获奖台上灯光聚焦，长江存储高级副总裁劳伟贤接过2025年未来内存与存储峰会最具创新存储技术奖杯时，武汉的这项3D NAND存储器技术正式获得全球行业认可。
2025年8月6日，长江存储宣布晶栈®Xtacking®4.0 创新架构荣获 FMS 2025 最具创新存储技术奖-1。
评奖委员会主席Jay Kramer表示，这项技术实现了“超链接架构”突破，让3D NAND能持续优化性能和密度，为企业级和消费级存储带来前所未有的表现-1。
这项荣誉不是一蹴而就的。从2016年成立至今，长江存储已成为中国大陆规模最大的 NOR Flash 制造厂商，晶圆累计出货量已超130万片-3。
长江存储的获奖技术不简单，晶栈®Xtacking®4.0架构有着实实在在的硬实力。这种架构使3D NAND得以持续优化性能和密度，为企业级、消费级存储应用带来前所未有的优异性能表现和更低的功耗-1。
说实话，这种创新不是花架子。基于该架构的长江存储第五代3D NAND产品，比如X4-9070和X4-6080，分别拥有1Tb和2Tb存储容量-1。
这个容量水平，放在国际市场上也是相当有竞争力的。想想看，2Tb的存储容量意味着什么？普通用户可能不太清楚，但在数据中心和企业级应用中，高密度存储能大幅降低单位存储成本，这是实实在在的经济效益。
更值得关注的是，这项武汉3D NAND存储器技术不仅仅是一个产品，它代表着一整套创新架构。FMS评奖委员会特别强调了其“超链接架构”的创新突破-1。
这个架构厉害在哪？它能让存储单元阵列和外设电路分别在两片晶圆上独立加工，然后通过垂直互联通道合二为一。这样做的好处是显而易见的——性能和密度可以同步提升，而不用像传统架构那样互相妥协。
长江存储的发展轨迹，可以说是一部中国存储芯片的奋斗史。公司2016年7月26日正式成立，总部就设在武汉东湖新技术开发区-2。
刚成立时，可能没多少人能想到这家企业能在短短几年内达到今天的成就。但事实是，从2014年项目启动，到2015年实现9层3D NAND闪存测试芯片电气性能验证，再到2016年完成第一代3D NAND闪存测试芯片设计，长江存储的进展可谓迅速-2。
2017年，长江存储成功制造中国首款3D NAND闪存-2。这个突破意义重大，标志着中国在存储芯片领域实现了从零到一的跨越。
到了2019年，搭载自主Xtacking®架构的第二代TLC 3D NAND实现量产-2。仅7个月后，第三代128层三维闪存芯片也研发成功，这是全球首款128层QLC闪存-3。
真是让人眼前一亮！2022年，长江存储成为苹果iPhone14系列闪存供应商-2。想想看，苹果对供应链的要求有多严苛，能进入它的供应商名单，本身就是对技术和质量的最好认可。
当然，发展路上也有挑战。同年，公司被美国政府列入实体清单-2。但这并没有阻止长江存储前进的步伐，反而加速了技术自主创新的决心。
武汉在存储芯片领域的优势，不仅仅只有长江存储。实际上，这里已经形成了相当完整的集成电路产业链。
光谷是全国四大集成电路产业基地之一，以存储芯片等为产业特色-4。这里已经聚集了一批龙头企业，正加速形成从设计、制造、装备到材料、模组等关键环节的产业集群-4。
2025年9月，长江存储三期（武汉）集成电路有限责任公司注册成立，注册资本高达207.2亿元-3。这个数字足以显示各方对武汉存储芯片产业的信心和投入。
距离长江存储仅5公里的华容半导体产业园，正在打造配套服务基地，为长江存储及其他半导体企业提供全方位产业支撑-3。园区总规划面积3000余亩，地处武汉都市圈核心区域-3。
这种产业集群效应非常明显。园区周边10公里范围内集聚了长江存储、华星光电、三安光电等“光芯屏端网”行业龙头企业，形成了完整的产业链生态圈-3。
还有更多企业在这片热土上成长。比如新存科技，这家2022年7月在武汉成立的企业，专注于新型存储芯片的研发-7。2024年10月，公司自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世-4。
说到武汉的存储技术，很多人可能只想到长江存储的3D NAND。但实际上，武汉的存储技术布局更加多元化。
新存科技的NM101芯片采用创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理-4。这款芯片容量达到64Gb，支持随机读写，存储时读、写均比当时国内同类产品提速10倍以上，寿命还增加了5倍-4。
使用NM101芯片制造的硬盘，存入一部10GB的高清电影仅需1秒-4。这个速度，对于普通用户来说可能感知不明显，但在数据中心和云计算场景下，意义就完全不同了。
再看芯连鑫半导体的“三维相变存储器研发及产业化项目”，这是武汉集成电路产业的又一重要拼图-6。项目聚焦于突破现有存储技术瓶颈，专注于新型存储器PCM的解决方案-6。
三维相变存储器有什么特别？它能在AI算力网络、数据中心、智能汽车领域等方面提供有力支撑-6。随着人工智能和大数据需求的爆发，这类新型存储器的市场前景非常广阔。
微电子所中科新芯三维存储器研发中心与武汉新芯集成电路制造有限公司的合作，也是武汉3D NAND存储器技术发展的重要组成部分-5。这种产学研合作模式，为技术创新提供了源源不断的动力。
长江存储首席科学家霍宗亮博士在获奖时表示：“长江存储志在成为存储技术的领先者、全球半导体产业的核心价值贡献者。”-1
这个目标看似宏大，但从实际发展来看，并非遥不可及。随着第五代294层3D TLC NAND闪存开始出货，以及与三星电子签署混合键合技术专利许可协议-2，长江存储已经具备了与国际巨头同台竞技的实力。
武汉3D NAND存储器技术的进步，对普通消费者意味着什么？最直接的感受可能是，我们买到的固态硬盘价格更合理了，性能也更好了。长期来看，国产存储技术的崛起，能打破国外企业的垄断，让全球市场有更多选择。
对于产业而言，武汉的存储技术集群正在改变全球供应链格局。从完全依赖进口，到自主创新并参与国际竞争，这条路中国存储芯片产业走了很多年。
随着长江存储三期的落地，华容半导体产业园将充分发挥区位优势，助力湖北省打造“光芯屏端网”万亿级产业集群-3。这个目标，正在一步步变为现实。
长江存储的晶栈®Xtacking®4.0架构刚在国际上拿了奖，第五代3D NAND产品就迅速跟上-1。武汉的半导体园区里，生产线日夜运转，最新研发的三维堆叠芯片已经能在一秒内存入一部高清电影-4。
从实验室到国际领奖台，这家武汉企业的3D NAND存储器技术正在重新定义存储密度与速度的平衡。周边产业园区迅速配套崛起，形成国内少有的完整存储芯片产业链-3。
全球数据存储需求每两年翻一番，而武汉的芯片产能已经突破130万片晶圆。存储芯片的国产化率从个位数稳步上升，国际采购订单开始主动寻求长江存储的供货合约-2。
