深圳华强北的存储商户们盯着屏幕上跳动的价格数字,嘴里念叨着“一天一个价,甚至一天几个价”,这是2025年底存储行业的真实写照-9

全球DRAM市场正经历一场被业内人士形容为“地狱级缺货”的供应危机-5。AI推理需求的爆发让三星、SK海力士和美光三大原厂的产能全线告急-1

而中国的存储芯片自给率在2021年还不足5%-3,面对全球性的缺货涨价潮,提高DRAM自给率已不仅是产业目标,更是应对供应链风险的战略必需。


01 全球短缺,DRAM市场的超级周期

记忆体控制芯片大厂慧荣科技总经理苟嘉章最近指出,AI推理需求爆发,全球记忆体市场已经进入“结构性缺货”阶段-1

他预测,2026年DRAM市场将缺货一整年-1。这不是普通的供需波动,而是一场由AI推动的产业变革。

三大DRAM原厂SK海力士、三星和美光的产能已被扫光-8。SK海力士甚至直接宣布“2026年产能已全数销售”-8

市场缺口从原本预估的七、八成扩大到一倍,这供应紧张的状况恐怕要持续到2027年下半年才会有所缓解-8

价格方面更是惊人,按原厂混合产品平均单价计算,三星2026年DRAM平均售价年增幅可能达84%,SK海力士约75%-5

这波涨价潮背后是原厂定价策略的根本转变,他们现在都以至少60%毛利率作为定价底线-5

02 自给现状,中国DRAM的追赶之路

说到中国的DRAM自给率,不同机构的数据差异还挺大。摩根士丹利预测,2024年中国半导体自给率大概在22%左右-2

但半导体存储器细分领域情况不同,湘财证券的数据显示,2021年国内存储芯片市场规模约450亿美元,自给率还不到5%-3

长鑫存储是中国DRAM产业的主力军。这家企业主攻DRAM内存,目前已能量产DDR5内存,技术水平基本与三星等国际大厂处于同一水准线-10

他们最新的产品采用了16纳米技术,而更先进的15纳米制程技术也已在开发中,目标是在2025年内完成开发-10

从零起步到技术追赶,中国存储芯片企业只用了不到十年时间。2017年前,中国完全没有DRAM、NAND芯片的生产能力,全部依赖进口-10

直到2017年,长江存储推出国内首款NAND闪存芯片,长鑫存储推出国内首款DRAM芯片,中国才算在存储芯片领域有了自己的产品-10

03 未来预测,自给率提升的曲折前景

关于中国DRAM自给率的未来预测,市场上存在不同的声音。外媒报道称,目前中国存储芯片厂商已经可以满足国内1/3的存储芯片需求-10

更有预测指出,到2026年,也就是两年内,中国存储芯片自给率可能达到50%左右-10。这意味着只有约一半的存储芯片需要进口。

摩根士丹利则相对保守,他们认为中国半导体自给率到2026年可能升至25%-2。这一预测基于几个因素:消费及工业需求疲弱、逻辑芯片突破有限,以及中国存储器厂面临美国的严格限制-2

另一份预测显示,到2027年,中国DRAM内存芯片的自给率可能达到26%-4。这个数字看似不高,但差不多相当于美光在全球内存市场的份额水平-4

从各机构综合数据看,中国芯片自给率近年确实在稳步提升:2018年约5%,2020年约16.6%,2021年约17.6%,2022年约18.3%-2

04 挑战重重,自给率提升的障碍

中国提高DRAM自给率面临不少挑战。半导体行业专家指出,从芯片设计、生产到封装,中国都取得了一定成绩,但关键瓶颈在于材料、设备和软件等环节-2

这些领域目前几乎都由欧美日等国家主导-2。江芳韵认为,要在五到十年内实现大幅改善非常困难-2

美国及其盟友对中国的半导体相关出口限制也给自给率提升增加了难度-2。2023年中国进口半导体晶圆数量较2022年下降10.8%,进口金额减少15.4%-2

供需结构的错位也是一个问题。随着大型厂商将更多资源从成熟节点转向AI专用内存产线,导致一般用途的内存供给被压缩-8

以服务器使用的DDR5为例,部分订单只能达成约七成的交货比例-8。这种产能转移进一步加剧了供应紧张。

05 产能竞赛,国际巨头的战略布局

面对DRAM市场的变化,国际巨头们也在调整战略。三星最近计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能下调30%-40%,转而投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产-9

这一调整每月可新增约8万片晶圆产能-9。三星还将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线,聚焦数据中心所需的大容量DDR5产品-9

SK海力士则计划明年将第六代10纳米DRAM月产能从目前约2万片提升至16万至19万片,增幅达8至9倍-9。这部分产能将占其DRAM总产能的三分之一以上-9

美光的战略调整更为彻底,他们不仅终止移动NAND产品开发,甚至砍掉了消费类业务品牌Crucial-9。计划将所有产能和研发资源全力投向数据中心市场-9

这些国际巨头的战略调整,既反映了市场趋势的变化,也给中国存储企业带来了新的竞争压力。

06 突破路径,中国存储产业的机遇

尽管面临挑战,中国存储产业仍有突破的机会。长江存储就是一个成功例子,他们主攻3D NAND闪存,从64层逐步提升至128层,更成为全球第一家推出232层3D NAND闪存的厂商-10

长江存储的混合键合技术甚至引来了三星的注意,据报道,三星已经和长江存储达成了专利合作,要使用这项技术-10

在利基型DRAM市场,中国也有发展机会。受下游物联网设备、WIFI-6、可穿戴设备等需求带动,这一市场持续景气-3

供给端方面,韩系大厂计划逐步退出DDR3供给,而2022年其余新增产能供给尚未大幅放量,这导致供需趋于紧俏-3。价格预计呈平稳态势,而产线放量叠加本土化替代可能助推国产DDR3出货上行-3

中国在半导体设备领域的自给率正在提高,预计到2026年将达到36%左右-7。这将为存储芯片生产提供更好的设备和材料支持。


华强北的商户们依然在为拿货发愁,全球DRAM市场的“超级周期”还在持续-6。中国DRAM自给率的提升之路虽然曲折,但长鑫存储的DDR5已经量产-10,长江存储的232层NAND技术甚至吸引了三星的合作-10

当全球存储巨头纷纷将产能转向利润更高的数据中心市场时-9,中国存储产业正努力在全球供应链中寻找自己的位置。未来几年,DRAM自给率的数字变化将直接反映出这场技术突围战的成果。

网友提问与回答

网友“科技观察者”提问:听说全球DRAM缺货会持续到2027年,这对中国市场会有什么具体影响?我们普通消费者买电脑手机会更贵吗?

答:这位朋友问得特别实在,这波全球DRAM缺货潮对咱们中国市场的影响还真是多方面的。从行业角度看,苟嘉章预测这波缺货得持续到2027年下半年才可能好转-8,这意味着未来两年多时间里,所有用到DRAM的产品都会面临成本压力。

对于普通消费者来说,最直接的感觉可能就是电子产品价格会上涨。三大DRAM原厂三星、SK海力士和美光现在都把毛利率底线定在60%以上-5,这个成本最终肯定会转嫁到终端产品上。特别是智能手机和笔记本电脑,这些设备对内存容量需求越来越大,成本压力也就更明显。

不过也有分析师指出,受冲击最大的可能是低阶终端装置和车用应用-8。因为这些领域采购量小,议价能力弱,可能会面临抢料无门、成本大增的困境,甚至不得不降低规格来维持生产。

从积极角度看,这场全球缺货也可能加速中国DRAM自给率的提升。外媒预测两年内中国存储芯片自给率可能达到50%-10,如果这个目标能实现,将在一定程度上缓解进口依赖,稳定国内市场供应。

网友“产业分析师”提问:中国DRAM技术与国际领先水平还有多大差距?长鑫存储真的能追上三星、海力士吗?

答:这个问题涉及到中国半导体产业的核心竞争力,咱得客观分析。从技术节点看,长鑫存储已经能量产DDR5内存,采用了16纳米技术-10,而三星、SK海力士和美光已经在推进更先进的制程。

但差距正在缩小。长鑫存储的15纳米制程技术已在开发中,目标是在2025年内完成-10。SK海力士计划明年将1c DRAM月产能提升8到9倍-9,这说明先进制程的竞争正在白热化。

真正的差距可能更多体现在产能规模和生态布局上。三星、SK海力士和美光控制着全球绝大多数DRAM产能,而且他们正在将产能集中转向利润更高的HBM和先进DRAM产品-9。这种规模优势不是一朝一夕能追赶上的。

但中国存储企业也有自己的优势。长江存储的混合键合技术已经引来了三星的专利合作请求-10,这说明在某些细分领域,中国技术已经达到了国际先进水平。再加上国内市场的支撑和政策的支持,中国存储企业完全有可能在部分领域实现突破。

追赶之路不会一蹴而就,但技术差距确实在逐渐缩小。湘财证券的报告标题很有意思:“DRAM芯片本土化替代进程曲折、前途光明”-3,这八个字很准确地描述了中国DRAM产业的现状和前景。

网友“投资爱好者”提问:从投资角度看,中国提高DRAM自给率会带来哪些产业机会?哪些环节可能最先受益?

答:从投资角度分析中国DRAM自给率提升的机会,这确实是个值得探讨的话题。首先最直接的受益者当然是存储芯片制造企业本身,比如长鑫存储和长江存储-10。随着自给率从不足5%向26%甚至更高目标迈进-3-4,这些企业的产能利用率和市场份额都有望提升。

但更有趣的机会可能在上游环节。半导体设备领域预计到2026年自给率将达到36%左右-7,而设备是存储芯片生产的基石。随着中国存储产能扩张,对国产设备的需求肯定会增加,这是个确定性的增长方向。

另一个值得关注的环节是存储芯片设计。湘财证券报告提到,本土化替代叠加产线放量可能助推国产DDR3及DDR4系列产品中短期出货及业绩上行-3。利基型DRAM市场由于韩系大厂逐步退出DDR3供给,而新增产能尚未大幅放量,供需趋于紧俏-3,这给国内设计企业提供了机会。

从更宏观的产业链角度看,随着中国DRAM自给率提高,整个存储模组、测试封装等环节都会受益。台湾作为全球存储模组及代工重镇,虽然面临供应变化,但机会与挑战并存-8

对于投资者来说,关键是要区分短期周期波动和长期趋势。当前DRAM市场确实处于“超级周期”-6,价格上涨,企业盈利改善。但长期看,中国提高DRAM自给率是明确趋势,这将重塑全球存储产业格局,也会带来一系列投资机会。