃迁。
三星正在开发垂直通道晶体管DRAM，SK海力士则推进垂直栅极DRAM，两者均以4F2为核心技术架构-2。这些新技术有望在不增加芯片面积的前提下，显著提高存储容量。
特别值得注意的是，3D DRAM的技术特点使其对光刻设备的依赖程度较低-8。这一转变可能重塑全球半导体产业竞争格局，为那些在先进光刻技术领域受限的厂商提供新的机会。
随着2026年全球内存行业迎来被称为“三重超级周期”的景气阶段，第三代纳米级DRAM的技术基础显得比以往任何时候都更加关键-7。
当行业巨头争相布局3D DRAM这一未来技术时，第三代纳米级DRAM已经完成了它的历史使命：将存储技术推向了新的高度，为AI时代的数据洪流提供了坚实的承载平台。
现在的存储芯片已经不再是简单的数据仓库，而是成为了决定整个计算系统性能的关键要素。从智能手机到AI服务器，第三代纳米级DRAM的遗产正在以各种形式继续推动着数字世界的进步。
网友提问1： 最近总听说内存要涨价，甚至“地狱级缺货”，这跟第三代纳米级DRAM技术有关系吗？还是纯粹是市场炒作？
回答： 你观察到的现象确实存在，但这不完全是炒作。当前的内存供应紧张是多重因素叠加的结果，而第三代纳米级DRAM技术在其中扮演着复杂的角色。
一方面，第三代纳米级DRAM技术本身已经相当成熟，它确实提高了生产效率-4。但问题在于，全球存储芯片大厂目前把大量产能和研发资源转向了更赚钱的HBM（高带宽内存）产品-10。
这就导致了一个现象：普通DRAM（包括基于第三代纳米级技术生产的产品）的产能扩张受限。有分析预计，2026-2027年非HBM DRAM的位元供给年增率将低于12%-10。与此同时，AI应用爆发带动了全面的内存需求增长。
更关键的是，存储芯片厂商的定价策略已经改变。市场传出，三星、SK海力士与美光三大厂均以至少60%毛利率作为定价底线-10。这种“毛利率导向”的策略，使得内存价格完全由三大厂主导。
所以实际情况是，第三代纳米级DRAM技术虽然提升了单芯片的性能和能效，但并未能缓解结构性供应紧张。加上AI服务器、高端PC对内存需求的暴增，导致了当前的价格上涨和供应短缺局面。
网友提问2： 我看报道说中国厂商可能在3D DRAM时代实现“弯道超车”，这靠谱吗？咱们现在的DRAM技术到底处在什么水平？
回答： 这个问题很有意思！先说结论：机会确实存在，但挑战也不小。中国DRAM产业目前的情况是，在传统平面DRAM（2D DRAM）工艺上，国内领先厂商如长鑫存储，相比三星、SK海力士和美光等国际大厂，确实还有两到三代的差距-2。
但3D DRAM是全新的赛道，它和传统DRAM的技术路线有很大不同。最大的变化在于，3D DRAM更依赖蚀刻、薄膜沉积和键合技术，而对最尖端的EUV光刻技术依赖度降低-2-8。这恰好避开了国内半导体产业目前面临的一些外部限制。
国内产业链在这些领域已经有所布局。例如，中微公司已经成功开发出深宽比达到90：1的刻蚀设备，能够满足3D DRAM制造的需求-8。在键合设备方面，也有国内厂商突破了混合键合等技术-8。
从技术路径看，国内厂商采取了一些务实策略。像长鑫存储探索的路线是，用横向堆叠方式简化工艺，先实现量产，再逐步优化-2。这种思路与早期3D NAND的发展类似，更注重快速实现商业化。
所以，说“弯道超车”可能有些夸张，但在3D DRAM这个新兴领域，中国厂商确实有可能缩小与国际领先企业的差距，获得更大的市场份额和技术话语权。
网友提问3： 作为普通消费者，这些DRAM技术升级对我们买手机、电脑有什么实际影响？是不是又得花更多钱了？
回答： 这可是关系到咱们钱包的实际问题！从短期看，内存技术升级和市场供需变化确实会影响电子产品的价格。有预测显示，2026年DRAM价格可能会有显著上涨-10。这意味着，同样配置的手机、电脑，内存成本占比可能会提高。
但另一方面，技术进步也会带来实实在在的好处。第三代纳米级DRAM的能效提升，能让你的手机续航更持久-1-9。更快的传输速度意味着应用加载更迅速，多任务处理更流畅-9。
对于AI PC、高端游戏本等产品，内存性能直接影响用户体验。三星已经确认，其Galaxy S26系列手机将全系标配16GB LPDDR5x内存-5，这显然是为了满足端侧AI应用的需求。
长期来看，3D DRAM等新技术成熟后，可能会改变产品的形态和性能。比如，未来手机可能在保持轻薄的同时，拥有现在笔记本电脑级别的内存容量。
作为消费者，我们可以保持理性：不必盲目追求最新技术，但可以关注那些能显著提升使用体验的升级。如果现有设备足够用，不必急着换新；但如果你的使用场景确实需要更强性能（如AI应用、高清视频编辑等），那么投资于更好的内存配置可能是值得的。
