三星半导体生产线上机械臂精准地放置芯片，这个曾经失去王座的老牌巨头，在2025年第四季度打了一场漂亮的翻身仗。
三星在去年第四季度录得最大季度营业利润之际，时隔一年重新夺回了全球DRAM市场份额第一的位置，对SK海力士实现逆转-4。
根据市场研究公司Counterpoint Research发布的数据，三星去年第四季度从其存储半导体业务中获得了259亿美元的营收，其中DRAM营收为192亿美元-4。
而SK海力士的总存储营收为224亿美元，其中DRAM为171亿美元-4。这一变化标志着三星重新夺回了一年前被SK海力士占据的DRAM市场份额第一的宝座。
全球DRAM市场的竞争格局在2025年经历了剧烈波动。从季度数据来看，这场排名争夺战充满了戏剧性。你可能不知道，三星曾保持DRAM市场第一的位置约30年，直到2024年第四季度首次将领导地位让给SK海力士-4。
2025年第一季度，全球DRAM产业营收环比下滑5.5%至270.1亿美元-5。当时SK海力士以36%的市场份额位居第一，三星的市场份额则下滑至33.7%-5。
转机出现在第二季度，全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高-2。
当时SK海力士继续领跑，市场份额达到38.2%，而三星为33.5%-2。排名争夺的背后，是技术路线与市场策略的较量。
目前全球DRAM市场由三大巨头主导：三星、SK海力士和美光。这三大厂商可以说垄断了全球的DRAM市场，2025年第三季度份额合计高达92%-7。
你发现了吗？这三家公司选择了三条不同的发展道路。三星在HBM芯片上暂时未能超越SK海力士，于是调整策略，将重点转向DDR等通用DRAM内存。
有消息称，三星计划减少部分HBM3E产能，扩大DDR内存供应-7。这种侧重于通用市场的策略，在2025年下半年显现成效。
SK海力士则因在HBM领域取得领先而采取不同策略。目前HBM是其最核心的业务板块，公司明确表示将聚焦于数据中心、AI和企业级产品-7。
美光选择了第三条道路，与三星的路线有些相似但侧重点不同。美光不惜调整消费类品牌业务，也要转向满足数据中心和企业级需求-7。
HBM技术的崛起是影响dram芯片世界排名的关键变量。毫不夸张地说，谁能掌握HBM技术主导权，谁就能在排名争夺中占据先机。
根据TrendForce数据，DRAM市场的HBM比例从2023年的8%扩大到2025年的33%-6。这一增长主要由人工智能需求驱动。
几乎所有HBM产品都用于人工智能领域，具体来说是用作AI芯片模块的主存储器-6。英伟达、AWS、谷歌和AMD这四家自主研发AI芯片的公司占据了HBM需求的95%-6。
目前2025年的主流产品是HBM3E，而到2026年，堆叠的DRAM芯片数量预计将从8个增加到12个-6。HBM技术的快速迭代正在重塑DRAM产业的竞争格局。
DRAM市场的价格波动极为剧烈，这也是影响各厂商营收排名的重要因素。2025年第一季度，一般型DRAM合约价下跌，加上HBM出货规模收敛，导致DRAM产业营收环比下滑-5。
但情况在第二季度发生逆转。随着PC OEM和智能手机厂商陆续完成库存去化，并积极在美国对等关税90天宽限期内生产整机，带动了位元采购动能升温-5。
价格上涨趋势在2025年下半年变得尤为明显。据报道，主要内存供应商在第四季度继续向客户调整报价，包括DRAM和NAND在内的存储产品价格上调高达30%-6。
存储芯片行业正加速迈入“超级周期”已成为市场共识。存储模组大厂威刚董事长判断，第四季度仅仅是存储严重缺货的起点，2026年存储产业将继续处于供货吃紧状态-6。
在全球DRAM竞技场上，除了三大巨头外，还有一些值得关注的追赶者。南亚科技和华邦电子在2025年表现亮眼，主要受益于头部原厂DDR4产能快速减少与应用升级缓慢造成的供需结构失衡-2。
2025年第二季度，南亚科技DRAM销售收入环比增长54.8%至3.43亿美元，市场份额1.1%-2。华邦电子同期销售收入环比增长24.1%至1.83亿美元，市场份额0.6%-2。
中国存储供应商同样受益于传统DRAM的涨价效应，随着产能和供应的快速增长，以满足国内市场日益增长的需求，预计其市场份额在2025年内将持续扩大-2。
特别值得注意的是，国内DRAM内存芯片龙头企业长鑫存储（CXMT）在2023年成功自主研发出国内首款LPDDR5内存芯片，达到国际领先水平-1。这些新兴力量的崛起可能在未来改变dram芯片世界排名的格局。
展望2026年，DRAM市场将面临新的变局。据预测，2026年HBM占DRAM销售额比重将进一步扩大至41%-6。这意味着HBM技术将继续成为影响排名的决定性因素。
对于DDR5产品，数据传输速度为6400MT/s的型号将在2025年成为主流，而速度为7200MT/s至8800MT/s的更高速型号计划于2026年下半年开始量产-6。
价格走势方面，2025年HBM和DDR系统的DRAM价格均上涨或持平。但到2026年上半年，随着产能配置重回DDR系统，维持价格的能力可能会减弱-6。
即使是HBM系统，随着量产技术的日益成熟，HBM3E产品的制造成本下降，业内也担心2026年初价格将会下跌-6。这种价格波动将直接影响各家厂商的营收表现和市场份额。
当三星生产线上机械臂再次高速运转时，整个DRAM市场的神经都被牵动着。 市场排名第一的宝座刚被夺回，AI服务器需求已经推动HBM3e芯片价格季度环比上涨约30%。
随着2026年HBM4芯片进入量产，这场围绕dram芯片世界排名的技术战争，才刚刚升温。三大巨头92%的市场垄断率下，中国长鑫存储的LPDDR5芯片已经悄然进入全球供应链。
网友“芯片观察者”提问： 我是一个电子产品爱好者，最近想升级电脑内存。看到文章里说DRAM市场变化很大，想知道这些行业波动对我们普通消费者买内存条、手机这些产品有什么实际影响？应该现在买还是再等等？
这位朋友问得很实在！DRAM行业波动确实会直接传导到消费端。从目前趋势看，2025年下半年DRAM价格整体呈上涨趋势，主要厂商都在第四季度调高了报价-6。
如果你现在急需升级，中低端DDR4内存可能还有性价比，因为头部厂商正在将产能转向更先进的DDR5和HBM产品-7。但如果你能等到2026年中下旬，情况可能会有变化。
预计到那时，随着厂商产能重新调整和HBM3e技术成熟，消费级DRAM价格压力可能会减小-6。不过也要注意，行业预测2026年DRAM可能仍会缺货-7。
对于手机这类整机产品，其价格受多种因素影响，存储成本只是其中一部分。但高端机型如果采用更多HBM相关技术，价格可能会更高。建议根据自己实际需求和预算做决定，如果不是特别紧急，可以关注2026年第二季度的市场情况再出手。
网友“科技前沿追踪者”提问： 文章提到HBM技术很关键，能否简单解释下HBM和普通电脑内存的区别？为什么它对AI这么重要，会导致市场排名变化？
很高兴你对技术细节感兴趣！HBM和普通内存的主要区别就像专业赛车和家用车的差距。普通DDR内存是“平面”设计，通过主板上的线路与处理器通信，速度有限制。
而HBM采用3D堆叠技术，就像建高楼一样把多个存储芯片堆起来，并通过硅通孔直接与处理器封装在一起，大大缩短了数据传输距离。
HBM对AI至关重要的原因有三点：首先是带宽极大，能快速吞吐AI计算需要的大量数据；其次是能耗更低，这对于数据中心运营成本很关键；第三是空间效率高，在有限面积内提供更大容量。
为什么它会影响市场排名？因为HBM的技术门槛很高，涉及3D堆叠、先进封装和散热等多种复杂技术。SK海力士正是凭借在HBM3e领域的领先，一度超越三星成为市场第一-7。
现在HBM在DRAM市场的价值占比已从2023年的8%增长到2025年的33%-6，谁掌握HBM技术，谁就掌握了高端市场和利润最丰厚的部分。这也解释了为什么三大巨头都在这一领域全力投入。
网友“产业分析师”提问： 从全球供应链角度看，中国存储厂商如长鑫存储在DRAM领域的发展现状和未来前景如何？他们有可能改变目前的三大巨头垄断格局吗？
这个问题很有深度！中国存储厂商确实在DRAM领域取得了实质性进展。长鑫存储已经在2023年成功自主研发国内首款LPDDR5内存芯片，达到国际领先水平-1。
从供应链角度看，中国厂商目前主要从成熟制程和细分市场切入。当三大巨头将产能转向更先进的DDR5和HBM产品时，留下了DDR4等产品的市场空间-2。
这正是南亚科技、华邦电子等厂商在2025年业绩大幅增长的原因-2。中国供应商同样受益于这种结构变化，同时随着产能和供应快速增长，以满足国内市场日益增长的需求-2。
但要改变目前92%的三大巨头垄断格局-7，中国厂商还需要在几个关键领域突破：一是先进制程技术，尤其是1b纳米及以下工艺；二是HBM等高端存储技术；三是全球客户体系和供应链布局。
短期内，中国厂商更可能先在利基市场和国内供应链中扩大份额。中长期看，随着技术积累和产能提升，有可能在全球中端市场形成竞争力。完全改变垄断格局需要时间和持续投入，但目前的进展令人鼓舞，至少已经打破了“从0到1”的技术壁垒。
