美光公司一个研发投资计划就是500亿美元，而整个DRAM行业明年的资本支出预计将超过610亿美元，这些钱正在重塑内存技术的未来。
“这玩意儿简直是个吞金兽！”一位在半导体行业摸爬滚打二十年的工程师摇摇头，指着眼前的晶圆厂设计图说道。他口中这个“吞金兽”，正是当今科技界最炙手可热又最烧钱的领域——DRAM研发。
DRAM行业的技术迭代速度快得吓人，为了不掉队，每年都需要投入数十亿美元的DRAM研发费用，这只是保持竞争力的入门券-1。
建一座月产能10万片的先进DRAM晶圆厂，入场费是150亿到200亿美元。这还只是盖厂房买设备的钱，真正的挑战在于后续的技术研发竞赛-1。
美光公司最近宣布了一项计划，准备投入500亿美元用于研发，作为其更大规模2000亿美元投资计划的一部分-2。
这个数字足以让任何人倒吸一口凉气。DRAM研发费用的惊人之处在于，这不仅是建厂的“一次性”投资，更是一场持续的技术军备竞赛。
在AI时代，传统DRAM已经难以满足需求，高带宽内存成为新宠。但每GB的HBM成本是标准DDR5的三倍甚至更多-4。
2026年DRAM资本支出预计将达到613亿美元，比2025年的537亿美元增长14%-3。但这些钱大部分并没有用于扩大产能，而是流向了技术升级。
各大DRAM供应商正在把投资重点转向制程技术升级、高层数堆叠、混合键合以及HBM等高附加值产品-5。
美光在2026年的DRAM资本支出预计达到135亿美元，比前一年增长23%，主要专注于1 gamma制程渗透和TSV设备建置-3。
SK海力士计划支出205亿美元，增长17%，主要用于M15x的HBM4产能扩张-5。三星则投入约200亿美元，聚焦HBM的1C制程渗透-7。
这些巨头为何如此不惜血本地投入？答案藏在AI革命带来的需求变革中。AI服务器对内存的需求正急剧增长，模型权重本身趋近多TB级别-4。
就英伟达H100而言，制造成本的50%以上归因于HBM，而对于Blackwell架构，这一比例更增长至约60%以上-4。
HBM已经成为加速器内存的中流砥柱，客户虽心有不甘，却也只能被迫接受高昂价格，因为若想打造具有竞争力的加速器套件，他们几乎别无选择-4。
这种市场格局为DRAM巨头提供了持续投资的动力。他们的DRAM研发费用看似天文数字，却能换来在AI时代的领先地位和丰厚回报。
面对国际巨头的技术垄断和资金壁垒，中国企业也在DRAM领域寻求突破。长江存储正考虑跨入DRAM生产，并评估生产可作为HBM基础的DRAM Die-9。
这意味着该公司可能直接切入AI时代最关键的高带宽内存供应链，对既有DRAM大厂形成潜在竞争压力-9。
长江存储已开始兴建第三座晶圆厂，目标于2027年投产；同时正扩增第二座工厂产能，试图在境内本土化需求与AI算力爆发推动下，抢占更大市场-9。
虽然中国企业在DRAM研发费用投入上与国际巨头仍有差距，但他们的追赶速度不容小觑。以长江存储的扩张速度，两年内可能成为全球第五大、甚至第四大NAND供应商，同时向DRAM领域延伸-9。
随着摩尔定律在DRAM领域的放缓，业界正在寻找新的突破方向。内存计算、铁电RAM或磁性RAM等新型内存类型，以及即将面世的4F² DRAM和3D DRAM，都可能成为未来的创新方向-4。
对于投资者和行业观察者来说，理解DRAM研发费用的流向至关重要。这不仅仅是数字游戏，更是把握技术趋势、预测市场变化的关键指标。
当前DRAM与NAND厂商普遍面临“无尘室空间不足”问题，仅三星、SK海力士有小幅扩产机会-7。美光则需要等待其美国ID1新厂落成，最快2027年才能有产出-5。
这意味着即使增加资本支出，对2026年的产能贡献也将非常有限，供应紧张局面可能持续。这种背景下，DRAM研发费用的投入效率和方向选择，将直接影响企业的竞争地位和市场表现。
当全球三大DRAM巨头将超过600亿美元投入技术升级时，美光公司的研发投资计划高达500亿美元，单是建设先进工厂的入场券就价值200亿美元-1-2。在晶圆厂的无尘室里，光刻机正以纳米级的精度雕刻着未来人工智能世界的记忆基石。这场研发竞赛没有终点线，只有不断前移的技术地平线。
