一根小小的内存条，价格能在半年里翻一番，市场被三家巨头牢牢握在手里，这背后是一场跨越半个世纪的技术厮杀。
256GB的服务器内存条价格突破了5万元，部分型号甚至逼近6万元——这价格比2024年同期涨了超过500%-7。
这是2026年初全球存储芯片市场的现实，而这场涨价风暴的核心，就是DRAM。
这个发明于1966年的动态随机存取存储器，如今正在经历一场前所未有的角色转变-5。
DRAM的技术核心，其实是一个相当精巧的物理结构。每个存储单元都由一个晶体管和一个电容组成，用电容中有无电荷来表示“1”和“0”-6。
说起来简单，但要让这个结构在纳米尺度上稳定工作，需要的工艺精度达到了原子级别。
如今主流的DDR5内存，数据传输速率已经达到6400Mbps，而专为图形处理设计的GDDR7更是能达到惊人的36Gbps-1。
这些技术进步的背后，是DRAM产业数十年积累的技术传统——在微型化道路上不断突破物理极限，同时保持大规模量产的经济性。
这种技术传统既构成了行业壁垒，也推动着整个半导体产业的进步。
DRAM的发展史，可以用“腥风血雨”四个字来形容。从1970年代初英特尔凭借C1103芯片占据82.9%的市场份额，到后来被日本企业反超，再到韩国三星的崛起，每一次技术迭代都伴随着市场格局的重塑-5。
1980年代中期，日本厂商凭借举国体制的VLSI项目，将全球DRAM市场份额提升到65%，美国则降至30%-5。
但日本的主导地位并未持续太久，随着《广场协议》的签署和美国的反倾销诉讼，日本半导体产业迅速衰退-5。
真正改写DRAM产业格局的，是三星的“逆周期投资”策略。在市场低谷期，三星不仅不收缩，反而加大投资扩大产能，用这种近乎赌博的方式拖垮了一个又一个对手-5。
这种市场传统——激烈的周期性波动和残酷的竞争淘汰——塑造了今天DRAM市场三足鼎立的格局：三星、SK海力士和美光合计占据约94%的市场份额-2。
如今，DRAM正在经历一场根本性的角色转变。它不再仅仅是电脑或手机里的“系统内存”，而是成为了AI时代的“算力基石”-4。
这一转变的核心驱动力来自AI服务器需求的爆发式增长。一台AI服务器的内存需求是传统服务器的8-10倍，这直接导致了HBM（高带宽内存）市场的井喷-7。
TrendForce预测，2026年第一季度DRAM合约价将较2025年第四季大幅上涨55%至60%-3。这一涨幅背后的逻辑很简单：AI投资热潮下，美国大型云服务商提前锁定了大量产能，导致其他买家被迫接受更高的价格。
DRAM的供应链传统——高度集中和周期性波动——在AI时代被进一步放大。当三大原厂将产能优先配置给利润更高的HBM时，消费级DRAM的供应自然变得紧张-10。
面对DRAM市场的巨头垄断，中国正在寻找自己的突破口。长鑫存储作为国内DRAM产业的主要参与者，已经在DDR5和LPDDR5X产品上取得了进展-4。
中国市场的需求是巨大的，DRAM市场规模已从2020年的1667亿元增长至2024年的2380亿元，预计2025年将达到2517亿元-4。
但挑战也同样严峻。DRAM产业的技术壁垒不仅体现在制造工艺上，还包括由国际巨头构筑的专利高墙，以及从产品认证到供应链协同的漫长产业融入过程-4。
行业专家指出，从NAND领域转向DRAM研发，就像“优秀的土木工程师转型精密机械设计”，两者在知识体系和技术路线上存在本质差异-4。
国产DRAM的发展，需要克服的不仅是技术难题，更是要打破数十年来形成的产业生态传统。
展望未来，DRAM产业面临的最大挑战可能来自技术本身。随着HBM向更高层数堆叠发展，制程复杂度与良率挑战同步升高-10。
HBM4芯片尺寸较HBM3E放大约16%，而HBM4E更朝着16～20层堆叠发展-10。这意味着，制造这些高端存储芯片需要更先进的工艺和更高的精度控制。
与此同时，原厂的定价策略也在发生变化。市场传出，三星、SK海力士与美光均以至少60%毛利率作为定价底线-10。
这种“毛利率导向”的定价策略，可能会使记忆体价格完全由三大厂主导，形成“60%就是地板”的新常态-10。
GDDR7显存的速度已高达36Gbps，比DDR5快5倍以上，专为处理AI和图形计算的并行任务而优化-1。而专为移动设备设计的LPDDR5X，则通过降低20%的日常使用功耗，悄然改变着数亿用户的智能手机体验。
当三星、SK海力士和美光三大原厂将毛利率锁定在60%以上时，整个行业的游戏规则已经被改写-10。那些曾经在价格战中倒下的数十家DRAM厂商，如今只剩下了这三巨头和它们建立的产业秩序。
