电脑城柜台后的老李看着手里单日第三次变动的内存条报价单，嘴里嘟囔着“这行情真是活久见”，一边刷新着供应商发来的缺货通知列表。
朋友上周装机，告诉我现在一条32GB的DDR5内存价格比三个月前贵了近一倍，“早知道当时就多囤几根了”成了他反复念叨的话。这种懊悔不只发生在普通消费者身上，连云端服务商也在疯狂抢购资源，北美主要云服务企业采购DRAM时，愿意支付较手机厂商高出五成至六成的溢价-3。
内存市场正经历一场前所未有的结构性变革，AI需求如一头巨兽吞噬着产能，让我们这些普通用户被迫卷入其中。过去的内存市场虽有周期波动，但从没像今天这样疯狂。
2026年的内存市场用“疯狂”形容毫不夸张。根据TrendForce数据，2026年第一季度传统DRAM合約价较2025年第四季度大幅上涨55%至60%-1。
这还不是全部，如果加上2025年第四季度已超过50%的季增幅，DRAM价格在短短半年内平均涨幅恐超过一倍。
这样的涨幅历史罕见。更让人担忧的是，这波涨价似乎看不到尽头。研调机构预测， 2026年是记忆体报价全面爆发的一年，三星2026年DRAM平均售价年增幅可达84%-2。
服务器用DRAM情况更加严峻，预计2026年第一季度涨幅可能超过60%。市场传出三星、SK海力士与美光均以至少60%毛利率作为定价底线，这意味价格上涨空间依然存在。
内存市场的涨价背后，是严重的结构性短缺。这种缺货被业内人士形容为“地狱级缺货”，可能一路延续至2027年底-2。
当前DRAM原厂成品库存仅约四至五周，主要客户端库存约七至九周，市场几乎没有缓冲空间-2。AI服务器需求成为核心驱动力，单台AI服务器内存需求是传统服务器的8-10倍-4。
产能严重向高端产品倾斜。三星、SK海力士及美光三大记忆体原厂，因产能受限、毛利率锁定在六成以上等因素，难以提高供给量-2。 HBM（高带宽内存）的生产完全跟不上需求，美光科技首席执行官透露：“2026年的产量已经全部签约完毕”-6。
内存市场不仅量价齐飞，技术迭代也在加速进行。2026年2月，HBM4将开始大规模生产，这标志着内存技术的重要进步-5。
HBM4带来了显著的性能提升，接口宽度从1024位扩展到2048位，带宽超过2TB/s，比前代HBM3E提高约1.7倍-5。三星和SK海力士控制着全球90%的HBM生产，在AI时代已成为关键的战略资源-5。
与此同时，DDR6的研发也在紧锣密鼓进行中。三星、SK海力士和美光已完成DDR6原型芯片设计，预计2026年起新款处理器开始支持DDR6-10。
这种快速的技术迭代给市场带来了额外的复杂性，消费者在购买时面临更多选择，也更容易陷入“买新还是买旧”的纠结中。
AI服务器对内存的庞大需求，直接挤压了消费级产品的供应。智能手机和个人电脑等消费电子领域的供应能力被严重压缩-3。
这导致了一个看似矛盾的现象：消费电子市场需求疲软，但产品价格却在上涨。多家手机厂商已相继上调终端产品售价，消费者购机成本随之攀升-3。
更令人意外的是，DDR4价格竟然反超了DDR5。2025年6月，DDR4 16Gb芯片均价达到12美元，而同容量DDR5产品报价仅为6.014美元-10。
这是DRAM历史上首次出现前代产品价格超越最新规格产品100%的异常现象，主要原因是原厂将产能重心转向DDR5和HBM，导致DDR4供应大幅减少-10。
面对国际内存市场的剧烈波动，国产内存产业链正在加速国产替代进程。在DRAM领域，长鑫科技计划2027年完成3座12英寸晶圆厂设备导入，DDR5/LPDDR5X产品已覆盖主流市场-4。
NAND领域，长江存储192层3D NAND已量产，2026年产能有望提升至20万片/月-4。这些进展为中国内存市场带来了一定的缓冲空间，但与国际领先水平仍存差距。
特别是HBM领域，国内与国际领先水平仍存1-2代差距-4。HBM4E/HBM5研发需突破TSV（硅通孔）和混合键合技术，这对国内厂商来说仍是巨大挑战。
智能手机厂商已经将新机发布价格悄悄上调了15%，PC制造商开始重新设计主板以适应不同的内存规格。老李的柜台里，三年前无人问津的DDR4内存条突然成了抢手货，价格标签上被铅笔修改的数字越来越模糊。
云端服务器机房内，工程师们正在重新评估项目的可行性，因为内存成本已经超过了原本的预算。一位韩国分析师在最新报告中写道：“内存已从普通零部件转变为战略资产”。
当普通消费者开始讨论“DRAM有无”时，这个市场已经不再是技术爱好者的专属领域。
