一位工程师对着电路图挠头，旁边堆着几块废弃的DRAM芯片，他刚发现新到的PSRAM不仅便宜，还解决了产品续航短的老大难问题。
当全球存储市场在2026年步入所谓“超级周期”，内存供应紧张、价格上涨时，人们开始认真寻找DRAM的替代方案-9。
从智能手表到自动驾驶汽车，从家庭路由器到AI服务器，传统DRAM越来越难以满足新一代设备对功耗、容量和成本的综合需求。
DRAM（动态随机存取存储器）确实是现代电子设备的核心组件，但它的一些缺点在特定场景下越来越突出。
传统DRAM需要周期性刷新来保持数据，这个过程消耗能源，并且增加了系统设计的复杂性-1。
尤其是对于依赖电池供电的物联网设备、可穿戴设备来说，这种能耗问题成为产品续航能力的“致命伤”。DRAM的接口设计相对复杂，需要额外的控制器支持，这也推高了系统成本-1。
举个例子，如果你设计一款智能手表，电池容量就那么点大，DRAM的刷新功耗可能会吃掉宝贵的电能，导致用户每天都需要充电。这体验能好吗？说实话，搁谁谁都不乐意。
伪静态随机存取存储器（PSRAM） 正在悄然改变嵌入式领域的存储格局。这种技术有点“聪明”，它内部采用了与DRAM类似的存储结构，但对外部呈现的却是SRAM的简单接口-1。
这意味着开发者可以像使用SRAM那样直接接入微控制器，却不需要设计复杂的刷新控制电路。这样一来，硬件设计门槛大大降低了。
对于像智能手表、蓝牙耳机这类空间受限的设备来说，PSRAM不仅省电，还能简化电路设计-1。目前市场上，英飞凌的TRAVEO系列、恩智浦的i.MX RT系列等都已经提供了PSRAM的解决方案-1。
更令人振奋的是，国产芯片也在这一领域取得突破。紫光国芯推出的PSRAM产品支持业界最高速度400MHz，传输速率提升至1066Mbps-1。
这种DRAM替代方案特别适合那些对成本敏感、又要求较长续航的消费电子产品。像兆易创新的GD32E5系列MCU，就直接集成了4MB的PSRAM，为用户提供了更加便捷的解决方案-1。
在AI和高端计算领域，另一种形式的DRAM替代正在上演。高带宽内存（HBM） 已经成为AI训练和高性能计算的标配-3。
它通过3D堆叠技术，将多个DRAM芯片像多层建筑一样垂直堆叠，通过硅通孔技术实现芯片间的垂直连接-10。
这样做的直接好处是，HBM能够提供传统DRAM难以企及的超高带宽。例如目前的HBM3E单堆栈带宽已达到1.2TB/s，预计HBM4将进一步跃升至2.0TB/s-10。
相比传统DRAM，HBM的能耗比降低了约30-50%-10。对耗电量巨大的数据中心来说，这意味着可观的电费节省。
尽管HBM成本高昂，但在AI芯片中它已成为决定性能上限的关键因素。从英伟达的H100到AMD的MI300系列，几乎所有高端AI加速器都采用了HBM技术-3。
除了PSRAM和HBM，还有其他几种技术也在探索DRAM替代的可能性。高带宽闪存（HBF） 是一种相对较新的概念，它试图结合3D NAND闪存的大容量和HBM的高带宽-5。
今年2月，闪迪首次提出HBF概念，定位为“结合3D NAND容量和HBM带宽”的创新产品-5。
与基于DRAM的HBM不同，HBF是通过堆叠NAND闪存制成的产品。尽管NAND闪存的速度低于DRAM，但它提供了大约10倍的容量-5。
这对于需要处理海量数据的AI应用来说具有特殊意义。想象一下，未来视频生成模型需要处理数TB的中间数据，传统HBM可能容量不够，而HBF通过牺牲部分带宽换取更大容量，正好满足了这类应用的需求-6。
SK海力士与闪迪已经签署了开发HBF的谅解备忘录，预计2026年下半年推出首批样品-5。韩国新荣证券预测，到2030年HBF市场规模将达到120亿美元-5。
像电阻式随机存取存储器（ReRAM） 这样的非易失性存储技术也在快速发展。它能够在断电后保持数据，同时具备低功耗和高速重写的特性-7。
2025年10月，北京大学团队成功研制出基于阻变存储器的高精度、可扩展模拟矩阵计算芯片，将模拟计算的精度提升至24位定点精度-7。
面对这么多选择，如何为自己的项目挑选合适的DRAM替代方案呢？咱们得实际点，看菜吃饭、量体裁衣。
下面的表格从几个关键维度比较了这些技术，帮你快速理清思路：
| 特性维度 | PSRAM | HBM | HBF | ReRAM |
|---|---|---|---|---|
| 主要优势 | 接口简单，功耗低，设计容易 | 带宽极高，能效优秀 | 容量巨大，成本相对较低 | 非易失性，能效高 |
| 典型容量 | 32-512Mb-1 | 单堆栈最高48GB+-10 | 预计可达768GB-3 | 正在快速发展中 |
| 适用场景 | 物联网、可穿戴设备、消费电子 | AI训练、高性能计算、数据中心 | AI推理、大容量存储需求场景 | 边缘计算、特殊环境应用 |
| 成本考量 | 相对较低，适合成本敏感型应用 | 非常高昂，主要用于高端市场 | 预计介于HBM和传统DRAM之间 | 目前较高，但潜力大 |
从市场前景来看，HBM增长最为迅猛。根据预测，2026年全球HBM市场规模将同比增长超70%，到2030年，HBM在DRAM营收中的占比将提升至56%-10。
而对于普通消费者来说，PSRAM可能是最先感受到的DRAM替代技术，因为它已经广泛应用在智能手表、无线耳机等日常设备中-1。
当工程师们为下一代智能手表挑选存储方案时，发现256Mb PSRAM新品已经支持1.8/1.2V双电压和动态变压0.9V的超低功耗模式-1。
与此同时，AI服务器正等待HBM4的量产，其带宽将达到前所未有的2.0TB/s-10。而在实验室里，基于阻变存储器的计算芯片正在将模拟计算精度提升至24位定点-7。
存储技术的多样化竞赛刚刚拉开序幕。
