一条完全采用国产设备的试验生产线在武汉悄然推进，长江存储的技术团队正在这里测试中国半导体设备的极限。
长江存储第五代3D TLC NAND芯片已经投入量产，这款采用创新的双层堆叠技术实现等效294层结构的产品，标志着长江存储在技术层面达到了新的高度-1。
截至2024年底，公司月产能已接近13万片晶圆，占全球NAND供应总量约8%-1。
长江存储3D NAND芯片的量产进程没因外部压力而停滞。自2022年底被美国列入实体清单后，这家中国企业反而加快了自主研发的步伐。
市场研究机构Counterpoint的数据显示了一个令人惊讶的趋势：2025年第一季度，长江存储在全球NAND出货量中的份额首次达到了10%-2。
进入第三季度，这一数字进一步提升至13%，直追排名全球第四的美国美光科技-2。
行业分析师们开始认真讨论一个可能：到2026年底，长江存储或许能实现占据全球NAND市场15%份额的目标-1。
这个目标如果实现，将意味着这家中国公司超越日本铠侠，逼近韩国SK海力士的地位-2。
长江存储近期推出的新一代存储半导体堆叠层数约达270层，接近三星电子水平-2。这一突破让竞争对手感到意外。
有业内人士评价“没想到技术竟提升到这种程度”-5。
这种进步的背后是长江存储独特的“晶栈”架构。该架构将存储阵列和外围逻辑电路分别设计制造，然后通过混合键合技术结合成一个整体-3。
最新Xtacking 4.0版本中，铜-铜直接键合的对准精度已提升至次微米级别-7。
2025年9月，权威机构TechInsights确认长江存储已成功实现267层3D NAND TLC芯片的规模化量产-7。更令人瞩目的是，长江存储已经紧锣密鼓地布局300层以上的技术-7。
经过九年积累，长江存储在2025年首次完整披露了全方位存储解决方案和生态建设-8。
公司的产品线分为三个主要方向：嵌入式产品线、消费级产品线和企业级产品线-8。
针对AI手机市场，长江存储推出了UFS4.1产品，容量从256GB到1TB，厚度最薄仅0.85毫米，非常适合折叠手机-8。
面向PC市场，全新旗舰产品PC550支持PCIe 5.0，性能达到10GB/s，兼容主流AI PC平台-8。
在企业级领域，基于Xtacking 4.0架构的PCle 5.0产品PE511性能较上一代提升100%，提供16T、32T大容量选项-8。
面对设备进口限制，长江存储采取了一项战略举措：建设完全使用国产设备的试验生产线-1。这条生产线预计在2025年下半年开始试产-4。
长江存储在中国半导体设备国产化方面已经走在前列。摩根士丹利估计其国产设备采用率已达到45%，远超全国平均值和其他主要国内晶圆厂-9。
相比之下，中芯国际等国内其他芯片制造商的设备国产化率仅在15%-27%之间-9。
长江存储的国内供应商包括中微公司、北方华创等一批实力企业-4。尽管在先进曝光设备方面仍需进口，但在蚀刻和沉积工具领域，中国企业已经能够提供世界一流的产品-9。
长江存储的扩张之路面临多重挑战。美国2022年规定禁止向中国输出可用于制造128层以上3D NAND闪存的设备-1。
尽管长江存储通过串堆叠技术成功绕过这一限制，但先进设备的获取仍然受限。
试验生产线的良率和稳定性尚待验证-4。与中国、美国、日本或欧洲的同类产品相比，中国工具的良率普遍较低-9。
价格优势是长江存储拓展市场的重要武器。中国生产的NAND比其他国家的产品便宜10%-20%-2。
国际半导体产业协会分析指出，即使受到美国限制，中国厂商的良品率仍在增加。如果价差持续存在，采用中国存储产品可能成为“必然趋势”-2。
随着长江存储3D NAND芯片量产规模持续扩大，全球存储市场格局正在悄然改变。中国品牌笔记本电脑和智能手机越来越多地采用长江存储的产品-2。
一条完全由国产设备组成的试验生产线在武汉加紧准备，工作人员正在调试机器，目标是在2025年下半年开始试产-4。
试验室外，长江存储的普通生产线正满负荷运转，每月处理着近13万片晶圆-1。这些晶圆经过数百道工序，最终变成广泛应用于手机、电脑和数据中心的存储芯片。
全球存储市场的价格波动，第一次与中国一家公司的产能规划紧密联系在一起。
