手机开机时那一瞬间的等待，智能手表电量告急的焦虑，背后是两种截然不同的存储芯片在默默角力与合作。
清晨被手机闹钟唤醒，按下智能手表的睡眠监测，这些流畅体验背后，存储芯片的世界正悄然进行着一场技术革命。
2024年，全球专用型存储市场规模已达到135.9亿美元，其中NOR Flash贡献了28亿美元的市场份额-4。而在另一边，DRAM市场更是蓬勃发展，据行业预测2026年DRAM将成为存储市场增长的主要驱动力-7。
半导体存储世界大致可分为两大阵营：易失性存储和非易失性存储。简单说，就是断电后数据消失的和数据能保留的。
DRAM属于前者，它就像是电脑的短期记忆，需要不断刷新才能保持信息；而NOR闪存则属于后者，更像是长期记忆，即使断电也能牢牢记住信息-1。
你可能不知道，虽然NOR闪存在整个存储市场中只占约3%的份额-9，但在某些关键领域，它却是无可替代的。相比之下，DRAM和NAND Flash合计占据了超过90%的市场份额-9，它们是存储世界的主力军。
NOR闪存有个绝活叫“芯片内执行”，这意味着应用程序可以直接在闪存内运行，不必先把代码读到系统RAM中-10。这个特性让它特别适合存储启动代码和固件。
举个例子，当你按下手机开机键时，NOR闪存中的启动代码直接运行，快速引导系统启动。它读取速度快，可靠性高，在中低容量应用时具备性能和成本上的优势-10。
不过NOR闪存也有自己的短板：写入和擦除速度相对较慢，而且存储密度不如它的“兄弟”NAND闪存-5。但正是它的快速读取特性，使其在5G基地台、汽车电子等对稳定性要求极高的领域大放异彩。
随着可穿戴设备的兴起，功耗成为了存储芯片设计的重中之重。传统电子零件的工作电压可能是3.3V或1.8V，但最新应用处理器的最低电压已达1V甚至更低-2。
华邦电子的W25QxxNE系列NOR闪存产品支持1.14-1.30V的超低工作电压-2。与传统的1.8V产品相比，这种1.2V NOR闪存在主动模式下能节省高达33%的能耗-2。
对于智能手表、无线耳机这类对电池续航极为敏感的设备来说，这样的功耗降低意味着更长的使用时间或更小巧的电池设计。1.2V NOR闪存不仅延长了电池寿命，还简化了电源电路设计，减少了对外部电源管理芯片的依赖-2。
汽车正在变得越来越智能，从辅助驾驶到车载娱乐系统，无不依赖高性能的存储解决方案。在这个过程中，DRAM和NOR闪存都找到了新的用武之地。
在辅助驾驶系统中，车规级LPDDR4/4X DRAM能提供4266Mbps的传输速率，满足传感器数据处理的需求-6。而车身短距雷达系统则依赖于车规级NOR闪存，确保在复杂电气环境中稳定工作-6。
特别值得注意的是汽车座舱屏幕对高速NOR闪存的需求，华邦的Octal NOR闪存以其高达400MB/s的连续读取速度，确保屏幕能够快速、稳定地获取显示数据-6。
存储芯片的发展正朝着三个方向前进：高容量、低功耗和小尺寸。对于NOR闪存来说，自驱动车和5G基地台等应用需要至少1GB的容量-5。
由于结构限制，NOR闪存微缩并不容易，目前全球最小的NOR制程只到45纳米-5。然而通过架构优化，新一代产品仍能在性能和功耗上取得显著进步。
华邦电子的W25QxxRV NOR闪存采用58nm技术，读取速度可从104MHz提升至133MHz，页编程时间减少50%，工作读取电流降低约25%-3。这种进步让NOR闪存在工业物联网等应用中更具竞争力。
全球NOR闪存市场呈现出相对集中的竞争格局，前三家企业合计约占市场总规模的63.2%-4。华邦电子、兆易创新和旺宏电子是这个领域的主要玩家。
随着AI技术从云端向边缘端扩展，专用型存储市场预计将以7.1%的复合年增长率持续扩张，到2029年将达到208.2亿美元-4。
在这个过程中，DRAM和NOR闪存都将受益于AI终端的普及。消费类终端设备向AI化转型，对数据处理和存储能力提出更高要求，这将推动专用型存储芯片向更大容量、更高性能方向发展-4。
当智能手表在1.2V NOR闪存的助力下续航延长了三分之一，当汽车辅助驾驶系统依托高速DRAM稳定处理传感器数据，存储芯片的革新正从技术参数表走向每个人的生活。
NOR闪存市场规模虽小，却在关键处发挥着不可替代的作用；而DRAM作为存储领域的主力军，正随着AI浪潮迎来新一轮增长。
那个曾经被市场轻视的NOR闪存技术，如今已是汽车电子、工业控制和可穿戴设备中不可或缺的“闪电侠”。
