深圳华强北的存储商户一边接着催货电话，一边看着屏幕上的报价摇头叹气，“一天一个价，甚至一天几个价”-3。
市场形容这是“地狱级缺货”，而且可能一路延续至2027年底-5。DRAM合约价在2026年第一季度可能较前一季大幅上涨55%至60%-10。
这场由AI引爆的存储热潮，让DRAM从普通的系统组件一跃成为决定算力天花板的关键资源，其战略地位发生了根本性变化-5。
当前存储芯片市场正经历一场罕见的价格飙升。一些型号的服务器内存条价格已经突破5万元，较2024年同期涨幅超过500%-2。
DDR5颗粒的现货价格自2025年9月以来上涨超过300%-2。TrendForce预测，2026年第一季DRAM合约价将环比上涨55%-60%-10。
如果你现在需要采购存储芯片，可能会被告知交货期延长，甚至面临“无限期订单”的情况——大客户们放出话来，无论价格如何，只要能交付多少，他们就会接收多少-3。
这一轮DRAM地位的根本性提升，背后有几个关键驱动力。AI服务器的需求是最核心的引擎。
单台AI服务器对内存的需求是传统服务器的8-10倍-2。北美四大云厂商在2026年的AI基础设施投资预计达到6000亿美元-2。
另一个经常被忽视的因素是产能排挤效应。为了生产HBM，厂商需要消耗约传统DRAM三倍的晶圆-3。这导致用于生产普通DRAM的产能被严重挤压。
市场供需失衡非常严重，2026年服务器DRAM需求增速预计在20%-25%，而供应增幅只有15%-20%-2。原厂成品库存仅约4到5周，主要客户端库存约7到9周-5。
面对这场存储盛宴，三大巨头采取了截然不同的策略，反映了他们对DRAM未来地位的不同判断。
三星选择了一条务实路线：将部分HBM产能转向标准DRAM生产。他们计划将用于HBM3E生产的产能下调30%-40%，转而生产利润率更高的通用DRAM-3。
背后的经济账很清楚：三星基于先进制程的通用DRAM产品利润率超过60%，而供给大客户的HBM3E利润率只有约30%-3。
SK海力士则继续押注高端市场。在CES 2026上，他们展示了下一代HBM4以及LPDDR6等全系列AI内存产品-7。
该公司2026年底前的HBM产能已基本被AI大客户锁定，留给中小厂商的份额不足10%-3。他们计划将最先进的1c纳米制程DRAM月产能提升8至9倍-3。
美光的策略最为激进决绝：全面聚焦数据中心市场。他们甚至停止了消费类品牌Crucial的运营，将产能重新分配到毛利润更高的企业级产品-3。
在这场全球竞争中，中国DRAM产业正努力寻求突破。长鑫存储作为国内领先者，其DDR5/LPDDR5X产品已覆盖主流市场-2。
根据计划，到2027年他们将完成3座12英寸晶圆厂的设备导入工作-2。2025年中国DRAM市场规模预计将达到2517亿元，这为本土产业链提供了基础支撑-4。
但必须清醒认识到，国产DRAM面临的挑战依然严峻。国际巨头通过数十年的积累，构筑了难以逾越的“三重封锁”：技术专利墙、资本密集型壁垒以及严格的客户认证体系-4。
特别是在最尖端的HBM领域，国内与国际领先水平仍存在1-2代的技术差距-2。AI训练所需的高带宽内存，对中国企业来说基本上处于禁运状态-9。
DRAM技术的发展已经接近物理极限。随着制程进入10纳米及以下级别，在晶圆上定义电路图案已经接近基本物理定律的极限-8。
行业正在探索两条主要路径：一是继续改进现有工艺，二是向三维空间发展。
HBM是3D DRAM的一种实现形式，通过堆叠多个DRAM芯片并使用硅通孔技术垂直连接-8。SK海力士最新推出的HBM4采用16层堆叠，容量达到48GB-7。
更根本的变革可能是4F2垂直栅极结构，这种设计灵感来源于NAND闪存，将晶体管垂直排列，使单元面积缩小约30%-8。三星、SK海力士等巨头都在这一领域加紧研发。
三星的DRAM生产线旁，技术员仔细检查着刚从生产线下来的晶圆；SK海力士的研发实验室内，工程师正在测试最新的HBM4堆叠工艺-7；美光则把原本生产消费级芯片的生产线，全部改成生产数据中心用DRAM芯片-3。
随着价格持续攀升，三大原厂的毛利率已全面转向“60%就是地板” 的新常态-5。DRAM已不再仅仅是电子设备中的一个部件，而成为了数字时代战略资源的代名词，其地位在AI浪潮中被重新定义，也重新定价。
