华强北的存储商户们摆弄着价格标签摇头叹气，一天一个价，甚至一天几个价的存储芯片行情背后，是三星、SK海力士和美光三大巨头在DRAM先进制程赛道上的生死时速。
内存行业的传统秩序正在被打破，一个前所未有的超级周期正席卷而来-6。
当SK海力士在CES 2026私密展台上骄傲展示16层堆叠、带宽高达11.7Gbps的HBM4时，三星正在后方实验室里为解决1c DRAM的良率问题焦头烂额-9-10。
三星先进技术研究所的最新突破或许能改变游戏规则，他们成功开发出一种新型晶体管，能在10纳米以下节点生产DRAM-5。
这种垂直沟道设计、耐550度高温的晶体管技术，计划用于未来的0a与0b级别DRAM产品-5。三星的工程师们似乎找到了打破物理极限的方法，传统DRAM制程在进入10纳米以下节点后，因物理极限而面临的严峻挑战有望被攻克。
与此同时，存储行业的投资风向标已经明显转变。根据TrendForce集邦咨询的数据，整个DRAM产业2026年的资本支出预计将增长14%，达到613亿美元-3。
但这些钱不再像过去那样主要用于建厂扩产，而是聚焦于制程技术升级、高层数堆栈和混合键合等高附加价值领域-3。
当行业进入这个超级周期，三大存储巨头的战略选择呈现明显分歧。
三星正在执行一次大胆的产能转向——将用于HBM3E生产的1a纳米制程产能下调30%-40%，转而投入1b纳米制程的通用DRAM生产-6。这个决策的背后是残酷的利润率对比：三星HBM3E产品利润率约30%，而基于1b DRAM的通用DDR5产品利润率超过60%-6。
三星面临的困境远不止这些。据报道，其1c DRAM工艺尚未达到60-70%的目标良率，导致无法进入大规模量产阶段-10。
最初三星专注于缩小芯片尺寸以提高产量，但代价是工艺稳定性下降，良率受损-10。现在他们已改变设计，增加芯片尺寸，专注于提高良率，即使成本增加-10。
SK海力士走的是另一条道路。这家公司在HBM领域已占据超过50%的市场份额，2026年的HBM产能甚至已全部售罄-6。他们计划明年将1c DRAM月产能从目前的2万片晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍-6。
更值得注意的是，SK海力士在与台积电的封装合作中取得进展，去年9月已获得全球首个HBM4量产系统-4。他们在清州投资超过20万亿韩元建设M15X晶圆厂，专门生产HBM3E和HBM4-4。
美光的选择最为决绝。这家美国存储公司不仅终止移动NAND产品开发，甚至砍掉消费类业务品牌Crucial-6。根据美光内部未公开的财务数据，2025年上半年数据中心存储芯片毛利率高达42%，而消费级产品仅为14%-6。
美光将未来所有产能和研发资源全力投向数据中心市场，甚至与英伟达签订了为期3年的供货协议，每年至少供应120万颗HBM芯片-6。
即便在存储超级周期中，业内对未来仍持谨慎态度。SK海力士指出了2026年面临的三大关键挑战：价格波动风险、供应紧张和地缘政治不确定性-4。
一些分析师警告，随着竞争加剧和产能扩张，HBM价格可能在2026年后进入调整阶段-4。
市场供应紧张已导致传统DRAM价格近期大幅上涨-4。但有趣的是，HBM3E与DDR5之间的平均售价差距预计将在2026年持续显著缩小-4。
服务器DDR5模块将在2026年成为DRAM市场的第二大支柱，仅次于HBM-4。这种变化反映了AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，相比需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM的生产效率更高，能够更快速响应市场需求的爆发式增长-6。
中国存储厂商的崛起也成为了行业关注焦点。长江存储正考虑跨入DRAM领域，并评估生产可作为HBM基础的DRAM芯片-8。该公司可能在两年内成为全球第五大甚至第四大NAND供应商-8。
先进制程的竞争最终会如何影响普通消费者？ADATA和MSI在CES 2026展示的全球首款4-RANK 128GB DDR5 CUDIMM内存模块提供了线索-1。
这种采用四内存列架构的技术，使单条内存容量翻倍，两颗即可实现256GB容量-1。
更令人印象深刻的是，MSI在一款开发中的主板上将ADATA的DDR5-5600 CUDIMM模块超频至10，000 MT/s，提升了63%-1。这意味着高容量和高性能可以兼得。
这些技术进步正逐步渗透到各类设备中。搭载三星新型晶体管技术的存储芯片预计将从2026年起陆续应用于终端设备-5，为未来设备带来更高的容量与性能表现-5。
当SK海力士的工程师在CES展台上调试16层堆叠的HBM4时，三星的研发团队正为1c DRAM的良率问题寻找解决方案。美光的生产线已经全面转向数据中心市场。
存储行业的战场已经不再仅仅是产能和价格，DRAM先进制程的竞争正在定义AI时代的内存格局，而这场竞赛的终点线，还远未出现在参赛者的视线中。
网友提问与回答网友“芯片爱好者”提问：现在DRAM先进制程发展这么快，对我们普通消费者买电脑、手机有什么实际影响？会不会导致电子产品价格猛涨？
哎呀，这个问题问得特别实在！我跟你讲，DRAM先进制程的发展对咱们普通消费者影响还真不小。首先最直接的就是设备性能提升和容量变大。
就像ADATA和MSI搞出来的那个4-RANK 128GB DDR5内存，单条128GB啊，两根就256GB，这在以前想都不敢想-1。这意味着以后的高端电脑不用插满四根内存条也能获得超大容量，对小型化主机特别友好。
再说手机，三星那个10纳米以下的新型晶体管技术，能实现在更小空间里塞进更多内存颗粒-5。这意味着以后手机可能会有更大运行内存，比如现在顶配16GB，以后可能起步就16GB，顶配到32GB甚至更高。多任务处理会更流畅，应用切换不卡顿。
但是价格方面，确实有点复杂。短期看，存储芯片价格确实在涨，华强北的商家都说“一天一个价，甚至一天几个价”-6。这是因为AI需求爆发，导致供应紧张。但长期来看，技术进步会降低生产成本。
就像SK海力士把1c DRAM良率提升到80%以上-6，良率高意味着成本低，最终产品价格也会更亲民。所以我的判断是：短期可能小幅上涨，长期会回归合理。
另外啊，美光不是把消费级业务都砍了，专注数据中心吗-6？这可能导致消费级DRAM供应减少，进一步推高价格。但三星又在大幅增加通用DRAM产能-6，一减一增，市场会自己调节平衡。
网友“科技观察家”提问：HBM和普通DRAM都在用先进制程，它们之间到底是什么关系？为什么AI芯片那么依赖HBM？
这个问题涉及到现在存储行业最核心的竞争了！HBM和普通DRAM虽然都是内存，但设计理念和应用场景完全不同。
你可以把普通DRAM想象成宽敞的国道，数据像车辆一样在上面跑；而HBM则是直接建在AI芯片旁边的立体高速枢纽，通过TSV硅通孔技术垂直堆叠多层DRAM芯片，实现超高带宽-2。
AI芯片为什么那么依赖HBM？主要是因为AI计算，特别是训练大模型时，需要海量数据高速传输。传统DRAM的带宽跟不上GPU的计算速度，会成为瓶颈。HBM通过堆叠和宽接口，带宽是普通DDR5的十倍以上。
它们与先进制程的关系是这样的：HBM4计划使用最先进的1c DRAM芯片-2，因为单个DRAM芯片的速度和能效决定了整体HBM的性能-7。1c DRAM能在垂直堆叠结构下同时实现节能和速度提升，被认为是HBM4的最佳节点-7。
但有趣的是，现在出现了一个新趋势：AI推理应用开始偏好普通DRAM。像英伟达新发布的Rubin CPX加速器就用GDDR而不是HBM-6。谷歌、OpenAI等公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器-6。
为什么？因为推理对带宽要求没有训练那么极端，而通用DRAM更节能、更经济-6。所以你看，三星一边下调HBM3E产能，一边大增1b纳米制程通用DRAM产能-6，就是预判到这个市场变化。
网友“硬件攻城狮”提问：各大厂商都在拼命推进DRAM先进制程，但制程越小难度越大，目前主要面临哪些技术瓶颈？有没有可能很快遇到物理极限？
这位同行问到点子上了！做硬件的都知道，制程微缩这条路越走越艰难。目前DRAM先进制程主要面临几个大坎：
第一个是良率问题。就像三星的1c DRAM，目标良率是60-70%，但实际没达到，所以卡在大规模量产前-10。他们最初想缩小芯片尺寸，结果工艺稳定性下降，良率上不去-10。现在不得不重新设计，增加芯片尺寸来保良率，即使成本增加-10。SK海力士虽然宣称1c DRAM良率达到80%以上-6，但大规模量产时能否保持还是未知数。
第二个是热管理难题。DRAM制程越小，密度越高，散热越困难。三星开发的那种耐550度高温的新型晶体管-5，就是为了解决这个问题。但在实际应用中，尤其是HBM多层堆叠时，中间层的散热极其挑战。
第三个是功耗问题。有消息称，如果HBM4使用落后一代的DRAM芯片，可能会出现功耗问题-2。这说明制程进步与功耗控制必须同步推进。
至于物理极限，确实越来越近，但总有意想不到的突破。传统DRAM制程进入10纳米以下节点后，本来已经因物理极限而面临严峻挑战-5。但三星的新型晶体管技术，通过垂直沟道设计，沟道长度仅为100纳米-5，找到了继续微缩的可能。
不过我觉得，行业正在调整思路。你看现在的投资重点，不是单纯追求制程数字的变小，而是转向高层数堆栈、混合键合这些三维方向-3。就像盖楼，地面空间有限就往高处发展。
还有，先进封装技术变得和制程本身一样重要。SK海力士加强与台积电的封装合作-4，美光新建的A5工厂主要扩大HBM堆叠能力-6，都是这个思路。
所以我的判断是：单纯制程微缩会放缓，但通过架构创新、先进封装和材料突破，DRAM性能提升之路还会继续走很久。物理极限肯定有，但人类的创意总是能找到新的出路，对吧？
