一块英特尔QLC固态硬盘在电脑里静静运转，它的设计寿命足够连续写入740TB数据，而多数用户可能直到电脑淘汰也只用了它不到15%的寿命。
“QLC寿命短、性能差，千万别买！”这样的声音在各大数码论坛屡见不鲜。许多消费者面对QLC固态硬盘时，脑海中第一时间浮现的便是这些担忧。
当我们真正深入了解英特尔QLC 3D NAND技术后，发现事实与这些刻板印象相去甚远。
从SLC到QLC，闪存技术的演变伴随着不少误解。QLC意味着四层单元，每个存储单元能存放4比特数据，比TLC多一比特-2。
这意味着在相同物理空间内，QLC能提供比TLC更高的存储密度，这也是为什么QLC固态硬盘能以更低价格提供更大容量的原因-3。
闪存单元存储的数据越多，辨别不同电压状态就越困难。早期的QLC产品确实在性能和寿命方面存在不足，许多人至今仍停留在这一印象中-5。
实际上，根据一项2020年的研究，99%的固态硬盘在退役前只使用了15%的设计寿命，大多数硬盘因为其他原因故障，而非NAND磨损-6。
英特尔在QLC技术上的突破并非简单的层数堆叠。他们在2016年推出首款32层3D NAND后，仅用五年时间就发展到144层结构，容量密度提升了约5倍-4。
英特尔独特的浮栅架构使其QLC SSD的可靠性能够媲美TLC SSD。浮栅技术能够做到单元隔离，有效防止电荷丢失和单元间干扰-7。
与电荷捕获技术相比，浮栅单元提供的电子数接近平面浮动栅极的6倍，这意味着更高的控制精度和更小的容差-6。
英特尔采用的阵列下CMOS技术将控制电路置于存储单元下方，这种设计不会浪费空间，使得每平方毫米晶圆上可以制造更多存储单元，面密度比竞品高出约10%-6。
性能方面，英特尔通过两项创新技术显著提升了QLC固态硬盘的表现。BBD（Block By Deck）架构允许每个存储层可以被单独擦除而不影响其他层的数据，极大提高了垃圾收集效率-4。
IMPRO（独立多平面读操作）技术则将四个平面分成两个可以异步读取的双平面组，使读取操作的性能翻倍-7。
拿英特尔消费级SSD 670p举例，这款采用144层QLC 3D NAND的固态硬盘提供了最高3500MB/s的读取速度和2700MB/s的写入速度-1。
更令人印象深刻的是它的耐久性评级：2TB型号被评定为可写入740TB数据，1TB型号为370TB，512GB型号为185TB-1。
在选择QLC还是TLC时，关键要考虑实际使用场景。QLC硬盘非常适合读取密集型任务和大容量存储需求，如媒体库、文档归档和游戏存储-2。
英特尔企业级QLC产品D5-P5316的容量高达30.72TB，在1U服务器内就能实现1PB的总容量。相比传统16TB机械硬盘，可以节省大量空间-9。
与机械硬盘相比，30.72TB的英特尔固态盘D5-P5316可将温数据存储的空间占用降低多达20倍，同时提供最高达25倍的顺序读取性能-7。
对于大多数普通用户，日常使用中很难触及QLC固态硬盘的寿命极限。根据实际数据，企业环境中80%以上的SSD每日写入量都远低于设计标准-4。
英特尔QLC 3D NAND产品已经形成了完整的市场覆盖。在消费级领域，660p和670p系列针对主流用户提供了高性价比选择-3。
企业级产品线则包括D5-P5316等型号，针对数据中心和云计算环境进行了优化-6。这些产品都享有五年质保，与TLC产品相当-7。
价格方面，英特尔670p系列512GB型号起价89美元，1TB型号154美元，2TB型号329美元，在大容量NVMe固态硬盘中具有很强竞争力-1。
值得注意的是，英特尔还将QLC与傲腾技术结合，推出了H10 M.2固态盘，单个M.2插槽中同时集成了傲腾内存和QLC存储，顺序读写速度分别达到2400MB/s和1800MB/s-5。
当一块2TB的英特尔QLC固态硬盘以329美元的价格提供五年质保时-1，传统观念中关于QLC“短命”的担忧似乎显得有些过时。这家公司的浮栅技术通过增加电子容量，将单元受电子泄漏影响的程度降低了数倍-7。
科技的进步往往超越普通用户的认知更新速度，存储领域尤其如此。今天的QLC已经不再是早期那个备受质疑的技术，而是成为了平衡性能、容量与成本的重要解决方案。
