在西安紫光国芯启动北交所上市辅导的背后，一个国产存储芯片自主化的战略布局正在加速铺开，而这一切的核心正是紫AM晶圆厂的产能与技术博弈。
今年1月5日，西安紫光国芯半导体股份有限公司正式启动北交所上市辅导，由中信建投证券担任辅导机构-1。这家公司前身可追溯至2004年德国英飞凌西安研发中心的存储事业部，几经并购重组后，如今成为新紫光集团在DRAM领域的重要棋子-1。
紫光在重庆的DRAM芯片建厂计划曾预计于2022年投产，将大规模生产用于智能手机和其他设备的DRAM芯片-2。但与此同时，紫光国芯却采用了Fabless模式，专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累-6。
紫光国芯的DRAM技术血统可以追溯到德国半导体公司英飞凌。2004年，英飞凌在西安设立研发中心存储事业部，这成为中国DRAM技术的重要火种-1。
两年后，这个部门分拆成为奇梦达科技西安有限公司，而奇梦达曾经是全球第二大的DRAM产品供应商-1。正是这段历史，为紫光国芯积累了宝贵的技术遗产。
2009年，浪潮集团收购了这家公司并更名为西安华芯半导体有限公司-1。六年后，紫光集团旗下紫光国微完成了对西安华芯的收购，标志着紫光正式切入DRAM赛道。
2019年，西安紫光国芯半导体重组并入北京紫光存储科技有限公司-6。经过这一系列并购重组，紫光完成了在DRAM领域从技术到产能的初步布局。
紫光国芯在技术上并没有选择跟随国际巨头的老路，而是瞄准了三维堆叠DRAM这一前沿领域。
公司开发的SeDRAM®技术通过三维堆叠实现逻辑晶圆与DRAM晶圆3D集成，可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽-6。这项技术的优势在于，它能将访存功耗较传统方案降低60%-3。
2025年11月，适配大模型应用的SeDRAM-P300芯片荣获“中国芯”年度重大创新突破产品奖-3。目前，多种基于三维堆叠DRAM的产品方案已成功支持数十款芯片的研发或量产-4。
与常见的IDM模式不同，紫光国芯采用了“设计+委外制造”的Fabless模式-6。这种轻资产模式在NOR Flash等其他存储芯片领域较为常见，在市场需求旺盛、行业竞争激烈情况下更具灵活性-5。
紫光国芯同时也在探索与逻辑晶圆代工厂的协同路径。在三维堆叠DRAM架构中，逻辑晶圆可以采用与存储晶圆不同的制程和工艺技术-9。
目前，紫光国芯已与长电科技、通富微电等合作，形成西安、合肥双基地制造集群-3。这种多元化的制造策略，或许正是应对当前存储市场波动的明智选择。
紫光国芯在车规级存储市场表现突出，其车规级LPDDR4(x)内存已入选《中国汽车芯片创新成果》，年出货量超百万颗-3。
在AI算力领域，公司为华为昇腾、寒武纪等AI芯片提供配套存储方案，支撑千亿参数大模型训练-3。紫光国芯的存储技术已实现多领域规模化应用，从数据中心到边缘终端全面渗透。
目前，公司产品包括DRAM KGD、DRAM颗粒、DRAM模组、系统产品和设计服务，二十余款芯片产品和四十余款模组产品实现全球量产和销售-1。
2025年以来，存储市场出现结构性变革。国际存储原厂将产能大规模转向高密度和高性能产品，导致DDR4/LPDDR4等传统制程产能收缩-9。
根据Counterpoint Research数据，今年以来内存价格已累计上涨约50%-9。这种市场变化为国内存储厂商创造了难得的市场窗口。
紫光国芯2025年上半年实现营业收入7.5亿元，较上年同期增长38.64%；归属挂牌公司股东的净利润568.3万元，同比增长139.54%-5。业绩增长与行业景气度提升密切相关。
紫光的DRAM晶圆厂布局浮出水面时，重庆的制造基地规划已不再是单纯的生产线扩张-2。三维堆叠SeDRAM®芯片在AI服务器需求激增的浪潮下，出货量正稳步提升-3。
当全球存储巨头将产能转向更先进的DDR5和HBM时，中国存储企业正在成熟制程领域悄然构建自己的根据地。紫光国芯启动上市辅导只是一个开始，国产存储的真正突破还在后头。
