打开最新款的旗舰手机或轻薄笔记本，你可能想象不到，里面指甲盖大小的存储芯片，正经历着一场向高空发展的“楼层竞赛”。
西部数据与合作伙伴铠侠在2021年发布了第六代162层3D NAND闪存，将芯片尺寸比112层技术缩小了40%-1。
但就在最近，他们已成功将堆叠层数推高至218层，并已开始向客户提供样品-10。这个数字背后，是存储密度比上代提升超过50%的技术飞跃-4。
说起西部数据的3D NAND技术发展，真可谓一步一个台阶。时间拨回到2021年初，那时西部数据和铠侠联合发布的第六代3D NAND技术达到了162层堆叠-1。
当时这技术一亮相就引起轰动，横向单元阵列密度比第五代提高了10%-1。
那时候的162层技术已经相当厉害，芯片尺寸比之前的112层技术缩小了整整40%-1。这意味着在同样大小的芯片上能塞进更多数据，成本也更优化。
西部数据没停下脚步，很快在2022年公布了更宏大的路线图。他们的下一代BiCS7技术预计将达到212层堆叠-2。
讲真，当时看到这个数字，不少业内人士都觉得西部数据在技术竞赛中开始加速了。毕竟层数越多，技术挑战就越大。
2023年，西部数据带来了实实在在的惊喜——218层3D NAND闪存正式亮相-4。这次他们玩了个聪明的技术：CBA（CMOS直接键合到阵列）。
简单说，就是把CMOS晶圆和存储单元晶圆分开制造，然后再像三明治一样粘在一起-4。
这种方法让每个部分都能用最适合的工艺制造，最后合体时性能更强。说实话，这招有点像中国长江存储的晶栈Xtacing 3.0技术-4。
但西部数据做得更绝，把NAND I/O接口传输速度提到了3.2Gbps，比上代足足快了60%-7。
新技术的存储密度提升超过50%，达到了每颗芯片1Tb（约128GB）的容量-4。这意味着什么？你手机里同样大小的存储芯片，现在能装下更多照片和视频。
西部数据这波218层3D NAND的技术提升不仅仅是数字游戏。实际性能上，写入性能提高了20%，读取延迟也降低了20%-10。
对于普通用户而言，最直观的感受就是手机反应更快了，文件传输等待时间变短了。
更厉害的是I/O速度的跃升，3.2Gb/s的传输速度比前代提高了60%-7。这个进步让下一代接口能够支持更高速率的数据传输，满足日益增长的性能需求-1。
从应用角度看，这项技术已经开始向部分客户提供样品，未来将用于智能手机、物联网设备和数据中心等领域-10。
西部数据甚至已经将218层3D NAND应用于客户端和企业平台，包括即将推出的第5代客户端固态硬盘和128 TB级数据中心固态硬盘-8。
全球3D NAND市场竞争激烈得像一场没有硝烟的战争。在西部数据推出218层技术时，长江存储已经做到了232层，美光也公开了232层闪存-7。
SK海力士更是宣布了238层堆叠，三星一般认为做到了236层-7。
这么一看，西部数据218层的数字在层数上似乎不占优势。但存储技术竞赛不只是堆层数那么简单。
西部数据通过CBA等创新技术，在性能提升和成本控制之间找到了更好的平衡点。他们的每晶圆bit数量比162层技术多出55%，传输速度提高60%-2。
这种综合优势可能比单纯追求层数更有市场竞争力。毕竟，用户要的是又快又便宜又可靠的产品，而不只是技术参数表上的漂亮数字。
西部数据对3D NAND技术的未来有着清晰的规划。根据他们公布的技术路线图，预计在2032年达到500+层堆叠-2。
这是个相当大胆的目标，意味着未来几年层数还要翻一番还多。
与此同时，西部数据也在积极探索3D QLC NAND技术，这种技术能在每个存储单元中存储4位数据，显著提高存储密度-5。
随着AI时代的到来，全球数据存储需求呈现爆炸性增长，预计将会有数个ZB（泽字节，十万亿亿字节）的数据需要存储-5。
面向未来，西部数据认为消费类SSD市场潜力巨大，预计从2023年到2026年，消费类SSD复合年增长率超过45%-2。
到2026年，消费类SSD市场份额与HDD市场份额之比预计将达到7：3-2。
当手机存储悄悄从128GB变成256GB成为标配，当笔记本开机速度从数十秒缩短到几秒，西部数据的218层3D NAND芯片正在更多设备中默默工作。
500层堆叠的蓝图已经绘制到2032年-2，而今天手机里那片指甲盖大小的芯片，正以比传统硬盘快数十倍的速度，读取这行文字背后的每一个数据字节。
