在北京科博会展台上，指甲盖大小的芯片旁标注着“128层”的字样，这枚由紫光集团展示的第三代三维闪存芯片，正悄然改变中国在全球存储市场的地位。
紫光集团旗下的紫光宏茂微电子已经成功实现大容量企业级3D NAND闪存芯片封测的规模量产-6。从2018年4月开始建设全新3D NAND封装测试产线，到产品通过客户验证并正式交付紫光存储用于企业级SSD，这家公司仅用了半年多时间就完成了从无到有的突破-6。
紫光集团的3D NAND闪存芯片起步并不算早，但进展却颇为迅速。目前紫光已经推出了第三代三维闪存芯片，实现了128层的堆叠技术-5。
要知道，在3D NAND领域，层数就像是摩天大楼的高度，直接决定了存储容量和性能。紫光在这方面的进展，标志着中国企业在闪存技术上正迎头赶上。
封装测试是芯片制造的关键环节，而紫光宏茂微电子在这方面取得的突破尤为重要。该公司不仅拥有经验丰富的技术团队和先进的生产工艺，还具备汽车电子质量体系认证及十余年的车规产品生产经验-6。
紫光宏茂原本是台湾南茂科技的全资子公司，2017年6月被紫光集团收购，成为其最大股东并实际主导经营-6。这一收购现在看来颇具战略眼光，使紫光集团在存储芯片领域形成了更完整的产业链布局。
经过战略调整和转型，紫光宏茂目前重点发展存储器的封装与测试，可为客户提供多样化的封测解决方案-6。紫光宏茂已成为全系列存储器封测的一站式服务提供商-6。
从产品线来看，紫光集团的3D NAND闪存已经开始应用于企业级SSD产品-6。这对于推动国产化存储解决方案在关键领域的应用具有重要意义。
企业级SSD市场对可靠性和性能要求极高，紫光3D NAND闪存能够进入这一领域，本身就说明了其技术实力。这些芯片将主要应用于需要大容量、高速度存储的场景。
特别是在当前AI和大数据应用日益普及的背景下，存储需求呈现爆发式增长。企业级存储市场成为各大存储厂商竞相争夺的高地。
紫光集团的闪存芯片不仅面向消费级市场，更重要的是瞄准了企业级和工业级应用。该公司已具备汽车电子质量体系认证，这意味着其产品有望进入要求更为严苛的车规级市场-6。
紫光集团的存储战略并非孤立存在，而是与其整体芯片产业布局紧密结合。除了3D NAND闪存，紫光还在DRAM等领域有所布局，形成了相对完整的存储产品线。
紫光集团已构建了覆盖半导体及数字经济全产业链的战略布局-1。这种全产业链的布局有助于形成技术协同和成本优势。
在2025年北京科博会上，紫光集团集中展示了超过100颗芯片产品-5。这种全面的产品展示，反映出紫光在芯片领域的多元化布局和技术积累。
尽管紫光在3D NAND闪存领域取得了显著进展，但面临的挑战也不容小觑。全球存储市场竞争激烈，国际巨头在技术积累和市场占有率上仍具有明显优势。
从技术层面看，128层堆叠虽然已经达到行业主流水平，但领先厂商正在向200层以上迈进。紫光需要持续加大研发投入，保持技术追赶的速度。
另一个挑战来自市场需求的变化。随着AI应用的普及，对存储性能和容量提出了更高要求。紫光的3D NAND闪存需要不断优化，以适应这些新兴应用场景的需求。
当紫光的企业级3D NAND闪存芯片开始规模化交付，这家中国半导体企业已经不再只是市场的追随者-6。 在全球存储芯片的版图上，紫光正从技术突破向产业生态构建迈进，其产品出现在更多企业级SSD中的同时，一条从芯片设计到封装测试的完整国产存储产业链正在形成。
随着更多搭载国产闪存芯片的存储设备投入使用，中国在全球数据存储领域将拥有更多话语权。
网友“芯片爱好者”提问： 紫光的3D NAND闪存和国际大厂相比，到底处于什么水平？我们国产芯片还有多大差距？
回答：这是个特别实际的问题！从技术参数上看，紫光已经量产的3D NAND闪存芯片是128层堆叠的第三代产品-5。这个水平在业内算得上是主流梯队了，要知道，全球领先的存储芯片厂商目前最先进的产品也就200多层。
说“差距”可能不太准确，更合适的说法是“发展阶段不同”。国际大厂如三星、美光、海力士等在3D NAND领域起步更早，技术积累更深厚，产能规模也更大。但紫光的追赶速度相当惊人——从建设产线到实现规模量产，紫光宏茂只用了半年多时间-6。
特别值得一提的是，紫光的3D NAND闪存已经应用于企业级SSD-6，这是对产品质量和可靠性的最好证明。企业级市场对存储产品的要求极为严苛，能够进入这个市场，本身就说明紫光的产品已经达到了相当高的水平。
当然，国产芯片要在全球市场取得更大份额，还需要在品牌认知、生态系统和全球供应链方面继续努力。但至少从技术层面，我们已经看到了可喜的突破。
网友“科技观察者”提问： 听说紫光除了3D NAND，还有SeDRAM技术，这两者有什么不同？在AI时代哪种技术更重要？
回答：您观察得很细致！这确实是两个不同的技术方向，但都对AI时代至关重要。简单来说，3D NAND是闪存技术，主要用于长期存储数据，就像电脑的硬盘；而SeDRAM是内存技术，主要用于临时存储和处理数据，就像电脑的内存条。
紫光国芯的SeDRAM技术已经发展到了第四代，通过三维堆叠实现逻辑晶圆与DRAM晶圆的3D集成，能为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽-8。这项技术特别适合处理AI大模型训练中需要频繁访问的海量数据。
那么哪个更重要？答案是两者都不可或缺。在AI计算中，既需要像SeDRAM这样的高速内存来快速处理数据，也需要像3D NAND这样的大容量闪存来存储海量模型和训练数据。
有趣的是，紫光在这两个领域都有布局，形成了完整的存储解决方案。这种全面的产品线布局，使紫光能够为客户提供从高速缓存到大规模存储的全套方案，这在AI基础设施建设中具有独特的竞争优势。
网友“产业分析师”提问： 紫光的存储芯片战略对整个中国半导体产业有什么意义？我们是否正在摆脱对外部供应链的依赖？
回答：您问到了一个非常核心的产业问题。紫光在存储芯片领域的突破，对中国半导体产业的意义可能比我们想象的还要大。
首先，存储芯片是半导体市场中占比最高的细分领域之一，市场份额超过四分之一。在这个核心领域实现自主可控，对整个产业链的安全都至关重要。
紫光宏茂实现3D NAND闪存芯片封测量产，标志着内资封测产业在3D闪存先进封装测试技术上实现了从无到有的重大突破-6。这不仅是一家公司的成就，更是整个产业链的进步。
从供应链安全角度看，紫光的进展确实在减少对外部依赖。特别是在企业级存储市场，紫光的产品已经可以用于构建“100%国产化覆盖”的存储解决方案-3。
当然，完全“摆脱”外部供应链可能还需要时间，全球半导体产业本身就是一个高度分工、相互依存的生态系统。但紫光等中国企业的进步，至少让我们在关键领域有了备选方案，有了议价能力，这已经是一个巨大的飞跃。
更重要的是，紫光的实践为整个中国半导体产业提供了一种可行的发展路径——通过自主研发与国际合作相结合，在重点领域实现突破，逐步构建完整的产业生态。这条路可能不会一帆风顺，但至少我们已经走在了正确的方向上。
