盯着电脑屏幕上全球存储芯片市场份额图，那一片代表中国企业的浅色区域仅有5%，技术部老陈推了推眼镜说：“这次，咱们要自己定规则。”
长江存储日前低调启动了DRAM研发，计划依托自主Xtacking专利技术切入高端DRAM市场-9。这不是简单的业务拓展，而是国产存储芯片向被三星、SK海力士和美光垄断的高端市场发起的正面挑战。
存储芯片市场长期被国外巨头把持，中国企业份额仅约5%-7。这一尴尬数据背后，是每年中国进口集成电路超过4000亿美元，其中存储芯片占三分之一的现实。
长江存储成立于2016年7月26日，总部位于武汉-10。说实话，起初没多少人看好这家新生的半导体企业，毕竟存储芯片领域的壁垒高得吓人。
可就在短短几年间，长江存储在NAND闪存领域硬是闯出了一条路。他们推出的Xtacking架构，甚至实现了全球首发232层3D NAND闪存的突破-7。
长江存储的DRAM布局早有迹象。自2021年起便完成了Xtacking架构DRAM制程的美国专利布局-9，这为未来技术发展奠定了基础。
他们的计划非常明确：要切入的是DDR5、LPDDR5及HBM（高带宽存储器） 这些高端产品-9。HBM是什么？简单说就是人工智能芯片的“高速记忆体”，现在全球都在抢这玩意儿。
知情人士透露，为了生产HBM，长江存储已着手研发用来堆叠DRAM的硅穿孔技术-4。这项技术对于实现多层DRAM芯片的垂直互联至关重要，可以说是HBM制造的“命门”。
2025年下半年，长江存储将启动一条完全依赖国产工具的试验线-5。这意味着什么？意味着从设备到制造工艺的全面国产化。
更引人注目的是，长江存储在武汉建设的新半导体生产设施，部分考虑转用为生产DRAM-4。我听说，他们在武汉注册了一家新的子公司，注册资本高达207亿元-6。
这些动作表明，长江存储的DRAM计划不是纸上谈兵，而是有实实在在的产能准备。他们目前的产能已接近每月13万片晶圆，约占全球产能的8%-5。
有意思的是，长江存储一方面可能与长鑫存储合作，另一方面又可能成为竞争对手-9。这种关系很微妙，有点像队友又是对手。
长鑫存储在HBM2上已取得重大突破，给客户送样，预计2026年年中可小规模量产-3。而长江存储的优势在于领先的Xtacking晶栈工艺，理论上可以用于存储器的键合与封装-3。
面对SK海力士在全球HBM市场62%的占有率-4，中国存储企业选择联手可能是更明智的策略。毕竟，单个企业的力量有限，合则两利，分则可能被各个击破。
2023年，长江存储在美国加州北区地方法院对美光及其子公司提起专利侵权诉讼-1。指控美光侵犯了其8项3D NAND技术专利，并将这些专利用于旗下的固态硬盘产品中-1。
这场诉讼不仅是为了保护知识产权，更是为了在全球存储芯片市场争取话语权。美光随后股价重挫3.02%-4，市场反应可见一斑。
更值得注意的是，2025年初，三星电子与长江存储签署了关键专利授权协议-9。虽然官方仅披露涉及3D NAND核心封装技术的混合键合授权，但业内人士认为，该协议可能也涵盖部分DRAM领域专利-9。
长江存储面临的环境并不乐观，2022年被美国纳入贸易黑名单“实体清单”-4。这意味着他们在获取先进半导体设备和技术方面受到限制。
但挑战中也藏着机遇。长江存储计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能，并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%-5。
从技术角度看，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者已经相当-5。尽管在极紫外光刻等关键领域中国仍存在差距-5，但追赶的速度不容小觑。
深夜的武汉东湖新技术开发区，长江存储研发大楼的灯光依然亮着。工程师们正在测试基于Xtacking架构的DRAM样品，屏幕上跳动的数据曲线像一道正在上升的国产存储芯片K线图。
全球HBM市场62%的份额握在SK海力士手中-4，美光和三星紧随其后。长江存储新建的武汉产线考虑部分转产DRAM，新注册的子公司注资207亿元-4-6。
当长江存储的DRAM产品最终进入市场，全球存储芯片的价格体系将迎来新一轮调整。国产存储芯片的份额从近乎为零到如今的5%-7，下一个5%或许不再需要六年时间。
这是个非常专业的问题！长江存储的Xtacking技术本质上是一种创新的芯片堆叠和键合工艺，最初为3D NAND闪存设计。简单说，它允许存储阵列和外围电路分别制造，然后像搭积木一样精准键合在一起-1。
这种技术应用到DRAM上，特别是HBM制造，确实有独特优势。HBM需要将多个DRAM芯片垂直堆叠，对散热和信号传输要求极高-3。Xtacking的混合键合技术能够提供更高的连接密度和更好的热管理能力-9。
与传统DRAM制造相比，这种方法可能减少工艺步骤、提高生产灵活性。但也要客观看到，DRAM和NAND的物理结构和工作原理不同，技术移植需要大量适配和优化。
这个问题很尖锐！短期内，两家企业确实存在一定的竞争关系，毕竟都瞄准了国内DRAM市场-9。但从更大格局看，这种竞争可能利大于弊。
首先，目前中国企业在全球DRAM市场份额仍很低，首要任务是共同把“蛋糕”做大，而不是争抢现有的小蛋糕。差异化竞争可能形成良性互补：长鑫存储从标准化DRAM制程起步-9，稳步推进；长江存储则可能依托Xtacking技术，尝试一些更前沿的路径。
最重要的是，两家企业竞争能加速技术创新和迭代。回想一下长江存储在NAND领域如何迅速从落后追赶到国际一流梯队-7，适度的市场竞争正是关键推动力之一。
作为消费者，最关心的肯定是产品上市时间和价格！根据现有信息，长江存储的DRAM产品可能还需要一段时间才能上市，毕竟从研发到量产需要过程。
但一旦国产DRAM大规模上市，对价格的影响将是实实在在的。回顾历史，当长江存储的NAND闪存产品上市后，固态硬盘价格出现了明显下降-7。同样的逻辑很可能在DRAM市场重演。
价格下降的同时，我们更期待的是产品品质和性能的提升。长江存储计划切入的是DDR5、LPDDR5及HBM等高端市场-9，这意味着未来的国产内存条不会是低端替代品，而是有能力与三星、美光等品牌正面竞争的产品。
你可能需要多一点耐心，但当国产高质量DRAM产品上市时，你会发现等待是值得的——无论是钱包还是电脑性能，都会感到满意。
