超算大会上，六款不同规格的DDR5内存整齐排列，其中一款高度是普通内存的两倍，单条容量却达到惊人的256GB，引得参会者纷纷驻足拍照。
“通过现有技术平台扩展来提高DRAM性能和容量变得越来越困难。”在2025年IEEE VLSI研讨会上，SK海力士首席技术官车善勇面对全球行业专家坦言道-1。
他随即展示了公司的未来30年DRAM技术路线图，计划将4F² VG平台和3D DRAM技术应用于10纳米级以下工艺-1。
半导体行业已经走到了一个关键节点。随着制程工艺不断微缩，DRAM技术的物理极限日益显现。车善勇在演讲中毫不避讳地指出，依靠现有平台继续提升DRAM性能和容量正变得异常艰难-1。
这种困境对所有存储芯片制造商都是巨大挑战。回想2010年左右，业内曾普遍认为DRAM技术将在20纳米处遭遇无法逾越的障碍-5。
但通过持续创新，行业跨越了那个预测的边界。现在，SK海力士再次站在了技术突破的十字路口。
面对技术瓶颈，SK海力士提出了双重解决方案。4F² VG平台采用垂直栅极结构，将传统DRAM中的平面栅极调整为垂直方向-1。
这种设计大幅减少了单个数据存储单元的面积占用。相比之下，目前常见的6F²结构显得“占地过大”-6。
更值得关注的是3D DRAM技术，它被确立为未来DRAM的主要支柱-6。尽管业内担心堆叠层数增加会导致成本上升，但车善勇认为这个问题可以通过持续的技术创新来解决-1。
在刚刚结束的SC25超算大会上，SK海力士的展台吸引了众多目光。他们展示了六款针对不同需求的DDR5内存产品，每款都针对特定应用场景进行了优化-3。
最引人注目的是那款3DS DDR5 RDIMM，采用1bnm工艺与2-Hi堆叠技术，单颗芯片容量达32GB，单条实现256GB存储密度-3。这种内存专门为AI训练和推理任务优化，能效比显著提高。
另一款DDR5 Tall MRDIMM则以其独特外观引人注目。它的物理尺寸明显高于传统内存模组，可容纳更多存储芯片，同样是单条256GB容量，但速率支持高达12800Mbps-8。
SK海力士在DRAM领域的市场表现令人瞩目。2025年第三季度，公司全球DRAM市场占有率达到38%-4。而在高带宽内存这一细分领域，他们的优势更为明显。
2025年，SK海力士HBM芯片出货量占全球市场份额超过50%-4。这一成绩部分归功于他们与台积电签署的HBM技术合作谅解备忘录，强强联合进一步巩固了技术领先地位-2。
截至2025年，公司芯片产能已被全部预订，市场需求旺盛可见一斑-4。这种供不应求的局面也反映了AI时代对存储芯片的空前需求。
SK海力士的雄心不止于当前产品。在IEEE VLSI研讨会上，公司高管详细阐述了未来30年的技术规划-5。这些创新不仅涉及芯片设计，还包括材料和组件的全面升级。
公司正加速半导体材料国产化进程，并通过HBM技术优势巩固市场地位-4。这种垂直整合策略有助于确保供应链安全，降低外部不确定性带来的风险。
与此同时，SK海力士积极扩展全球生产布局。公司已在美国印第安纳州签署先进封装领域投资协议-2，并计划在当地建设首条2.5D先进封装量产线-4。
一片繁荣的景象下，SK海力士高管也发出了预警。2025年12月，公司表示由于AI需求增长，高带宽内存供应已出现短缺-4。
超大规模云服务商加大采购力度，进一步加剧了市场供应紧张状况-4。这种短缺不仅影响企业级市场，也可能波及消费级产品。
更令人关注的是，SK海力士警告称DRAM供应短缺状况可能持续至2028年-4。考虑到新建半导体工厂通常需要两年以上建设周期，加上调试时间，2027年底前新增产能贡献确实有限。
行业分析师指出，SK海力士2025年第三季度营业利润达11.38万亿韩元，创下历史新高-4。更引人注目的是，公司内存业务毛利率预计在63%-67%，这是七年来首次超过台积电的60%-4。
随着AI需求从训练转向推理，随时存取数据成为关键，存储市场正迎来新一轮增长周期。预计到2026年，全球存储市场规模将达到4440亿美元-4。
