全球DRAM市场近70%的份额被两家韩国公司牢牢握在手中，这个数字背后是持续三十多年的行业统治。

2025年第一季度，韩国SK海力士以36%的市场份额首次超越三星电子，终结了后者在DRAM领域长达33年的统治地位-9。但这两家韩国巨头联手仍拿下了近70%的DRAM份额-1。

随着AI时代来临，全球半导体产业正经历一场静默而深刻的重构-9。SK海力士凭借HBM领先优势在市场上遥遥领先-1，而曾经的市场霸主三星电子似乎在这场技术变革中暂时落后。

韩国企业在全球DRAM市场的统治地位可以用“压倒性”来形容。三星电子和SK海力士这两大巨头联手拿下了近70%的DRAM市场份额-1。

这种市场控制力已经持续了数十年，自1992年三星凭借大规模投资和工艺突破登顶后，行业长期维持着“三星第一、SK海力士第二”的格局-9。

全球75%的DRAM供给掌握在三星、SK海力士的手里-7。这两家韩国企业的生产基地主要集中在韩国本土-3，形成了从研发到生产的完整产业链集群。这种高度集中的产业布局，使得韩国在全球DRAM供应链中扮演着难以替代的角色。

面对这种市场格局，其他国家的科技企业常常陷入被动。有报道称，由于存储器价格飞涨侵蚀了中国智能手机、PC厂的利润，中国商务部旗下反垄断主管机关曾约谈三星与SK海力士，要求它们对中国科技厂调降存储器售价-7。

进入人工智能时代，DRAM市场的权力结构开始发生微妙变化。2025年第一季度，SK海力士以36%的市场份额超越三星电子(33.7%)，结束了后者长达33年的市场统治-9。

这场超越的关键推手是HBM技术。SK海力士凭借在高带宽存储器领域的先发优势，抓住了AI服务器需求爆发的机遇-1。

随着AI服务器需求从“训练”向“推论”延伸，HBM的技术迭代速度与产能分配成为影响厂商竞争力的关键-2。SK海力士在这一领域的专注投入获得了回报，而三星则因策略调整稍显迟缓。

这种技术路线抉择正在改写行业规则。值得注意的是，尽管SK海力士在HBM领域领先，但三星正迎头赶上，其HBM3E产品表现强劲，市占率从15%攀升至22%-2。

两家韩国巨头之间的竞争日趋白热化，而这场“内战”也影响着全球DRAM市场的供应格局。

韩国DRAM垄断地位面临的外部挑战不仅来自市场竞争，更有复杂的地缘政治因素。2024年底，韩国政经局势不稳定引发了市场对供应链的担忧-3。

由于三星、SK海力士的存储器生产重心都在韩国，尤其高带宽存储器作为AI服务器标配，相关产能若受影响可能引发转单效应-3。

更直接的制约来自国际政策。2026年，三星和SK海力士获得了向其在华工厂出口芯片制造设备的年度许可证-8。

但这张许可证附带了严格条件：只允许韩国企业用这些设备维持其在华工厂的现有生产水平，严禁任何扩产或技术升级-8。这意味着三星在西安的NAND闪存基地、SK海力士在无锡的工厂，都只能维持现状，沦为技术冻结的“化石”产线-8。

这些地缘政治限制实际上为韩国DRAM垄断设置了天花板。韩国政府显然意识到技术保护的重要性，于2025年3月发布《产业技术保护法》修订案，强化韩国核心技术保护体系，应对产业技术外流问题-4。

就在韩国巨头巩固自身地位的同时，全球DRAM市场的追赶者正在悄然崛起。中国台湾的南亚科成为最大“黑马”，其市占率从1%倍增至2%-2。

南亚科的崛起得益于传统DRAM的供给短缺——由于主要供应商减产传统DRAM以转向高利润的HBM和DDR5，消费级内存市场出现缺口-2。

中国大陆的存储芯片企业也在加速追赶。在DRAM方面，长鑫存储发展迅速，已经拿下了10%左右的份额，并且在DDR5、HBM3上都有突破-6。

到2026年，长鑫的份额可能会达到15%-6。这些新兴力量的加入正在改变市场格局，尽管短期内难以撼动韩国双雄的垄断地位，但已经形成了不可忽视的竞争压力。

全球DRAM市场供不应求的局面预计将持续至2026-2027年，价格压力或延续至2027-2028年-2。在这种市场环境下，二线厂商获得了宝贵的发展窗口期，而韩国垄断企业则面临产能分配的战略抉择。

面对竞争格局的变化，韩国半导体产业正在寻找新的增长点。韩国政府公布了大力发展人工智能、半导体、生物技术等领域的计划，旨在全球战略技术竞赛中占据优势-1。

根据该计划，未来五年将筹集150万亿韩元的巨额投资基金，为韩国经济创造高达125万亿韩元的附加值-1。

AI芯片成为韩国企业突围的新方向。韩国AI芯片公司Rebellions凭借其节能的AI计算机芯片而闻名，应用范围从高频交易到支持OpenAI的ChatGPT等大型语言模型工具-1。

2025年，Rebellions与Sapeon Korea合并，打造出韩国首个AI芯片独角兽公司-1。这些举措表明，韩国正试图将在存储领域的优势延伸到更广泛的半导体生态中。

除了AI芯片，碳化硅功率半导体也成为韩国厂商的新方向。韩国政府计划在未来5年内将SiC功率半导体的技术自给率从目前的10%提高到20%-1。

到2028年，政府将投入总计902亿韩元，用于开发用于电动汽车和绿色能源的碳化硅核心技术-1。这种多元化的技术布局，或许是韩国应对DRAM市场竞争加剧的长期策略。

当三星和SK海力士的DRAM营收在2025年第四季度再创新高时，韩国半导体存储业务单季营收达到约37.4万亿韩元，按当前汇率折合约1798.94亿元人民币-10。这一数字创下了该业务单季营收历史新高，较上一季度增长34%-10。

市场研究机构最新数据显示，该企业重新在以销售额计的全球DRAM内存市场中占据首位，市占率重回第一-10。全球半导体产业版图正在AI浪潮中重塑，而韩国企业的下一个三十年会如何书写，值得持续关注。

网友“科技观察者”提问：
看了文章，感觉韩国DRAM垄断地位正在松动。除了SK海力士超越三星，还有哪些因素可能导致韩国DRAM垄断格局被打破？这对全球科技产业会有什么具体影响？

回答：
您观察得很准，韩国DRAM垄断确实面临多重挑战。除了内部权力转移（SK海力士超越三星），外部因素也在悄然改变游戏规则。

地缘政治是首要变量。韩国政经局势不稳定已引发供应链担忧-3，如果生产中断，美光等竞争者可能承接部分订单-3。更重要的是技术管制——三星和SK海力士在华工厂被限制扩产和技术升级，这直接锁死了它们在中国市场的增长空间-8。

技术路线分化是另一个关键因素。AI时代催生了HBM这一细分市场，虽然韩国企业暂时领先，但技术变革往往带来重新洗牌的机会。如果HBM4或下一代存储技术出现突破，而韩国企业未能及时跟进，垄断地位就会受到挑战。

新兴竞争者的崛起不容忽视。中国长鑫存储已拿下约10%份额，预计2026年达15%-6；中国台湾南亚科市占率翻倍至2%-2。这些企业正从消费级市场切入，逐步向高端渗透。

若垄断格局被打破，全球科技产业将迎来多重变化：首先，存储芯片价格可能更加稳定，避免过去那种因寡头控制导致的剧烈波动；科技企业将有更多元化的供应链选择，降低对单一国家或厂商的依赖；技术创新可能加速，更多竞争者意味着更多技术路线的探索。

但打破垄断需要时间。韩国企业积累了数十年的技术专利、制造经验和客户关系，这些护城河不会一夜消失。未来的格局更可能是从“双头垄断”变为“多强并存”，而非完全的去垄断化。

网友“半导体从业者”提问：
作为行业中人，我更关心中国存储芯片企业的机会。在当前韩国DRAM垄断和技术封锁背景下，中国企业应该如何突破？HBM领域有没有弯道超车的可能？

回答：
您提出的问题确实切中了中国存储产业发展的关键。面对韩国DRAM垄断和技术壁垒，中国企业的突破路径需要多管齐下。

差异化竞争是务实选择。当前韩国巨头正将产能向利润更高的HBM和DDR5倾斜，导致消费级DRAM市场出现供应缺口-2。这正是中国企业的机会窗口——聚焦于消费电子、物联网等对传统DRAM仍有稳定需求的领域，先站稳脚跟再图升级。

HBM领域的追赶需要精准投入。虽然韩国企业在HBM3/E领域领先，但技术迭代极快，HBM4已在研发中。中国企业可考虑与国内AI芯片企业深度合作，开发定制化解决方案，而非完全跟随韩国技术路线。毕竟，最终的市场不在于技术指标多先进，而在于能否满足客户实际需求。

产业链协同尤为关键。存储芯片涉及设计、制造、封装测试等多个环节，需要全产业链的配合。中国已初步形成存储芯片产业集聚，下一步应加强企业间协作，避免重复建设和内耗。

技术引进与自主创新要平衡。在遵守国际规则的前提下，通过技术授权、人才引进等方式加速学习曲线；同时加大自主研发投入，特别是在材料、设备等基础环节。

值得注意的是，韩国政府正在强化技术保护，修订《产业技术保护法》加大处罚力度-4。这意味着简单的技术模仿路径越来越窄，自主创新成为必然选择。

弯道超车的机会存在于技术范式变革中。如果存算一体、新型存储材料等技术取得突破，且中国企业能率先实现产业化，就有可能重塑竞争格局。但这需要长期基础研究投入，非一朝一夕之功。

网友“投资爱好者”提问：
从投资角度看，DRAM行业未来几年的趋势如何？韩国双雄(三星、SK海力士)和中国企业(如长鑫存储)哪类更值得关注？行业有哪些潜在风险？

回答：
从投资视角分析DRAM行业，有几个趋势值得重点关注。

行业周期性特征依然明显。市场研究预测，全球DRAM供不应求局面可能持续至2026-2027年，价格压力或延续至2027-2028年-2。这意味着未来2-3年行业可能维持较高景气度，但需要警惕2028年后的周期性下行风险。

技术升级带来结构性机会。HBM、DDR5等高端产品需求增长快于传统DRAM，这会影响不同企业的盈利表现。SK海力士凭借HBM优势获得溢价-1，而专注于传统产品的企业则面临利润压力。

关于投资标的，韩国双雄与中国企业各有看点：韩国企业优势在于技术领先、市场份额稳固，SK海力士在HBM领域优势明显-1，而三星正在加速追赶-2；它们的风险在于地缘政治限制-8和过度依赖存储业务。中国企业如长鑫存储则代表成长性机会，市场份额从目前的约10%有望增至2026年的15%-6；但面临技术追赶压力和专利壁垒。

潜在风险不容忽视：首先是技术迭代风险，存储技术升级极快，巨额研发投入可能因技术路线选择错误而打水漂；其次是地缘政治风险，出口管制、技术封锁等可能突然改变企业运营环境-8；第三是市场周期风险，DRAM价格波动剧烈，企业盈利随之大幅波动；最后是供应链风险，设备、材料供应集中度较高，任何环节中断都会影响生产。

多元化投资或是明智选择：既配置技术领先的韩国龙头，也布局成长性强的中国追兵；同时关注存储产业链上下游企业，如设备、材料供应商，这些公司受价格波动影响较小，且受益于全球产能扩张。

值得注意的是，AI发展正在改变存储需求结构，投资时应更关注那些在HBM、高带宽产品上有布局的企业，它们更能受益于AI服务器需求增长。