公司会议室内，长江存储的工程师们面对美国制裁令后面临的设备断供困境，毅然决定在武汉启动全国产设备生产线，开启一场没有退路的自我救赎。
长江存储在武汉的生产基地目前产能接近每月13万片晶圆，占全球NAND供应量的约8%-1。这家公司正在为2026年底前实现全球市场15%的份额目标全力冲刺-2。
2025年9月，一家注册资本高达207.2亿元的新公司——长存三期（武汉）集成电路有限责任公司在武汉东湖新技术开发区正式成立-2。
“没想到技术水平提高到这种程度”，这是竞争对手对长江存储新型存储半导体的评价-3。
2025年初，长江存储开始量产的新一代存储半导体堆叠层数达到约270层，接近韩国三星电子的水平-3。
长江存储通过独特的Xtacking架构实现了技术突破。该公司2023年推出的232层“武当山”芯片，通过双层堆叠实现等效294层存储密度，已跻身全球顶级梯队-6。
目前，长江存储自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产-2。
长江存储武汉产量扩张计划正在稳步推进。据最新报告，到2024年底，长江存储的月产能将达到13万片，而2025年则有望提升至15万片-1。
这一产能提升主要得益于其第五代294层堆叠的3D TLC NAND（X4-9070）的正式投产-1。
如果三期项目顺利投产，长江存储的武汉生产基地产能将增加，为其实现2026年全球市场份额15%的目标提供有力支撑-2。
市场数据显示，2025年第一季度，长江存储在全球NAND出货量中的份额首次突破10%大关，而到了第三季度，这一数字已经攀升至13%-3。
面对2022年底美国将其列入实体清单、限制获取先进晶圆制造设备的困境，长江存储选择了一条极具挑战性的道路-1。
目前，公司正在武汉建设一条仅采用中国制设备的试验线，预计2025年下半年开始试产-1。
长江存储设备国产化率已达到45%，这一数字远超中国同行业平均水平-1。在武汉产量扩张的同时，公司正加速导入自研技术与本土设备-1。
这条全国产设备产线被视为中国芯片设备自主化的重要试金石-9。
长江存储在武汉的产量扩张与该公司雄心勃勃的市场目标密切相关。公司计划在2026年底前占领全球NAND闪存市场15%的份额-3。
据全球投资机构分析，长江存储的武汉产量若持续增长，最终可能使其占全球供应量的约20%，这一规模将超过日本铠侠，直逼韩国SK海力士-3。
2025年第三季度的数据显示，长江存储的市场份额已增至13%，紧紧追赶位居全球第四的美国美光科技-3。
凭借价格优势，长江存储的产品在中国品牌的笔记本电脑和智能手机中获得广泛采用-3。中国生产的NAND闪存比其他国家便宜10-20%左右-3。
长江存储的产品路线图清晰可见：2025年将推出3D QLC X4-6080产品，并计划在2026年量产2TB级的3D TLC与QLC产品，接口速度最高可达4800 MT/s-1。
TechInsights的报告显示，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上已与市场领导者相当-10。
长江存储计划通过武汉产量提升和产品创新，实现到2026年底占据全球NAND闪存市场15%份额的战略目标-9。
2025年7月至9月期间，长江存储的市场份额同比增长了4个百分点，达到13%-3。
长江存储董事长陈南翔站在武汉新落成的三期工厂内，面前是全套中国制造的芯片生产设备，这些设备即将开始试运行-2。
远处，华为、小米等中国科技公司的代表正排队等待首批全国产化3D NAND芯片的样品。
美国制裁名单发布三年后，中国存储芯片的自给率从不足8%提升至30%。长江存储在武汉的月产能突破20万片，全球市场份额达到18%，超越日本铠侠成为世界第四大NAND供应商。
2026年国际闪存峰会上，三星半导体负责人主动走向长江存储展台，用不太流利的中文说道：“我们该重新谈谈专利交叉授权了。”
