存储芯片堆叠层数的数字不断刷新纪录，而曾经的技术先驱英特尔却早已转身离去，背后是算力战争下巨头们不同的生存策略。
CES 2026国际消费电子展上，从数据中心到AI PC，科技大厂们在性能与能效上的角逐愈发激烈-1。在AI算力爆发的当下，数据存储的方式也在发生革命性变化。
过去我们似乎很少关注手机或电脑里数据存在哪儿、怎么存，但现在大模型和AI应用让每个人都能直观感受到：存储速度跟不上，再强的算力也得等着。
3D NAND闪存技术是半导体存储领域的一次革命。与2D平面结构不同，3D NAND通过垂直堆叠存储单元，如同建造一座存储数据的摩天大楼。
这个行业有个非常直观的竞争指标——堆叠层数。从2013年三星推出24层3D NAND开始，短短十年间，这个数字已经突破了300层-8。
目前各大厂商均已突破200层，三星和铠侠甚至将目标瞄准了1000层-5。想象一下，存储芯片里要整齐地挖出上千层的微孔，每个孔的直径仅有头发丝的千分之一，还要在里面精确填充各种材料。
3D NAND技术之所以重要，是因为它解决了传统平面NAND的扩展极限。随着层数增加，单位面积的存储容量大幅提升，成本却相对下降，这让大容量固态硬盘成为可能。
随着QLC技术的应用，单个存储单元可存放4比特数据，存储密度是早期MLC技术的两倍-8。但是，英特尔已经在3D NAND领域早早布局，其技术路线选择与其他玩家有所不同。
英特尔与美光合作，早在2015年就推出了一种名为3D XPoint的技术-2。这种技术的宣传口号很吸引人——速度是传统NAND闪存的1000倍。
按当时的设想，这项技术既能用于加快科学研究，也能制造更复杂的视频游戏-2。英特尔将其定位为“自1989年以来首个新一代主流存储器”，而不是简单替代闪存或RAM-2。
3D NAND英特尔最初的想法很有前瞻性：在处理器和传统存储之间建立一个中间层，让频繁访问的数据“更接近”处理器，提升整体系统性能-2。这本可能改变整个计算架构。
但市场是残酷的。尽管3D XPoint技术先进，英特尔推出的Optane内存也获得了企业级市场的高度评价，但这项技术“曲高和寡”，成本与普及速度无法匹配市场需求-7。
2020年，英特尔做出了一个重大决定：将旗下NAND闪存业务及大连工厂以90亿美元的价格出售给SK海力士-7。到2025年3月，这笔交易全部完成，SK海力士总计支付了88.5亿美元-10。
英特尔在3D NAND领域的技术积累，特别是144层3D NAND技术，全部移交给了SK海力士-10。此后，英特尔专注于处理器核心业务，而SK海力士则凭借这次收购，在企业级SSD市场站稳了脚跟。
2024年，SK海力士NAND部门营收达到19万亿韩元，较2019年增长了280%，其中从英特尔收购的业务贡献突出-10。与此同时，3D NAND市场的竞争格局正在发生深刻变化。
2024年第二季度，NAND Flash合约价强势上涨约13~18%，其中企业级SSD涨幅最高，达到20~25%-5。这与AI服务器需求的爆发密切相关。
当前3D NAND技术正朝着更高层数迈进。铠侠计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片-5。
三星的路线图显示，他们计划在2024年推出第九代3D NAND（约280层），2025-2026年推出第十代（约430层），2030年前实现1000层-5。
堆叠更多层数听起来简单，实则面临巨大技术挑战。蚀刻工艺需要在极小的直径内打出更深的孔，沉积技术要在整个孔内均匀填充纳米级薄膜，而材料堆积会导致晶圆应力问题，可能使整个结构倒塌-5。
3D NAND英特尔虽已退出主流竞争，但其早期研发为行业提供了重要的技术积累。如今存储厂商们必须解决高层堆叠带来的系列难题：字线电阻增加、单元间电干扰、工艺步骤增多-8。
英特尔退出NAND市场后，存储行业形成了新的竞争格局。三星、SK海力士、铠侠/西部数据联盟以及美光成为市场主导者-3。
英特尔的选择反映了半导体行业的新现实：当技术发展到一定阶段，战略定力与资源整合能力可能比单纯的技术领先更重要。
对于英特尔来说，剥离非核心业务后，可以更专注于处理器技术的突破。在CES 2026上，英特尔展示了首款采用Intel 18A（1.8纳米级）工艺制造的消费级芯片，图形性能提升77%，续航大幅优化-1。
与此同时，存储市场也在寻找新的突破方向。近存储器计算和存储器计算成为热门概念，目标是减少数据在处理器和存储器之间的传输延迟-9。这些新架构可能重新定义存储器的角色。
存储行业的千层竞赛中，铠侠展示的样品已经向800层迈进，工厂里技术人员盯着电子显微镜屏幕，寻找那千万分之一的结构缺陷。
英特尔大连工厂的标志已经更换，但实验室里仍保留着当年3D NAND的初始设计图。而硅谷的工程师们正在全新的架构中，重新思考数据存储的位置与方式。
这是一个非常及时的观察！确实，从2023年底开始，NAND闪存和SSD价格有明显回升。但原因比较复杂，不完全是层数增加导致的。
首先，价格回升的主要原因是供需关系变化。2022年到2023年，存储市场经历了比较长的低迷期，NAND Flash产品合约价连续四个季度下跌-5。厂商们纷纷减产，降低产能利用率。
当2023年底需求开始回暖时，供应商库存已经降低，减产效应显现，自然推动价格上涨-5。2024年第二季度，Enterprise SSD合约价涨幅最高，达到20~25%-5，这正好与AI服务器需求爆发时间吻合。
至于3D NAND层数增加，长期看其实有助于降低成本。因为堆叠更多层意味着在相同芯片面积上获得更大容量，单位存储成本应该下降。就像盖楼房，地基成本固定，盖得越高，每层楼的成本就越低。
但短期来看，向更高层数过渡需要巨额研发投入和新设备投资，这些成本会转嫁到产品上。同时，新技术量产初期良率不高，也会影响成本-5。
有趣的是，虽然英特尔已退出3D NAND竞争，但行业仍在继续推进层数竞赛，因为这是提高密度、降低成本的主要途径-8。当前价格波动更多是市场周期性调整，而非技术升级的直接结果。
实际上，对大多数普通消费者来说，影响可能比你想象的小。市场的适应速度很快，而且竞争依然激烈。
首先，英特尔的企业级SSD业务被SK海力士收购后，以Solidigm品牌继续运营-10。如果你是企业用户，仍然能买到原来英特尔技术路线的产品，只是品牌换了。
对于消费级市场，英特尔本来份额就不大，退出后留下的空间很快被其他厂商填补。三星、铠侠、西部数据、美光等主流品牌的产品线都很完善，选择余地依然很大。
从技术发展角度看，英特尔退出后，行业竞争格局反而更加集中，主要玩家包括三星、SK海力士（含Solidigm）、铠侠/西部数据联盟以及美光-3。这些厂商的研发竞赛一点没有放缓，都在推进更高层数的3D NAND技术。
一个积极影响是：没了英特尔这位“跨界选手”，专业存储厂商可能更加专注于存储技术的深度优化。比如美光已经量产232层3D NAND，并计划向更高层数发展-5；铠侠和三星更是瞄准了1000层的目标-5。
所以作为消费者，你可能会发现：SSD容量越来越大，价格相对越来越合理，性能也越来越好。这正是3D NAND技术持续进步的结果，虽然英特尔已不在场，但竞赛仍在继续。
这个问题问到了存储行业的未来核心！确实有新兴存储技术在发展，但短期内完全取代3D NAND的可能性不大，更可能是互补共存。
目前主要的新式存储器包括MRAM（磁性随机存储器）、PCRAM（相变存储器）和ReRAM（电阻式存储器）-9。这些技术各有特点：
值得注意的是，英特尔与美光合作开发的3D XPoint技术，就被认为是类似于PCRAM的结构-9。这项技术虽然未能在市场上取得大规模成功，但为新式存储技术发展提供了重要参考。
从应用场景看，新式存储器不会完全取代3D NAND，而是在不同场景中互补。例如在物联网边缘设备中，MRAM可能部分取代SRAM，降低功耗-9；而在需要大容量存储的场景，3D NAND的成本优势依然明显。
台积电已经在40nm工艺上实现了ReRAM的量产能力，22nm MRAM也具备量产能力-9。但这些技术目前主要应用于嵌入式领域，而非独立大容量存储。
未来更可能出现的局面是：在同一个系统中，不同存储技术协同工作——超高速存储器处理即时数据，大容量3D NAND负责长期存储，各自发挥优势。3D NAND英特尔虽已离场，但其探索的技术路径仍在影响行业发展方向。
存储技术的未来，不是简单的取代，而是根据不同需求，形成更加精细化、层次化的技术生态。
