西部半导体论坛的领奖台上，紫光国芯的工程师手握奖牌，背后是公司自主研发的低功耗DRAM KGD产品，这款产品已累计出货数亿颗-1。
台下的芯片行业人士都清楚，长期以来，全球DRAM市场被三星、SK海力士和美光三大巨头牢牢把控，国产存储芯片一直处于追赶状态-5。
就在几年前，中国企业在DRAM领域还处于起步阶段，面临着技术壁垒、市场封锁和人才短缺等多重困境。
2025年西部半导体产业创新发展论坛上，一份奖项引起了行业关注。紫光国芯凭借自主研发的低功耗256Mb DRAM KGD产品荣获“突出贡献产品奖”-1。
这款产品可不简单啊，它是国内首款自主开发的KGD产品，拥有多项自主知识产权。设计之初就瞄准了蜂窝通信、在线支付、卫星导航这些高要求的领域-1。
你知道吗，这种紫光自主DRAM采用紧凑型设计，功耗控制得相当出色，能有效帮助客户提升系统整体竞争力。现如今已经出货数亿颗了，这个数字背后是市场对国产存储芯片的认可-1。
更令人振奋的是，紫光国芯在三维堆叠DRAM技术上取得了突破性进展。他们自主研发的SeDRAM技术已经进化到第四代，能给算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽-1。
技术突破最终要体现在产品应用上。紫光自主DRAM可不只是实验室里的样品，它已经走进了千家万户的电子设备中。
从智能手机、平板电脑到车载系统，都能找到它的身影。紫光国芯的LPDDR4/4x产品专为这些设备设计，具备业界领先的高速率和超低功耗特性-6。
特别是在汽车电子领域，紫光国芯推出了国内首款车规级LPDDR4/LPDDR4X产品，已通过AEC-Q100认证并进入量产阶段-7。
这意味着什么？意味着国产智能汽车有了更可靠的存储解决方案，不再完全依赖进口芯片。这些产品可应用于激光雷达、前视一体机、车辆动态控制系统等关键部位-7。
在AI算力芯片领域，紫光国芯的SeDRAM技术也展现出独特价值。面对AI芯片普遍遭遇的“内存墙”难题，他们的三维堆叠技术提供了创新解决方案-1。
市场是最诚实的试金石。2025年上半年，紫光国芯实现营业收入7.5亿元，同比增长38.64%；净利润568.3万元，同比增长139.54%，成功扭亏为盈-5。
这一成绩的背后，是紫光自主DRAM产品线的全面布局和持续优化。公司产品覆盖从SDR、DDR到DDR4、LPDDR4等多个代际，二十余款芯片产品和四十余款模组产品实现全球量产销售-8。
不同于行业常见的IDM模式，紫光国芯采用了Fabless模式，专注于设计环节，制造则委托专业代工厂完成-5。这种轻资产运营模式在当下市场竞争中显得更加灵活。
2026年1月，紫光国芯启动了北京证券交易所上市辅导，迈出了资本化运作的重要一步-5。公司最近两年研发投入合计占营业收入的比例高达19.34%，展现了强大的技术创新决心-10。
紫光国芯的发展离不开整个新紫光集团的全产业链支持。集团已经构建了覆盖芯片设计、封测、设备、材料和模组的半导体全产业链-2。
这种协同效应在财务数据上得到体现。2025年前三季度，新紫光旗下上市公司紫光股份实现营业收入773.22亿元，同比增长31.41%-2。
集团内的另一家上市公司紫光国微三季度实现营业收入49.04亿元，同比增长15.05%；归母净利润5.71亿元，同比暴涨109.55%-2。
紫光国芯与产业链上下游企业保持紧密合作，与长电科技、通富微电等企业形成制造集群，2025年存储芯片产能突破20万片/月-4。
公司还主导制定《三维堆叠DRAM技术规范》，推动国产存储接口协议标准化，甚至开源SeDRAM IP核，吸引超过500家开发者参与生态建设-4。
当西安半导体论坛的灯光照亮领奖台时，紫光工程师手中那枚自主研发的DRAM芯片，表面反射出的不仅是会场灯光，更像是中国存储产业突破重围的曙光-1。
随着三维堆叠技术进入第四代，紫光国芯的SeDRAM已能提供每秒数十TB的带宽-2。在重庆智博会展台上，通过AEC-Q100认证的车规级存储芯片整齐排列，正等待装入下一辆智能汽车的“大脑”-7。
附录：网友问答
网友“芯片爱好者”提问：紫光国芯的SeDRAM技术和传统的HBM有什么本质区别？它真的能解决AI芯片的“内存墙”问题吗？
回答：这个问题问得很专业！SeDRAM和HBM虽然都是高性能存储解决方案，但技术路径确实有所不同。简单说，SeDRAM采用三维堆叠技术实现逻辑晶圆与DRAM晶圆的3D集成-2，而HBM则是通过硅通孔技术将多个DRAM芯片堆叠在一起。
紫光国芯的SeDRAM技术已经发展到第四代，能为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量-1。更关键的是，相比传统方案，它的访存功耗可以降低80%以上-3。
对于AI芯片的“内存墙”问题，SeDRAM通过“连的更密、挪的更近、叠的更高”的架构创新理念，确实提供了突破性的解决方案-1。它使得存储单元更靠近计算单元，大幅减少了数据传输距离和延迟，这对于需要大量并行计算的AI应用至关重要。
目前这项技术已经支持了包括行业头部厂商在内的超30款芯片产品的研发或量产-1，实际应用效果得到了市场验证。
网友“科技观察者”提问：紫光自主DRAM目前主要应用在哪些领域？未来在AI和智能汽车方面有什么具体规划？
回答：您这个问题问到点子上了！紫光自主DRAM已经实现了多领域应用落地。在AI算力领域，它为华为昇腾、寒武纪等AI芯片提供配套存储方案，支撑千亿参数大模型训练-4。
在智能汽车方面，车规级存储芯片已通过AEC-Q100认证，应用于蔚来ET7、小鹏G9等车型，支持L4级自动驾驶数据实时处理-4。消费电子领域也没落下，LPDDR5X内存模组进入了小米14、vivo X100系列供应链-4。
面向未来，紫光国芯在AI和智能汽车领域有着清晰规划。针对AI场景，公司推出了专门适配大模型应用的SeDRAM-P300产品，荣获“中国芯”年度重大创新突破产品奖-2。
智能汽车方面，公司持续深化车规芯片技术研发，为汽车智能化、网联化转型提供坚实支撑-7。紫光国芯还计划开发基于ReRAM的存算一体架构，目标在2026年推出原型产品-4，这将对边缘AI应用产生重要影响。
网友“产业分析师”提问：从全球竞争格局看，紫光国芯等中国存储企业与国际巨头相比处于什么位置？国产存储产业链还需要哪些突破？
回答：这是个很有深度的问题！从全球看，三星、SK海力士和美光仍然占据DRAM市场90%以上的份额-5，国产企业仍在追赶。但差距正在缩小，按2025年第二季度销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%-5。
紫光国芯等企业选择了一条差异化竞争道路。在高端产品上，国际巨头已大规模量产DDR5并布局DDR6，而国产DRAM主力仍在DDR4及LPDDR4X-5。
但紫光国芯在三维堆叠等新兴技术领域与国际厂商几乎同步研发，SeDRAM技术已达第四代-2。这种“弯道超车”的策略在碎片化、差异化的AI存储市场尤其有效。
国产存储产业链仍需多方面突破：一是高端制造工艺，需要向更先进制程迈进；二是生态系统建设，包括EDA工具、IP核等配套环节；三是人才储备，特别是复合型芯片人才；四是国际市场拓展，使中国标准获得更广泛认可。
令人鼓舞的是，紫光国芯已计划在新加坡、德国设立研发中心，推动SeDRAM技术进入欧美高端市场-4，这是中国存储技术走向全球的重要一步。
