一块小小的闪存芯片，背后是一场耗资数百亿、关乎产业链生死的技术突围战。
武汉市东湖新技术开发区，长江存储规划中的全国产设备试验线上，工程师们正在为2025年下半年的试产做最后冲刺-7。
这条生产线上的设备将不再有熟悉的美国、日本或欧洲品牌标志。自2022年底被美国列入实体清单以来，长江存储获取先进晶圆制造设备的通道被基本切断-4。
市场调研数据显示，2025年第三季度长江存储在全球NAND闪存出货量中的份额达到13%，直逼排名第四的美国美光科技-9。而就在几年前，这个数字还几乎可以忽略不计。
尽管面临制裁，长江存储并未停止产能扩张步伐。2024年底月产能达13万片晶圆，计划在2025年增至15万片-1。
这些产能增长主要得益于其第五代3D NAND闪存——采用294层堆叠架构的X4-9070产品的投产-1。
2025年下半年，长江存储在武汉建设的全国产设备试验线将开始试产-8。这是对美国限制128层以上堆叠技术设备出口的直接回应-1。
据摩根士丹利估计，长江存储的设备国产化率已达45%，远高于中芯国际等国内其他主要晶圆厂-4。
这条试验线的成功与否，将直接影响长江存储能否在2026年底实现占据全球NAND闪存市场15%份额的目标-4。
长江存储的Xtacking技术使其在3D NAND领域具备了独特优势。该技术允许将存储单元阵列和外围电路分别在两块晶圆上制造，然后通过混合键合技术连接-10。
这种创新的架构使长江存储在向更高堆叠层数发展时具有更大的灵活性。公司已宣布成功研发并小规模量产超过200层的3D NAND闪存芯片-5。
实际上，四年前长江存储就已将混合键合技术应用于3D NAND制造，比特密度提升与行业领先水平相当-10。
根据产品路线图，长江存储在2025年晚些时候将推出3D QLC X4-6080产品，2026年则计划量产2TB 3D TLC与QLC产品，接口速度最高可达4，800 MT/s-1。
价格成为长江存储在市场上的一大竞争优势。其NAND产品比其他国家和地区生产的同类产品便宜10%至20%左右-9。
在中国品牌的笔记本电脑和智能手机中，长江存储产品的采用率正在不断增加-9。2025年长江存储预计将占中国NAND消费量的30%左右-4。
2025年9月，长江存储成立了长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，注册资本高达207.2亿元人民币-3。
这家新公司由长江存储和湖北长晟三期投资发展有限责任公司共同持股，后者代表着湖北省、武汉市和东湖高新区三级国资力量-3。
这一动作明确释放了长江存储继续扩大产能和技术升级的信号。若三期项目顺利投产，长江存储的月产能将进一步增加-3。
国产设备在良率和长期稳定性方面仍面临考验。分析指出，与中国、美国、日本或欧洲的同类产品相比，中国工具的良率普遍较低-4。
极紫外光刻（EUV）等关键领域的技术差距依然存在-7。TechInsights报告显示，尽管长江存储的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，但在这些核心设备上的差距可能制约其持续增长-7。
从试验线到大规模量产需要时间，国产设备间的工艺兼容性以及成本控制能力都是需要解决的关键问题-10。
当全球存储芯片市场的版图被三星、SK海力士和美光等巨头长期划分之际，长江存储在武汉的试验车间里点亮了中国第一盏全国产化3D NAND产线的灯光。
从被列入实体清单那天的阴霾，到如今月产能接近全球8%的规模，长江存储在不到三年时间里完成了一场生死突围。那条即将试产的全国产设备生产线，不仅是一条物理上的生产线，更是一条中国半导体产业链的生命线。
