一家中国企业用十年时间，从技术引进到自主研发，在曾被国际巨头垄断的高端存储领域撕开一道口子。
数据中心机房里，服务器指示灯规律闪烁，上千亿参数的AI大模型正在这些机器上日夜训练。每天都有海量数据在这些存储芯片中流动、计算，而其中一部分芯片上，正印着“紫光”的标志。
存储芯片行业的竞争格局一度像一堵密不透风的墙。三星、SK海力士、美光三大巨头曾长期占据全球NAND闪存市场约95%的份额-4。
中国企业要在这块铁板上找到突破口，需要的不仅是资金投入，更是技术创新和产业协同的智慧。
2017年，紫光集团做出了一个关键决定：收购紫光宏茂微电子（原台湾南茂科技子公司），将其转型专注于存储器封装与测试-9。这个看似平凡的举动，实际上是为了填补国内在先进存储封测领域的技术空白。
仅仅半年后，紫光宏茂就完成了3D NAND封装测试生产线的建设与产品验证，2018年11月产品通过客户内部验证，实现大容量企业级3D NAND闪存芯片封测的规模量产-9。
这一突破标志着内资封测产业在3D闪存先进封装测试技术上实现了从无到有的跨越。
紫光集团在存储领域的野心不止于封装测试。其真正目标，是构建从颗粒到系统的完整存储产业链。
新紫光集团旗下核心企业如紫光国芯、紫光闪芯等，已建立了覆盖存储颗粒、KGD产品、模组和系统的完整产品体系-1。
2025年，紫光闪存推出的E5200 PCIe 5.0企业级SSD系列，实现了从主控芯片到存储颗粒的“100%国产化覆盖”，搭载的正是长江存储的3D TLC颗粒-1。
这款产品的性能指标令人印象深刻：顺序读写速率达14.5/11.5GB/s，比上一代PCIe 4.0产品提升100%，随机读写IOPS高达3300K/900K-1。
这意味着什么？简单说，就是能够轻松应对大模型训练中数万次/秒的参数更新需求，为AI计算提供坚实的数据基石。
除了在传统存储领域的布局，紫光集团还选择了另一条技术路线——三维堆叠DRAM（SeDRAM）技术，这被业内视为打破“存储墙”困境的关键创新。
所谓“存储墙”，指的是随着处理器性能飞速提升，内存带宽和容量跟不上而导致的系统性能瓶颈。紫光国芯自主研发的第四代SeDRAM技术，通过三维堆叠实现逻辑晶圆与DRAM晶圆3D集成。
这项技术可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量-1，访存功耗较传统方案降低60%-2。
2025年11月，适配大模型应用的SeDRAM-P300芯片荣获“中国芯”年度重大创新突破产品奖-1。这项技术不仅获得行业认可，更重要的是，它提供了与国际巨头不同的技术路径选择。
技术创新需要产业生态的支持，而紫光集团在这方面的布局堪称全面。“新紫光体系”已经形成了覆盖芯片设计、封测、设备、材料和模组的半导体全产业链-1。
这种协同效应在财务业绩上得到体现。2025年前三季度，紫光股份实现营业收入773.22亿元，同比增长31.41%-1。紫光国微同期实现营业收入49.04亿元，同比增长15.05%；归母净利润5.71亿元，同比暴涨109.55%-1。
在AI驱动存储需求爆发的背景下，紫光集团针对性地推出了多项高性能存储解决方案。紫光国芯的CXL内存扩展主控技术方案已进入产品化阶段。
全系产品旨在满足服务器系统主存容量扩展、带宽扩展等核心需求-1。与此同时，集团旗下的新华三发布的新一代高性能分布式融合存储Polaris X20000，以集群总带宽突破476.752 GB/s的成绩。
在应用层面，紫光集团的存储产品已进入多个关键领域。在智能汽车市场，其车规级LPDDR4内存入选《中国汽车芯片创新成果》，年出货超百万颗，适配特斯拉、比亚迪等车企-2。
在消费电子领域，其LPDDR5X内存模组进入小米14、vivo X100系列供应链-2。这意味着，从数据中心到智能手机，从智能汽车到工业控制，紫光存储技术正全面渗透数字经济各个角落。
夜幕降临时，南京紫光存储工厂的灯光依然明亮，崭新的3D NAND闪存芯片在自动化生产线上流动。工厂外的世界，搭载这些芯片的服务器正默默支撑着一个城市的智能交通系统。
而在更远处，上海紫光宏茂的封测产线准备迎接明天的订单，更多搭载国产3D NAND的固态硬盘将从这里出发。存储芯片上的每一次数据读写，都是中国半导体产业自主创新的心跳声。
