手机存储总是不够用，新买的固态硬盘价格却越来越亲民，这背后是一场关于把存储芯片盖成摩天大楼的技术竞赛。
三星计划2026年量产400层以上堆叠的V10 NAND，单位面积位密度比前代飙升56%-6。而在另一条技术路径上，英特尔早已在其144层3D QLC NAND中采用了独特的三层堆叠结构，将48+48+48层的存储单元像三明治一样精确组合-5。
三星在3D NAND领域采取了一条相对稳健的技术路线。它的128层单堆栈产品不像英特尔等竞争对手那样采用多deck集成，有效避免了深宽比和对齐问题-4。
这种单堆栈设计使三星能够在量产3D NAND中实现当时世界上最小的单元间距。
在性能方面，三星的3D NAND一直保持着读取延迟最低、写入速度最快的优势-5。当其他厂商不得不用两层堆叠来实现128层时，三星却能一次性完成。
这背后是三星在垂直通道高宽比蚀刻技术上的多年积累，这项技术被视为扩展3D NAND最关键、最困难的制造步骤。
三星计划在2026年3月开始建设其第十代V-NAND的量产线，预计同年10月全面投产-9。
英特尔在3D NAND领域走上了一条与众不同的道路。在其他厂商主要专注于TLC时，英特尔却将重点放在了QLC上，成为2021年ISSCC上唯一展示最新3D QLC NAND的厂商-5。
英特尔144层QLC设计采用了三层堆叠结构，把存储单元分为48+48+48层，而不是业界预期的72+72层-5。
这种设计意味着英特尔只需重复三次相同的沉积、蚀刻和填充步骤，大大简化了制造流程。更值得注意的是，英特尔坚持使用浮动栅存储单元，而其他厂商已普遍转向电荷陷阱单元技术。
在性能优化方面，英特尔将这三个平台各自构成独立的擦除块集合，这意味着可以单独擦除字符串的中间部分，而不影响其他两部分存储的数据-5。
3D NAND的堆叠层数竞赛已经进入白热化阶段。三星不仅计划在2026年推出400层以上的V10 NAND，更瞄准了2027年推出数据输入输出速度再提升50%的V11 NAND-6。
三星的远期目标更加宏大：计划到2030年开发出超过1000层的NAND芯片-6。
为了实现这一目标，三星正在采用新型键合技术，在不同的晶圆上分别创建存储单元和外围电路，然后进行键合-6。这种被称为BV NAND的方法能够在单位面积上将位密度提高1.6倍。
英特尔虽然已经出售了其NAND闪存业务，但它在3D NAND技术上的创新仍在继续。英特尔的144层QLC NAND采用了一种创新的块管理方式，将96MB的数据块大小减少到48MB-5。
随着3D NAND技术向更高层数发展，所有厂商都面临着相似的技术挑战。当存储密度在10年间增长超过30倍时-10，传统技术已经接近极限。
字线电阻增加、垂直通道深宽比急剧上升、上下相邻存储单元之间的电干扰加剧，这些都是高层化过程中无法回避的问题-10。
混合键合技术被视为突破这些限制的关键技术之一-10。这种技术允许在不同晶圆上分别制造存储单元阵列和CMOS外围电路，然后将它们键合在一起，从而优化各自的工艺条件。
在混合键合领域，三星已经进行了探索，并考虑将这一技术用于逻辑芯片，目标是在2026年下半年推出采用3D封装的2nm移动处理器-2。
这场三星和英特尔的3D NAND技术竞争，最终会转化为消费者手中的实际产品。
随着三星和英特尔不断推动3D NAND技术进步，用户将能够以更低价格获得更大容量的存储设备。400层NAND技术的实现意味着同样大小的芯片可以存储更多数据，直接推动固态硬盘价格下降。
更快的I/O速度将使文件传输、应用加载和系统启动时间大幅缩短。三星V10 NAND的I/O引脚速率达到5.6Gbps，相比前代产品提升了75%-9。
对于AI服务器和数据中心，超高堆叠的NAND闪存能够提供更大的存储容量和更优的散热性能，这对处理海量AI训练数据至关重要-6。
三星的V10 NAND生产线已在规划中，预计明年3月启动建设，目标是在人工智能服务器市场上分得更大蛋糕-9。英特尔虽已出售闪存业务，但其创新的三层堆叠和QLC技术仍然影响着行业走向。
当手机存储从128GB变成256GB成为常态，当1TB固态硬盘的价格变得亲民，背后是3D NAND层数从24层到400层的技术长征。这场存储芯片的“摩天大楼”竞赛，正决定着未来数字世界的地基能有多牢固。
问：三星和英特尔的3D NAND技术路线差异这么大，对我们普通用户来说，买固态硬盘时该怎么选？
哎呀，这个问题真是问到点子上了！说实话，普通用户其实不必太纠结于技术路线的差异，因为最终产品都会符合行业标准。
不过要是你想了解背后的门道，那就有意思了：三星的单堆栈技术有点像一气呵成的整块大理石雕刻，工艺要求高但结构更稳定；而英特尔的三层堆叠则像精准拼接的三层木板，制造更灵活-5。
实际选购时，你应该更关注产品参数：容量、读写速度、耐久度和价格。对于大多数用户，来自任何主流厂商的3D NAND固态硬盘都能提供良好的体验。如果你需要大容量且预算有限，采用QLC技术的产品可能更合适——这正是英特尔专注的领域-5。
而如果你追求顶尖性能和可靠性，三星的高层数TLC产品可能更符合需求-9。关键是根据你的实际使用场景和预算来做决定，而不是被技术名词迷惑。
问：三星说要做1000层的NAND，这现实吗？会不会只是画大饼？
你这个问题提得特别实在！我刚开始看到1000层这个数字时也觉得“这不太可能吧”，但仔细研究后发现，三星还真不是随便说说。
目前三星已经计划在2026年推出400层以上的V10 NAND-6，而且他们正在开发新型键合技术，能够在不同晶圆上分别制造存储单元和外围电路，然后再键合在一起-6。
这种方法有点像现代建筑中的预制件技术——先分别制造各个部分，再组装成完整建筑，大大降低了整体施工难度。
当然，挑战是巨大的。层数越多，字线电阻增加、存储单元间电干扰加剧、散热问题越突出-10。但三星已经在探索混合键合等新技术来应对这些挑战-2。
从技术演进角度看，3D NAND的层数在过去十年增长了约10倍-10，按照这个趋势，到2030年达到1000层并非天方夜谭。不过最终能否实现，还要看未来几年关键技术突破的实际情况。
问：3D NAND层数不断增加，为什么我买的固态硬盘寿命好像没明显提升？
哎，这确实是个让人有点郁闷的现象！层数增加主要提升了存储密度和容量，但并不直接等同于寿命延长。
实际上，随着每个存储单元存放的位数增加（从TLC的3位到QLC的4位），单元的耐久度往往会有所下降-10。这就像一间房子住的人越多，每个居住者的个人空间和舒适度就会减少一样。
但别灰心，厂商正在通过多种方式弥补这一问题：更聪明的损耗均衡算法、过度配置技术（实际容量比标称容量大，预留一部分作备用）、以及更强大的错误校正机制。
三星和英特尔的3D NAND技术进步虽然不直接表现为寿命数字的飙升，但通过提高存储密度，使得在相同容量下可以使用更少的存储单元，从而间接提高了整体产品的可靠性。
随着层数增加，制造商能够在芯片中集成更多独立工作的平面，提高并行处理能力，这也改善了性能表现-5。所以虽然寿命参数可能没有飞跃，但整体使用体验是在稳步提升的。
