一份来自韩国首尔实验室的紧急报告，让三星电子决定抛弃原有设计，在高端存储芯片领域进行一场可能决定未来五年命运的冒险。
就在一年多前，三星在关键的HBM3E内存上还落后主要竞争对手约一年时间，不得不使用比竞争对手落后一代的DRAM来制造产品-10。
转折点出现在2024年底，三星做出了一个极不寻常的决定：完全重新设计DRAM-10。这场豪赌的结果即将在2026年的国际固态电路大会上揭晓，三星将展示其新一代HBM4内存，带宽高达3.3TB/s，容量达到36GB-1。
2024年5月，全英贤副会长上任后做出了一个关键决定：重新设计D1b DRAM-10。在半导体行业，重新设计一款已推出的产品极为罕见，尤其是在竞争激烈的存储市场。
三星工程师们面临着巨大压力。从重新设计到HBM4开发，整个过程被压缩到了惊人的速度。他们以完成设计的D1c为基础制造HBM4，2025年10月向英伟达供应了样品，12月就完成了内部批量生产许可-10。
这场技术豪赌的风险在于，竞争对手SK海力士和美光在HBM4中继续使用已经在HBM3E中验证过的1b纳米工艺DRAM-10。三星却选择了一条更加艰难但可能带来更大回报的道路。
三星的自信不是没有根据的。公司内部对D1c DRAM表现出极大信心，甚至在两年后将负责该项目的常务李炳贤提升为副社长，并向相关团队支付了股份作为奖励-10。
谈到三星和DRAM哪个强，不能只看单一产品。三星拥有从移动端到数据中心的完整产品矩阵，这是其强大竞争力的体现。
在移动领域，三星计划在CES 2026上展示全球首款LPDDR6内存产品，传输速率高达10.7Gbps-8。这款基于12纳米制程的内存不仅性能卓越，能效也比前代产品提升约21%-8。
对于PC和服务器市场，三星推出了原生7200Mbps速率的DDR5内存颗粒样品，性能再次升级-5。更令人印象深刻的是其HBM4，这款内存采用1c DRAM工艺制造，改进了TSV架构以降低延迟-1。
三星真正的优势在于垂直整合能力。公司同时拥有存储器和晶圆代工业务，这使得它能够在同一事业部内快速开发和应对市场需求-10。从HBM4开始，起到HBM大脑作用的逻辑芯片变得至关重要，而三星可以在内部完成从设计到制造的全过程。
2024年第三季度全球DRAM市场竞争异常激烈。SK海力士以34.1%的市占率勉强维持领先，而三星电子市占率已攀升至33.7%，两者差距仅为0.4个百分点-7。
这场微弱的份额差距背后，是头部厂商在产能结构、技术布局与市场需求变化中的战略博弈。AI浪潮成为改写竞争格局的关键变量-7。
三星的反超底气来自于精准的产能调整。为应对AI驱动的高端存储需求爆发，三星自2024年起加速推进1c DRAM产能扩张-7。公司计划在2024年第四季度将1c DRAM月产能提升至6万片，占其整体DRAM月产能的近一成-7。
与此同时，三星果断收缩低附加值产能，6月已停止DDR4接单并于12月完成最后出货，将释放的产能集中投向DDR5和HBM等高毛利产品-7。
三星对于未来DRAM技术的发展有着清晰规划。公司计划在第七代10nm级DRAM内存工艺后导入垂直通道晶体管技术，相关产品预计2至3年内问世-2。
VCT DRAM通过三维空间的有效利用显著提升存储密度，但开发难度极高，需要突破传统内存技术限制并采用先进的封装工艺-2。这一技术代表着DRAM从平面向立体的根本转变-3。
三星还在调整组织架构以适应未来发展。2025年11月的人事调动中，公司将原本是单独小组的HBM开发组织调到了存储器开发负责部门-10。成立了集DRAM、NAND闪存、解决方案、封装于一体的“负责存储器开发”组织-10。
这种整合有助于加速技术开发，特别是在需要存储器和逻辑芯片紧密协作的HBM领域。三星的目标很明确：在即将到来的DRAM“准超级循环”中占据主导地位-9。
DRAM产业正经历结构性变化。随着AI应用遍地开花，产业打破了传统三到四年的循环周期，可能进入长达五到十年的“准超级循环”-9。
AI服务器中的DRAM用量是传统服务器的三到五倍-9。而只有DDR5可用于生产HBM，加上HBM规格正由HBM3、HBM3e推进到HBM4或HBM5，制程难度和研发门槛急剧上升-9。
三星正在与英伟达就2026年HBM4的价格进行谈判-1。由于HBM4需求超过供应，且没有强烈的降价动力，三星内部目标是使其12层HBM4内存的价格与SK海力士的价格持平-1。
更令人兴奋的是行业正在探索的颠覆性技术。据报道，英伟达携手Meta、三星电子、SK海力士等科技巨头，正探索将GPU核心集成至下一代HBM的技术方案-1。这种“存内计算”的思路，被视为突破当前AI性能瓶颈的关键路径之一。
三星电子在第四季度已将其先进的1c纳米DRAM月产能提升至6万片，占整体产能近一成，计划到2025年底将这一比例提高至三分之一-7。它的HBM4样品已经送交英伟达，带宽达到3.3TB/s，完全满足AI加速器对3TB/s以上吞吐量的需求-1。
在这场存储芯片的竞赛中，三星的DRAM实力正从全方位布局转向重点突破。从移动端的LPDDR6到数据中心的HBM4，从成熟工艺的优化到未来VCT技术的探索，三星正在多条战线上同时推进。市场占有率0.4个百分点的差距，可能在下一季度就被反超。
