深圳华强北的存储商户们搓着手，看着一天几个价的内存条感叹：“这波行情，比炒股还刺激。”
AI风暴席卷全球，存储行业正经历前所未有的结构性变革。HBM供应紧张，SK海力士2026年底前的产能已基本被AI大客户锁定-5。
三星内部评估显示，尽管HBM产品单位售价高，但其议价能力弱，利润率只有约30%，而基于1b纳米制程DRAM产能的通用DRAM利润率超过60%-5。
DRAM生产技术从未停止过演进。早在2000年左右，业界就致力于通过降低接触窗和介层洞的纵横比，完成具有自行对准至位元线的节点-1。
几年前，20nm DRAM的成功开发被视为另一场革命的开端，通过蜂窝结构和空气间隙技术，无需极紫外光刻技术就能实现生产-8。
如今的DRAM生产已进入EUV时代。三星、SK海力士都已量产使用EUV光刻机生产的DRAM，美光也宣布将在2024年生产基于EUV的DRAM-3。
与上一代产品相比，EUV技术使相同尺寸晶圆生产的DRAM芯片数量增加25%，功耗降低20%-3。
AI服务器的DRAM用量是传统服务器的三到五倍，彻底改变了市场格局-10。当前存储市场供不应求、价格持续上涨，三星、SK海力士、美光这三大存储芯片巨头采取了截然不同的应对策略-5。
三星计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能下调30%-40%，转而投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产-5。
这决定背后有清晰的利润考量：尽管HBM产品单位售价高，但基于1b纳米制程DRAM产能的通用DRAM产品利润率更高。
三星还将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线，聚焦数据中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X产品-5。
面对同样的市场需求，三大厂商的应对策略显现出明显差异。SK海力士的扩产规划与三星不同，更倾向于提高面向数据中心的DRAM产品需求来提升获利-5。
这家公司在HBM领域市场份额领先，2026年的HBM产能已销售一空-5。SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM月产能从目前约2万片提升至16万至19万片，增幅达8至9倍-5。
美光的战略转向显得更加决绝。美光不仅选择终止移动NAND产品开发，甚至不惜砍掉消费类业务品牌Crucial，将这部分产能重新分配到毛利润率更高的HBM/企业级DRAM产品上-5。
内部财务数据显示，2025年上半年，数据中心存储芯片的毛利率高达42%，而消费级存储产品的毛利率仅为14%-5。
2025年国内存储产业在技术追赶中遭遇外部压力：受美国出口限制政策影响，DRAM产能扩张计划被迫调整，月产能预计较原目标缩减超10%-2。
尽管如此，厂商仍通过低成本量产策略巩固DDR4市场，加速DDR5量产进程，并同步推进HBM3等高端产品开发-2。
市场预测显示，2025年国内厂商在全球DRAM市场出货量占比将达7%，到2027年有望提升至10%-2。
这一目标的实现，不仅依赖于产能扩张，更取决于能否突破设备进口限制、完善本土供应链体系。
DRAM微缩面临多方面挑战：图案化、电容器、电阻/电容以及外围晶体管-3。特征尺寸为16nm且n=8时，面积为2048平方纳米；如果改用14纳米特征尺寸，面积减少23%-3。
这就是为什么缩小特征尺寸如此重要——可以在晶圆上获得更多GB的DRAM。
在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择-5。英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用的是GDDR显存而非HBM显存，直接部署在处理器旁边-5。
业界预测，DRAM产业可能步入“准超级循环”，持续时间可能远超一般的经济景气循环-10。但地缘政治冲突未淡化、全球供应链仍处于重组阶段，这种预期仍存在变数-10。
三巨头产能策略调整映射着市场重心的转移：SK海力士正将通用DRAM月产能提升8至9倍，从2万片增加至19万片-5。
三星把华城园区的闪存产线转为DRAM专用线，而美光直接砍掉消费级存储业务-5。三大厂商的DRAM生产重心已全面转向利润率更高的数据中心与AI服务器市场。
华强北商户们指尖划过的价格曲线，正在记录这场席卷全球的存储变局。
