手机提示存储空间不足的红色警告第无数次弹出，后台默默运行的内存刷新程序每64毫秒就要工作一次，确保每个比特数据不会丢失——这背后是DRAM芯片在纳米尺度上与物理定律的持久战。
看着手里这台刚用一年就开始卡顿的手机，我挠头琢磨，这存储技术的演进咋就跟不上咱囤照片、下视频的手速呢？仔细扒拉扒拉资料才发现，DRAM这半个世纪的老兵正经历着最艰难的转型。
咱们得从那个技术狂飙的黄金时代说起。
DRAM演进最初几十年真是坐上了火箭。1970年刚问世那会儿，它迅速取代了磁芯存储器，成了计算机架构里的关键角色-6。
到1984至1985年间，随着个人电脑和工作站兴起，DRAM直接变成了半导体市场里占比最大的单一产品-6。
那时候的DRAM制程进展神速，直接决定了内存容量能翻多少倍。而且因为它市场份额大，厂商有足够资金投入下一代研发，它甚至成了摩尔定律的主要技术推手。
这吸引了一大批玩家入场——日本、韩国、台湾的很多公司都选择投身DRAM产业，毕竟这代表着能玩上半导体制程中最先进的技术-6。
产业早期，DRAM的密度增长速度甚至超越了逻辑芯片，每18个月芯片容量就能翻一番-2。
这种疯狂扩展带来了实实在在的好处：20年内，每比特价格下降了整整3个数量级-2。对消费者来说，就是能用更少的钱买到更大容量的内存。
但好景不长，DRAM演进到21世纪初就慢慢不对劲了。2000年左右，它首先被NAND闪存在制程上超越，接着逻辑芯片制程也赶超了它-6。
问题就出在DRAM那套经典结构上——1T1C，也就是一个晶体管加一个电容-6。
这设计在较大制程下工作良好，可一旦进入20纳米以下，物理规律就开始捣乱了。电容要维持足够电荷，就需要一定面积；但制程微缩却要求一切都变小。
电容值必须维持在10～20fF以上，工程师们不得不把电容做成又细又高的圆柱体，像纳米级的摩天大楼-6。
麻烦来了：圆柱底部面积缩小、高度增加，导致宽高比越来越大，蚀刻难度激增。目前宽高比已经卡在1：50左右，很难再推进了-6。
晶体管那边也不省心。DRAM晶体管最看重的是控制漏电流，因为漏电会直接影响电容保存信息的能力。
随着晶体管通道变短，栅极对电流的控制能力变弱，这就是棘手的“短通道效应”-6。制程微缩偏偏朝不利于漏电流控制的方向发展。
结果就是，DRAM的扩展速度比巅峰时期慢了近十倍，现在要花十年才能将密度提高两倍-2。
面对这堵物理高墙，三大DRAM厂商三星、SK海力士和美光可没闲着，他们使出了浑身解数推动DRAM演进。
三星最近放出了大招——研发出了能在10纳米以下制程节点生产DRAM的新型晶体管-5。这东西采用高耐热非晶氧化物半导体材料，能在550摄氏度高温下保持正常性能-5。
更巧妙的是他们搞的“Cell-on-Peri（CoP）”架构，把存储单元堆叠在周边电路上面，而不是传统的放在下面-9。
这样能减少高温制造过程中周边电路受损的风险。三星打算把这技术用在接下来的0a和0b世代DRAM上-9。
国内厂商也没掉队。长鑫存储在2023年底发布了基于18.5纳米工艺的LPDDR5产品，成为国内首家自主研发LPDDR5的公司-1。
这是相当于1x技术节点的工艺，虽然和国际最先进水平还有差距，但标志着中国在DRAM领域迈出了实质性一步。
就在技术艰难推进的同时，DRAM市场却迎来了一轮疯狂行情。AI应用爆发把内存需求推向了新高，三星、SK海力士和美光这三大厂商直接面临“地狱级缺货”-3。
市场分析师预计，缺货情况可能一路延续到2027年底-3。原因很简单：AI模型规模越来越大，对高带宽、高密度内存的依赖越来越强。
DRAM和NAND从过去的成本型零部件，变成了决定AI运算效能的关键资源，产业进入了“记忆体超级循环”-3。
价格更是涨得离谱。2026年，三星DRAM平均售价预计同比增加84%，SK海力士增加约75%-3。
更关键的是厂商定价策略变了——三大厂都把至少60%毛利率作为定价底线-3。也就是说，价格完全由他们主导，毛利率“60%就是地板”-3。
这种市场狂热反过来影响了技术路线。厂商资源高度集中在利润更高的HBM上，导致非HBM的DRAM产能扩张受限-3。
展望DRAM演进的未来，战场已经清晰分化。短期看，HBM是兵家必争之地。随着AI模型权重接近TB级别，对内存的需求急剧增长-2。
在英伟达H100中，HBM占制造成本50%以上；到了Blackwell，这一比例更增至60%以上-2。
HBM的每GB成本是标准DDR5的三倍甚至更多，但客户没太多选择-2。未来HBM世代会更复杂，堆叠层数会更高，制程挑战只增不减-3。
中长期来看，架构创新可能比制程微缩更重要。近内存计算、内存内计算等新架构正在探索中-8。
近内存计算是将处理器尽量靠近DRAM，减少数据传输延迟和功耗，这在高性能计算领域已经开始实施-8。
更前瞻的内存内计算则试图让内存同时执行处理器功能，彻底摆脱传统的冯·诺依曼架构-8。
新存储器类型也在研发中，如磁性RAM、铁电RAM等，它们可能成为未来的存储级内存，兼具DRAM的速度和NAND的非易失性-8。
DRAM的演进本质上是与物理极限和市场周期的双重博弈。 当三星的工程师在实验室里调试那批能在550度高温下保持性能的新型晶体管时，市场的报价单正以季度为单位刷新着历史记录-5-3。
韩国半导体工厂的蚀刻机在纳米尺度上雕琢电容圆柱，而华尔街的分析师则在计算这些圆柱阵列带来的毛利率能否突破65%-6-3。
这种技术深化与市场狂热交织的景象，定义了DRAM演进当前最真实的形态。
网友A提问： 看了文章，感觉DRAM技术好像真的遇到物理极限了。除了三星那个新晶体管，还有其他突破方向吗？未来十年我们手机内存还会像以前那样快速变大吗？
回答： 这位网友看得挺准，DRAM确实遇到了不小的麻烦。除了三星的新型晶体管技术，业界还在探索几个有意思的方向。
近内存计算是个靠谱的短期方案。与其死磕制程，不如把处理器和DRAM尽量“挨着坐”，通过先进封装技术把它们整合在一起，减少数据跑腿的距离和时间-8。这就像把厨房和餐厅打通，省得端菜跑老远。高性能计算领域已经在这么干了。
更激进的是内存内计算，想让内存自己处理数据，彻底改变计算机的冯·诺依曼架构-8。这条路还长，但想想挺带劲。
至于手机内存，快速变大的黄金时代可能过去了。但容量还会稳步提升，只是速度没以前那么吓人。更可能的是效率的提升——比如LPDDR5X比LPDDR5功耗降低20%-10，这意味着同样电量下手机能干更多活，或者同样使用时间电池可以更小更轻。
未来手机可能不会一味追求内存容量数字，而是更注重整体能效和智能调度，让有限的内存发挥更大作用。毕竟对大多数用户来说，手机流畅不卡顿、电量耐用，比单纯的内存数字更重要。
网友B提问： 文章里提到DRAM缺货到2027年，价格涨那么多，这对我们普通消费者买手机、电脑影响大不大？厂商说成本涨了所以要涨价，是真的还是找借口？
回答： 这是个很现实的问题。DRAM涨价对终端产品的影响是实实在在的，但可能没你想的那么直接和剧烈。
内存成本在手机总成本中占比通常不超过15%，所以即便DRAM价格大幅上涨，分摊到手机售价上影响相对有限。厂商可能会先压缩自己的利润空间，或者调整产品组合——比如推出内存小一点的版本，或者在其他地方降低成本。
对电脑，尤其是高端游戏本和台式机，影响可能更明显些。因为这些产品内存配置更高，且用户对性能敏感，厂商转嫁成本的空间更小。
至于厂商是不是找借口，这波涨价确实有扎实的背景。AI爆发导致服务器级内存需求激增，三大厂又都把资源投向利润更高的HBM-3。
普通DRAM产能增长受限，2026-2027年非HBM位元供给年增率可能低于12%-3。供需失衡下，价格自然上去了。
不过消费者也不用太焦虑。电子产品价格受多种因素影响，包括屏幕、芯片、电池等。而且市场有竞争，一家厂商大幅涨价，可能会给竞争对手机会。
网友C提问： 国内的长鑫存储能做到18.5nm，和国际大厂的差距到底有多大？咱们国产DRAM有机会弯道超车吗？
回答： 这是个让人既振奋又清醒的问题。长鑫存储能做到18.5nm工艺的LPDDR5，这确实是了不起的突破-1。但也要看到，国际大厂已经在量产1a、1b节点的产品了-1。
制程上大概有两代左右的差距。这差距意味着更低的成本、更高的性能和更低的功耗。
但“弯道超车”在半导体这种重资产、长周期的行业不容易。不过，国产DRAM确实有一些独特的机会窗口。
当下DRAM技术演进放缓，给了追赶者更多时间。国际大厂面临物理极限，大家都在探索新架构、新材料，某种程度上回到了相对平等的起跑线-8。
国内市场需求巨大，且对供应链安全日益重视，这为国产DRAM提供了宝贵的试错和市场空间。地缘政治因素也让部分客户更愿意尝试国产替代方案。
最现实的路径可能不是“弯道超车”，而是先站稳脚跟，再逐步缩短差距。从利基市场做起，比如物联网、特定工业领域，积累技术和口碑，再向主流市场拓展。
长鑫已经迈出了关键一步，但需要持续投入和耐心。半导体行业没有捷径，但中国市场和应用创新的优势，可能是国产DRAM最大的“超车”助力。
