每天面对电脑里越存越满的硬盘，老王最近总在琢磨升级固态硬盘的事儿，网上铺天盖地的MLC、3D NAND宣传让他眼花缭乱。
选购存储产品，咱们得先搞清楚，MLC和3D NAND压根儿不是一个维度的概念，很多人把这俩放一块儿比，就像拿“燃油类型”和“发动机结构”作比较一样，有点关公战秦琼的意思。
MLC是“多层单元”技术，指的是每个存储单元能存2位数据；而3D NAND是“三维闪存”，指的是存储单元的堆叠方式——这俩完全能搭配使用-1-5。
闪存这东西，说白了啊，就是能在断电后还能记住数据的芯片。甭管是USB闪存盘、固态硬盘还是SD卡，核心都用的是这技术-1。
不同类型的闪存，主要区别在于每个小单元里能塞进多少位数据。位嘛，就是电荷，只能表示0或者1两种状态-1。
这个区别直接影响了三大要素：成本、容量和耐用性。耐用性取决于一个闪存单元在“累坏”前能完成多少次编程擦除循环-1。
目前的闪存主要分这么几类：SLC、MLC、TLC，还有那个听起来很立体的3D NAND-1。哎呀，你看我，一说起技术就容易跑偏，咱们还是回到正题。
MLC闪存，学名叫多层单元，每个单元能存储两位数据-6。相比于单层单元技术，它的存储密度翻了一倍，成本自然就下来了-2-6。
这玩意儿通过四种不同的电压阈值来判断数据状态，能表示“00”、“01”、“10”、“11”四种情况-6。不过啊，电压状态多了，误判的几率也跟着上去了。
实话实说，MLC的编程擦除周期数确实没SLC那么高，大概在1万次左右-1。而SLC能到10万次呢！但等等，这里有个误区-2。
网上好多文章说MLC只有1万次寿命，其实指的是写入次数，不是读写总次数。读取对闪存的损耗远没有写入那么厉害-2。
咱们来算笔账啊：假如你买了个2GB的MP3，用的是MLC闪存，理论写入次数1万次。如果你是个音乐发烧友，天天更新歌曲，一年也就写入365次。
这么算下来，这玩意儿能用27年呢！就算去掉7年作为损耗，用个20年也绰绰有余-2。20年啊朋友们，哪个电子产品你能用这么久？
传统的2D NAND是把存储单元水平并排放置，空间有限，想缩小单元尺寸又会降低可靠性-1。于是嘛，厂家们就想出了个新招——往上堆！
3D NAND就像盖高楼一样，把存储单元一层层垂直叠起来-1。这样一来，存储密度和容量都大幅提升，价格却没有跟着暴涨-1-8。
这种结构变化可不只是简单堆叠，它代表了制造工艺的根本转变——从以光刻为主导的平面缩微技术，转向了以刻蚀为核心的三维集成技术-3。
更重要的是，3D NAND还能提供更高的耐用性和更低的功耗-1。有研究显示，在一些应用场景中，采用3D CT TLC NAND的混合固态硬盘，性能比采用2D FG MLC NAND的版本高出20%-4。
唠了这么多，咱们回到最初的问题：mlc和3d nand选哪个？其实这个问题本身就有问题，因为它俩不是二选一的关系。更准确的问法应该是：在什么情况下优先考虑采用MLC技术的产品，什么情况下又该选择3D NAND产品？
现在的3D NAND产品可能用的是TLC技术，而传统的2D平面NAND产品也可能采用MLC技术-1-5。
如果你需要较高的耐用性和性能，而且预算相对充足，那么采用MLC技术的产品可能更合适。
MLC在价格、性能和耐用性之间有个不错的平衡-1。但注意哦，三星有消息说可能要在2025年中停产MLC NAND了-2，所以市场上这类产品可能会越来越少。
如果你追求大容量和性价比，那3D NAND产品绝对是首选。它能以更低的成本提供更大的存储空间-1。
而且随着层数不断增加——从最初的24层，到现在的96层甚至更高——3D NAND的容量和性能都在持续提升-10。
存储技术这玩意儿，发展得可快了。现在大家都在研究怎么堆更多层，怎么把每层的存储密度提上去-10。
有个叫“晶栈”的架构创新也挺有意思的，正在推动全球3D NAND技术的发展-3。长江存储就在这个领域有所突破-7。
另外啊，阻变器件这类新兴技术也在发展，它们有高集成密度、高开关速度和低能耗等优势-3。不过目前看来，它们要完全取代闪存技术还有一段路要走-3。
说句大白话，对于普通消费者来说，与其纠结于mlc和3d nand选哪个，不如关注具体的产品性能和价格。
看看测评，比比实际的速度和耐用性表现，再结合自己的预算和需求做决定，这才是正道。
老王最后挑选了一块采用3D TLC NAND技术的固态硬盘，容量大价格合适，速度测试也不错。装上新硬盘后，他的旧电脑像打了鸡血，开机速度从原来的两分钟缩短到二十秒。
电脑城的伙计边装机边念叨：“现在选存储产品，就像去菜市场挑菜，不用太纠结名字，新鲜实惠适合自己口味最重要。”
