看着2026年初DRAM合约价预计飙升55%至60%的行业报告，西安紫光国芯半导体公司里，工程师们加班测试着最新研发的三维堆叠DRAM芯片。
天亮的清晨，西安高新区的写字楼里，紫光国芯的工程师已经拿到了最新的市场数据：2026年第一季度，全球DRAM合约价预计较前一季度上涨55%至60%-2。
这波行情主要由AI服务器与高效能运算需求驱动，北美大型云服务商因AI投资热潮，已经提前锁定大量产能-2。
就在这轮存储芯片涨价潮中，西安紫光国芯半导体股份有限公司在陕西证监局办理了上市辅导备案登记，正式启动北交所IPO进程-1。
2026年开年，存储芯片市场延续了2025年以来的价格飙升趋势。行业分析机构TrendForce预测，2026年第一季度DRAM合约价将环比上涨55%到60%，NAND合约价也会上涨33%至38%-2。
如果算上2025年第四季超过50%的季增幅，DRAM价格在短短半年内平均涨幅可能超过一倍-2。
这波价格上涨的主要原因是AI服务器需求持续升温，全球存储器市场供需结构明显吃紧-2。内存原厂把产能优先配置给AI服务器与HBM等高附加值应用，导致其他应用供应量被压缩-2。
行业数据显示，单台AI服务器的内存需求是传统服务器的8到10倍，这直接推动了HBM市场规模的快速增长-6。256GB DDR5服务器内存价格甚至突破了5万元/条，部分型号逼近6万元，较2024年同期涨幅超过500%-6。
在这个行业风口上，紫光国芯展示了他们的三维堆叠DRAM技术，他们称之为SeDRAM®-4。这项技术为算力芯片提供高达数十TB的访存带宽和数十GB的存储容量，同时访存功耗较HBM方案减少80%以上-4。
这家公司其实有着不寻常的身世，前身是2004年成立的德国英飞凌西安研发中心存储事业部-1。2006年分拆成为独立的奇梦达科技西安有限公司，2009年被浪潮集团收购转制成为国内公司-1。
2015年，紫光集团收购了这家公司，并于2024年6月正式登陆新三板-1。如今，随着紫光集团重整完毕，这家公司踏上了新的发展征程-1。
别看是国产存储企业，紫光国芯的技术实力不容小觑。他们拥有超过600名员工，其中研发工程师占比80%以上，70%拥有硕士或博士学位，还拥有20余位外籍专家和海外留学归国人员-1。
这家公司的业务布局相当全面，核心业务包括标准存储颗粒产品、存储KGD产品、模组和系统产品、定制大带宽DRAM产品和CXL主控芯片产品，以及集成电路设计开发服务-1。
他们的产品已经实现了全球销售，20余款芯片产品和40余款模组产品在全球范围内量产，应用于计算机、服务器、移动通讯、消费电子及工业应用等领域-1。
在车规级存储领域，紫光国芯已经取得了显著进展。他们展示了面向车载应用的大容量车规级存储解决方案，传输速率最高可达4266Mbps，已通过AEC-Q100车规认证，支持-40℃至105℃的宽温工作范围-4。
更重要的是，他们的车规产品年出货量已达数百万颗-1。
2026年1月5日，西安紫光国芯半导体股份有限公司在陕西证监局办理了上市辅导备案登记，辅导机构为中信建投证券-1。
根据紫光国芯发布的《2024年年度报告》，公司2024年营业收入达12.10亿元，同比上涨32.42%，净利润为-0.24亿元，净亏损同比收窄87.74%-1。
从股权结构看，北京紫光存储科技有限公司持有紫光国芯59.63%股份，为控股股东；上市公司紫光国微为第二大股东，持股6.78%-5。
公司融资历程显示，紫光国芯至今共完成4轮融资。最早于2018年10月被紫光存储集团以2.2亿元收购，随后在2025年4月和12月分别实施两轮定向增发-5。
尽管市场行情看好，但紫光国芯面临的挑战也不小。当前行业面临两大核心矛盾：产能排挤效应和技术代差-6。
一方面，HBM产能挤占导致消费级DRAM供应紧缩，智能手机LPDDR5X价格较2024年上涨180%-6。另一方面，HBM4E/HBM5研发需要突破TSV和混合键合技术，国内与国际领先水平仍存在1到2代的差距-6。
技术发展日新月异，DRAM技术节点也在不断微缩。TechInsights报告指出，预计到2027年底，DRAM将迈入个位数纳米技术节点-7。
对于紫光国芯来说，持续的研发投入至关重要。数据显示，紫光国芯2023年、2024年研发投入分别为2.31亿元、1.79亿元，最近两年研发投入合计占最近两年营业收入合计比例为19.34%-1。
紫光国芯的测试实验室内，30余台大型成套测试设备排列整齐，占地2000余平米的空间里，工程师们正在对最新一批车规级DRAM芯片进行可靠性试验-1。公司车规产品年出货量已达数百万颗，这个数字在AI服务器需求推升的存储芯片涨价潮中，可能只是开始-1。
随着2026年DRAM合约价预计上涨55%至60%的市场预期，西安紫光国芯半导体公司办公楼里的灯光，似乎比往常熄灭得更晚了-2。
@长安芯事： 紫光国芯这次IPO，普通投资者值得关注吗？他们的技术到底能不能和国际大厂竞争？
从投资角度，紫光国芯确实有几个看点。财务数据显示公司正处于快速增长期，2024年营收12.10亿元，同比增长32.42%，而且净亏损大幅收窄87.74%-1。这背后是DRAM市场价格上涨的行业红利，2026年第一季度DRAM合约价预计环比上涨55%至60%-2。
技术上，紫光国芯并非从零开始。它的前身是德国英飞凌西安研发中心，有国际技术基因-1。目前公司重点发展的三维堆叠DRAM技术（SeDRAM®），能为算力芯片提供高带宽大容量，功耗比传统HBM方案低80%以上-4。车规级DRAM产品年出货量已达数百万颗，通过了AEC-Q100认证-1。
当然，国内存储芯片企业普遍面临技术代差挑战。HBM等高端存储技术领域，国内与国际领先水平仍有1-2代差距-6。紫光国芯需要持续加大研发投入——好在他们研发团队占比超过80%-1，这是他们追赶的技术底气。
@存储观察者： 现在AI服务器需求这么大，紫光国芯有没有针对性的产品布局？
紫光国芯对AI趋势的反应相当迅速。他们的三维堆叠DRAM技术（SeDRAM®）就是专门为算力芯片设计的高性能存储解决方案-4。
这项技术能提供高达数十TB的访存带宽和数十GB的存储容量，同时大幅降低功耗-4。在AI服务器需求推动存储芯片价格上涨的背景下-2，这种高性能低功耗的产品非常有市场竞争力。
公司还开发了CXL内存扩展主控产品方案，能有效扩展系统内存带宽与容量，支持高性能服务器实现TB级内存突破-8。这些产品直接针对数据中心和AI服务器的需求痛点。
紫光国芯的定制化能力也很强，可以为客户提供从产品定义到量产的“交钥匙”芯片开发服务-1。这种灵活性在AI应用多样化的当下尤其宝贵。
@产业分析员： 国产存储芯片企业现在面临的最大风险是什么？紫光国芯如何应对？
产能排挤效应是当前最直接的风险。由于全球内存原厂将产能优先配置给利润更高的AI服务器和HBM产品-2，导致消费级DRAM供应紧缩，价格大幅上涨-6。这种结构性短缺可能打乱企业的产品规划和供应链。
技术迭代压力同样巨大。DRAM技术节点不断微缩，预计到2027年底将迈入个位数纳米时代-7。紫光国芯需要持续跟进最新工艺，他们的研发投入占比达19.34%-1，显示了对技术追赶的重视。
市场波动风险也不容忽视。存储芯片行业有明显的周期性，当前价格上涨行情能持续多久存在不确定性-2。紫光国芯通过扩展产品线来分散风险，从标准存储颗粒到定制大带宽DRAM，再到车规级产品和设计服务-1，多元布局能增强抗风险能力。
公司的应对策略包括：加强技术研发，保持19%以上的研发投入占比；扩大产能，提高车规产品等高端产品的出货量；通过上市融资增强资金实力，支持长期发展-1。这些举措有助于紫光国芯在波动市场中稳步前行。
