老张的芯片设计公司会议室里，研发总监把一沓新规文件重重拍在桌上，摇头叹气：“得，今年第三回了，这刚理清的DRAM许可流程又得重来。”
半导体圈子的朋友最近见面打招呼，大概都得苦笑问一句：“你们家那个DRAM许可，搞定了没？”这还真不是开玩笑。
先是美国商务部的新规把18纳米以下DRAM的门槛卡得更细-1，接着知识产权池也来“收租”-3。对咱搞研发、做生产、搞贸易的来说，这DRAM许可已经不再是技术手册里枯燥的章节，而是悬在项目进度和商业回报头上的实实在在的“达摩克利斯之剑”。
这第一道坎，也是最让业界心头一紧的，就是最近美国工业与安全局（BIS）更新的一揽子出口管制规则-2。
新规给“先进节点”的DRAM画了一条精细到纳米级的线。你的DRAM产品，但凡存储单元面积小于0.0026µm²，或者存储密度突破每平方毫米0.20千兆位，甚至芯片里硅通孔超过3000个，对不起，您这就迈入“先进”门槛，相关出口、再出口或转让，都得先过DRAM许可这一关-2。
这还不算，BIS这次明显是堵漏洞来的。过去有些公司可能会通过把设计、流片、封装环节拆到不同地方来规避审查。新规直接新增了每芯片超过3000个硅通孔这个指标-2，就是瞄准了那些先进的堆叠封装工艺，想分拆环节绕道走？此路不通了。
更扎心的是“推定原则”。简单说，只要你做的逻辑芯片用了16/14纳米或以下工艺，或用了非平面架构，BIS就直接推定你这是用于数据中心的高性能芯片，得按最严的ECCN 3A090.a类别来管-2。除非你能自证清白，比如证明晶体管总数没超限，或者找到了白名单上的封装厂合作-1-2。这等于把合规的举证责任和压力，直接甩给了企业。
如果你以为躲过了出口管制就万事大吉，那可能高兴得太早了。另一张围绕DRAM许可构建的大网正在悄然收紧，那就是知识产权授权。
就在去年，全球知名的专利许可平台Via Licensing Alliance正式启动了一个全球半导体专利池，火力就集中在DRAM技术上-3。这个池子覆盖了从DDR3、LPDDR4到最新的HBM等几乎所有主流DRAM标准-3。
传统的DRAM专利许可多发生在制造环节。但Via LA这个新池子野心更大，它明确提出要将许可扩展到数据中心层面-3。理由是啥？人家说得也很直白：因为DRAM对当今AI工作负载太关键了，价值得重新评估-3。
这意味着，未来哪怕你合法采购了符合出口管制的DRAM模组，用于建设或运营数据中心，都可能需要重新审视你是否获得了底层技术专利的合法授权。这对于全球的数据中心运营商、云服务商来说，是一笔潜在的新增成本和法律风险。
这第三道坎，藏在生产和供应链的每一个环节里，可以称之为“信任关卡”式的DRAM许可。
新规下，芯片代工厂和封测厂的责任被提到了前所未有的高度。它们不能光听客户拍胸脯，自己必须做尽职调查，甚至要用设计文件去估算晶体管数量，以判断是否需要许可证-2。
对于像三星、美光这样的巨头，它们推进新一代DRAM（比如三星的1c DRAM）量产时，内部严谨的“生产准备批准”流程本身就是一套复杂的许可体系，确保性能、良率达标后才能放行-8。而对于汽车、工业等安全攸关的领域，美光的LPDDR5X产品通过ISO 26262 ASIL-D或IEC 61508 SIL-3这类功能安全认证-9，本质上也是获得市场准入的“许可”，是客户信任的基石。
从上游的材料设备商，到中游的制造厂，再到下游的集成商，整个链条的每个交接点都在进行着某种形式的“许可”确认：技术合规性许可、质量可靠性许可、功能安全许可。任何一环的“许可”缺失，都可能导致产品卡住。
面对这三重“许可”大山，企业与其被动应付，不如主动构建自己的合规与知识产权战略。要像画地图一样梳理自家产品技术参数，对照新规门槛评估风险-2。
主动管理IP资产，评估加入或应对专利池的影响-3。重塑供应链关系，与能够提供可靠合规证明的伙伴深度绑定-1-9。这个时代，能妥善搞定DRAM许可全链条的公司，才真正握有在半导体下半场竞争的入场券。
网友“芯路历程”提问：
“看了文章，还是有点晕。能不能用大白话总结一下，现在到底什么样的DRAM需要‘许可证’？是不是所有DRAM都受影响？”
答： 这位朋友问到了点子上，咱就用大白话捋一捋。不是所有DRAM都受影响，它主要针对的是那些最顶尖、用在最核心领域的“尖货”。
你可以把它想象成对“高性能军火”的管制。新规主要卡住三个非常具体的技术指标，只要你的DRAM芯片同时满足以下任一条件，就大概率需要申请出口许可证才能进行国际贸易-2：
做得太密了：存储单元面积小于0.0026平方微米，这个尺寸大约相当于18纳米工艺节点及更先进的水平-2。
容量太大了：存储密度大于每平方毫米0.20千兆位（Gb/mm²）。
结构太复杂了：每个芯片裸片上的硅通孔（一种垂直互联技术）数量超过3000个，这是针对高端堆叠封装技术的-2。
所以，市面上大量用于普通电脑、消费电子里的主流或成熟制程DRAM，并不直接落入这个“许可证”范围。新规的“火力”集中在为高性能计算、人工智能数据中心服务的最新一代DRAM上，比如高端HBM（高带宽内存）产品。简单说，就是管住最前沿的，放行大多数通用的。
网友“产业链民工”提问：
“我在一家中国芯片设计公司，新规里说的‘经核准的IC设计公司’白名单-1-2，我们有可能申请加入吗？这是不是意味着我们以后完全没法找海外代工厂生产先进芯片了？”
答： 这是个非常现实和关键的问题。直接说结论：短期内，中国芯片设计公司被纳入美国BIS的“经核准的IC设计公司”白名单难度极大。根据规则解读，这个名单目前主要包括像英伟达、AMD、博通、联发科等总部位于美国或其盟友地区的公司-2。
但这绝不意味着路完全被堵死。新规其实给出了另一条“豁免”路径，这也是目前大多数中国设计公司正在努力争取的。这条路的核心是海外制造与封装。规则允许，如果你的芯片是在中国大陆、澳门等特定地区-1之外完成封装，并且能证明最终封装好的芯片总晶体管数量低于某个阈值（例如2027年前低于350亿个），就有可能免于申请许可-2。
这意味着，中国公司依然可以寻求与台积电、三星等海外代工厂，以及日月光、安靠等位于白名单上的封测厂-1合作。关键在于，你需要和代工厂、封测厂紧密协作，通过设计折衷（如控制芯片规模、暂不集成HBM）等方式，确保最终产品满足豁免的晶体管数量或技术指标要求。这条路充满了挑战，需要对设计进行精细调整，并承担更高的制造成本和更复杂的合规论证，但它仍然是目前可行的主要通道。
网友“风起青萍”提问：
“除了出口管制，文章还提到专利池的问题-3。这个Via LA的DRAM专利池对我们这些中小设备厂商有什么具体影响？感觉离我们很远。”
答： 这位朋友，千万别觉得这事远。Via LA这个全球DRAM专利池的影响，可能会像水波纹一样，逐渐扩散到整个产业链，中小设备厂商很可能在不久的将来感受到它的压力。
传统上，DRAM的专利许可费通常由三星、美光、海力士这些存储原厂在制造和销售芯片时处理，下游的模组厂、设备商、终端用户一般不用直接操心。但Via LA这个新池子提出了一个新模式：将许可延伸到数据中心层面-3。
这会产生什么连锁反应？举个例子：假设你是一家生产AI服务器或高端存储阵列的设备商。过去，你采购了三星的DRAM模组，专利问题理论上由三星搞定。但未来，如果专利池要求对“使用DRAM的数据中心设备”进行许可，那么作为设备制造商，你可能需要直接或间接地承担这笔授权费用。专利池的管理方可能会向上游原厂施压，也可能直接向下游大型设备商或数据中心运营商主张权利。
对于中小厂商而言，最直接的影响可能是采购成本的不确定性增加，以及面临潜在的法律风险。即便你不是直接被许可对象，你的上游供应商（原厂或大模组厂）一旦开始支付这笔新许可费，成本大概率会转嫁。现在就需要开始关注这个专利池的进展，评估其许可条款和费率，并在与上游供应商的合同中，明确关于知识产权担保和成本波动的条款，做到未雨绸缪。
